一种石墨烯导电油墨及其制备方法

    公开(公告)号:CN117143481A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202310938989.X

    申请日:2023-07-28

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 王俊嘉 杜毓

    Abstract: 本发明涉及一种石墨烯导电油墨及其制备方法,包括以下步骤:在溶剂中对对块体石墨进行剪切,得到石墨片;将石墨片置于烷烃中进行超声处理,辅助石墨烯剥落到油相中;将得到的石墨烯与烷烃的混合物中加入去离子水,超声与摇晃后静置,并重复多次,得到石墨烯导电油墨。与现有技术相比,本发明制备工艺简单、显著降低了制备成本,且不需要额外添加制备石墨烯导电油墨的溶剂、助剂和联结料,对环境友好。本发明制备的石墨烯导电油墨导电性良好,无需高温退火,应用范围广泛。

    一种基于反向设计任意角度发射的光学天线

    公开(公告)号:CN116449488A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310470445.5

    申请日:2023-04-27

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 王俊嘉 徐玮杰

    Abstract: 本发明公开了一种基于反向设计任意角度发射的光学天线。该天线采用绝缘体上硅(SOI)结构,包括硅基底、介质埋氧层(BOX)、光学天线。其中,光学天线由输入波导、锥形波导、反向设计辐射结构组成。光源从端口输入,介质埋氧层位于硅基底的上方,光学天线位于埋氧层的上方。本发明通过反向设计方法得到拓扑优化的光学天线,能够实现在自由空间中任意角度的光束指向,其光斑质量良好,光束指向性强,且相比于传统光栅天线光斑尺寸得到进一步缩减。该光学天线能够广泛应用于激光雷达,成像,自动驾驶,无人机领域,具有结构简单,设计合理,小型化集成化,易于加工制造等诸多优点,并与CMOS工艺平台兼容。

    一种水转移铁电薄膜空间光调制器

    公开(公告)号:CN115657380A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211319182.X

    申请日:2022-10-26

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种水转移铁电薄膜空间光调制器,该调制器包括铁电薄膜层(2)、电源(3)和电极(4);其中,铁电薄膜层为块状,在铁电薄膜层上设有平行的两条电极,电源连接在平行的两条电极上;在铁电薄膜层的平面建立xyz坐标系,y轴为光传播方向,铁电薄膜层垂直于光束的光传播方向y轴方向放置,光束到达铁电薄膜层处,通过电极给薄膜施加电场产生极化,从而调制薄膜折射率。本发明采用水转移方法制备铁电薄膜层,不仅可以保留钛酸钡薄膜良好的铁电性、外延性和优异的柔韧性,且操作简单,成本低,具有广泛的应用前景。

    一种相位调制器的测试系统及测量方法

    公开(公告)号:CN113225126B

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202110509287.0

    申请日:2021-05-11

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种相位调制器的测试系统及测量方法,激光器产生一束激光经MZ干涉仪分为两路光信号;将上路光信号输入待测的相位调制器,待测的相位调制器由两个微波源产生的合路微波信号对光信号进行调制;将下路光信号输入移相器后,上下两路光信号合路后经过光电探测器转换为电信号,并得到对应的电谱图和功率参数,根据功率参数可以计算得到调制相位、调制系数及半波电压。本发明通过双源移相自外差的测量方法,能够完成对光电探测器响应度的消除实现自校准测量,有效提高了测量精度;同时,本发明设计的系统还能通过改变移相器移相值来测出相位调制器的调制相位,进而测得其线性度。

    一种相位调制器的测试系统及测量方法

    公开(公告)号:CN113225126A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN202110509287.0

    申请日:2021-05-11

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种相位调制器的测试系统及测量方法,激光器产生一束激光经MZ干涉仪分为两路光信号;将上路光信号输入待测的相位调制器,待测的相位调制器由两个微波源产生的合路微波信号对光信号进行调制;将下路光信号输入移相器后,上下两路光信号合路后经过光电探测器转换为电信号,并得到对应的电谱图和功率参数,根据功率参数可以计算得到调制相位、调制系数及半波电压。本发明通过双源移相自外差的测量方法,能够完成对光电探测器响应度的消除实现自校准测量,有效提高了测量精度;同时,本发明设计的系统还能通过改变移相器移相值来测出相位调制器的调制相位,进而测得其线性度。

    一种基于连续介质束缚态的二维材料电光调制器

    公开(公告)号:CN113093409A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110383230.0

    申请日:2021-04-09

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于连续介质束缚态的二维材料电光调制器,由下而上依次包括衬底层、硅光波导、电介质填充层、第一二维材料层、第二二维材料层、高分子聚合物限制层,还包括第一金属层、第二金属层。其中,高分子聚合物限制层位于硅光波导中央位置上方,用来限制硅光波导层中的光波传输。第一金属层与第二金属层分别沉积在第一二维材料层上方靠右侧和第二二维材料层上方靠左侧,第一二维材料层与第二二维材料层仅在高分子聚合物限制层下方重叠,以增强二维材料与光的相互作用,用来提高调制效率和速率。该器件极大简化调制器制作流程,并在对二维材料的耦合效果以及调制效率等方面较传统调制器有较大提高。

    一种基于机器学习的任意波形产生器及其设计方法

    公开(公告)号:CN118605018A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410646989.7

    申请日:2024-05-23

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于机器学习的任意波形产生器及其设计方法,任意波形产生器包括自下而上依次设置的硅衬底层、二氧化硅层和硅设计层,硅设计层的中间像素拓扑图案设计区域的像素拓扑图案采用基于机器学习的任意波形产生器逆向设计方法获得;方法包括:获取期望的波形产生器透射光谱,作为逆向预测多层感知器的输入,获得波形产生器设计区域的像素拓扑图案;其中,逆向预测多层感知器训练时,先对一正向仿真多层感知器进行训练,然后固定正向仿真多层感知器的参数,将逆向预测多层感知器与正向仿真多层感知器串联构建串联神经网络模型,对串联神经网络模型进行训练。相比于传统的机器学习光子学设计,本发明具有速度快、效率高、易于收敛等优点。

    一种材料载流子弛豫时间检测系统及方法

    公开(公告)号:CN114002573B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202111268481.0

    申请日:2021-10-29

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开一种材料载流子弛豫时间检测系统及方法,该系统可以检测材料的载流子的能量弛豫时间。该系统由光源、功分时延阵列模块、多路光检测模块及位置调节装置、数据处理模块组成。本发明还公开一种功分时延阵列模块结构,该模块由空心光子晶体光纤制备而成,包括光传输单元、功分单元、和时延阵列单元。相比现有的载流子弛豫时间检测方案,本系统可实现泵浦光斑内外的多点检测,由检测结果既可以得到带间弛豫时间,也可以提供有电场或无外加电场情况下的空间散射带内弛豫时间,同时提升了检测效率。

    一种基于连续域束缚态亚波长光栅跑道型谐振腔的传感器

    公开(公告)号:CN116026790A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202310003075.4

    申请日:2023-01-03

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明是一种基于连续域束缚态亚波长光栅跑道型谐振腔的传感器,器件结构自下而上依次为:第一层是本征硅衬底(1)、第二层是掩埋氧化物层(2)、第三层是氮化硅薄膜(3)、第四层是跑道型谐振腔(4),跑道型谐振腔包括跑道型微环(4.1)、总线波导(4.2)和光栅耦合器(4.3)。本发明在支持连续域束缚模式的波导上,通过设计周期小于光波长的亚波长光栅结构和跑道型谐振腔的参数,实现高品质因子的光限制传播,进一步应用为传感器。本发明具有高通量、高检测灵敏度、高品质因子、结构简单、易于制造等诸多优点,应用为折射率传感器或生物传感器可为快速、便携且具有成本效益的医学检测提供解决方案。

    一种黑磷薄膜铌酸锂探测器

    公开(公告)号:CN115394873A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202211018947.6

    申请日:2022-08-24

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种黑磷薄膜铌酸锂探测器,该探测器结构自下而上依次为:第一层是本征硅衬底(1)、第二层是掩埋氧化物层(2)、第三层是薄膜铌酸锂波导(3)、第四层是黑磷(4)、第五层是金属电极;其中,掩埋氧化物层直接在本征硅衬底上氧化生成;薄膜铌酸锂键合在掩埋氧化物层上通过刻蚀定义出纵向脊形的薄膜铌酸锂波导;黑磷横向覆盖在薄膜铌酸锂波导脊形的中段部分,通过范德华力与薄膜铌酸锂波导紧密连接;第一金属电极(5‑1)、第二金属电极(5‑2)分别覆盖在黑磷和薄膜铌酸锂波导脊的两边。本发明探测器具有高速、宽频、高响应、高集成度等特点,为片上光子集成电路的发展提供了解决方案。

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