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公开(公告)号：CN112767882A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110248873.4
申请日：2021-03-08
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3225 , G09G3/3233 , G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路及其驱动方法，该有源矩阵有机发光二级管像素补偿电路包括第一开关晶体管(T1)、第二开关晶体管(T2)、第三开关晶体管(T3)、驱动管(T4)、存储电容器(Cst)、有机发光二极管(OLED)、重置控制线(Vset)、发光控制线(Vem)、扫描控制线(Vscan)、基准/数据复用线(Vref/Vdata)。驱动方法包括重置阶段、补偿阶段和发光阶段，其中，补偿阶段既实现对驱动管T4阈值电压漂移的补偿，也实现数据信号的写入。本发明具有开口率高、补偿范围广(能够补偿阈值电压正向和负向漂移)以及补偿有机发光二级管工作电压(Voled)退化问题等优点。
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公开(公告)号：CN112284578B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011597567.3
申请日：2020-12-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器，包括体硅层、埋氧层、衬底、压敏电阻、第一钝化层、电极层、第二钝化层。压敏电阻位于埋氧层上表面，第一钝化层为位于埋氧层上表面的长方体壳体，长方体壳体的顶部中央设有通孔，第一钝化层盖合在压敏电阻上，与压敏电阻之间的空隙构成隔离腔。电极层位于第一钝化层的上表面，并通过通孔与压敏电阻连接。第二钝化层位于电极层的上表面。通过设置隔开的钝化层，有效抑制钝化层中缺陷及其电荷俘获造成的压敏电阻性能漂移，从而提高传感器的长期稳定性，同时缓解钝化层与压敏电阻之间的材料特性失配引起的稳定性问题以及抑制环境气氛和辐照等对压敏电阻性能的影响。
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公开(公告)号：CN112260218A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011537040.1
申请日：2020-12-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种额定电流可调且可监测的过流保护器及制备方法，过流保护器包括第一衬底；第二衬底；在第一衬底上形成开放腔、悬臂梁、第一绝缘层和第二绝缘层；第一电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上，且位于悬臂梁的固定端；第二电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上，且位于悬臂梁的中部位置；第三电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上，且位于悬臂梁的悬空端。本发明利用MEMS体加工和键合工艺，设置开放腔、悬臂梁、第一电极、第二电极和第三电极，使过流保护器的额定电流可调且可监测，以提高电路或系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN111273089A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201911412952.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的具有在线自检测功能的对称型MEMS定向微波功率耦合器通过将两段ACPS传输线的信号线对称分布于主传输线的上下两侧，且每段ACPS传输线的长度为四分之一波长，构成对称型定向耦合器，利用对称型定向耦合器将入射微波功率分别耦合到耦合端端口三、五，使其具有两个耦合端的输出微波功率，从而实现了双端口耦合输出；在对称型定向耦合器的CPW传输线与ACPS传输线的四个连接节点处各放置一个电容式MEMS微波功率传感器，利用电容式MEMS微波功率传感器测量出两支路各端口传输的微波功率，实现了在线自检测功能；此外，其采用全无源结构具有零直流功耗以及与砷化镓单片微波集成电路工艺兼容等特点。
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公开(公告)号：CN108002341B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201711292703.6
申请日：2017-12-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种电磁式振动能量收集器及其制备方法，该振动能量收集器包括：相互堆叠的第一衬底、第二衬底和第三衬底；所述第一衬底、所述第三衬底经刻蚀分别形成第一、第二悬臂梁结构，其中所述第一衬底的下表面形成有第一凹槽、所述第一凹槽上方为第一悬臂梁结构，所述第三衬底的上表面形成有第二凹槽、所述第二凹槽下方为第二悬臂梁结构；所述第一悬臂梁结构的外侧表面设置有第一电磁拾振结构，所述第二悬臂梁结构的外侧表面设置有第二电磁拾振结构。使用本发明的制备方法制备的电磁式振动能量收集器具有结构紧凑、输出功率密度高、精度高、一致性好、易于批量制造、制造成本低及易于小型化的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111044797A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911417495.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的具有可调谐频率状态的MEMS集成微波驻波计，采用全无源结构构成；通过在一个正交定向耦合器的耦合端口和隔离端口分别连接一个热电式MEMS微波功率传感器，分别测量出被耦合至耦合端和隔离端处的微波功率大小，可得到入射微波功率和反射微波功率的大小，从而构成了微型热电式MEMS集成微波驻波计；其在检测状态下仅有少部分输入功率被耦合，大部分功率仍可用，从而实现了对驻波比的在线检测的功能；四个相同的MEMS可变电容器增加了直通臂和耦合臂的电长度以减小芯片尺寸，基于静电原理可以连续改变电容值以对中心频率进行连续调谐；因而，本发明提出的MEMS集成微波驻波计具有微型化、零直流功耗、可调谐工作频率状态且在线检测驻波比的特点。
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公开(公告)号：CN108059123B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201711292704.0
申请日：2017-12-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种电磁式振动能量收集器及其制备方法，相互堆叠的第一衬底和第二衬底；所述第一衬底经刻蚀形成悬臂梁结构，其中，所述第一衬底的下表面形成有第一凹槽、所述第一凹槽上方为悬臂梁结构；所述第二衬底的上表面形成有第二凹槽；所述第二凹槽中设置有永磁体；所述第一凹槽与所述第二凹槽相对堆叠且形成腔体；所述第一悬臂梁结构的外侧表面设置有第一电磁拾振结构，所述第二衬底的下表面设置有第二电磁拾振结构。通过本发明的制备方法制备的电磁式振动能量收集器具有较高的能量收集效率、输出功率和输出功率密度(W/cm2)，还具有尺寸小、精度高、一致性好、易于批量制造、制造成本低以及易于小型化的优点。
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公开(公告)号：CN107305897B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201610236723.0
申请日：2016-04-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/11585 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种双栅结构的铁电型InGaZnO非易失性存储器，自上而下为：顶栅/铁电层/沟道层/底栅氧化层/底栅。该非易失性存储器通过在结构上进行“编程/擦除”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口及可靠性能。
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公开(公告)号：CN110120349A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910402464.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 东南大学成贤学院
IPC: H01L21/443 , H01L21/34 , H01L29/417 , H01L29/43
Abstract: 本发明公开了一种InGaZnO薄膜晶体管的源漏电极及晶体管制备方法，源极和漏极通过掩膜板利用电子束依次蒸发生成钛和金层制备得到，该方法克服了现有技术中的铜电极容易氧化、铜电极沉积在金属氧化物有源层上之后铜原子向氧化物扩散的缺陷，具有高电导率的特点。测试后结果表明，通过本方法制备得到的晶体管的阈值电压为4.5V，亚阈值摆幅较小，栅极偏压Vgs对器件的漏电流Ids有很好的调控作用，器件夹断特性良好。
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公开(公告)号：CN110010710A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910313220.2
申请日：2019-04-18
Applicant: 东南大学成贤学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种用于光检测应用的a-IGZO薄膜传感器及其制作方法，该用于光检测应用的a-IGZO薄膜传感器包括：衬底、设置在衬底上表面的底栅、设置在底栅表面的栅氧化层、设置在栅氧化层上表面相对两侧的源极和漏极、设置在栅氧化层上表面的a-IGZO半导体层、设置在a-IGZO半导体层上表面的保护层，所述保护层位于源极和漏极中间，保护层顶部形成与源极和漏极相接且正对的凹陷。上述用于光检测应用的a-IGZO薄膜传感器，在激光激励下，其电学性能与不加光激励时电学性能差别很大，具有更低的导通阈值电压Vth，更大的输出工作电流，能有效用于探测光以及根据性能变化的大小来判断不同波段的光，且其能有效解决现有源极和漏极材料极易氧化且易使晶体管性能不稳定的问题。
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