公开(公告)号：CN115394873B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202211018947.6

申请日：2022-08-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 王俊嘉 ,  吴晓萱 ,  刘柳 ,  薛煜

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/12 ,  G02B6/136 ,  G02B6/13 ,  G02B6/122 ,  H10K39/30

Abstract: 本发明公开了一种黑磷薄膜铌酸锂探测器，该探测器结构自下而上依次为：第一层是本征硅衬底(1)、第二层是掩埋氧化物层(2)、第三层是薄膜铌酸锂波导(3)、第四层是黑磷(4)、第五层是金属电极；其中，掩埋氧化物层直接在本征硅衬底上氧化生成；薄膜铌酸锂键合在掩埋氧化物层上通过刻蚀定义出纵向脊形的薄膜铌酸锂波导；黑磷横向覆盖在薄膜铌酸锂波导脊形的中段部分，通过范德华力与薄膜铌酸锂波导紧密连接；第一金属电极(5‑1)、第二金属电极(5‑2)分别覆盖在黑磷和薄膜铌酸锂波导脊的两边。本发明探测器具有高速、宽频、高响应、高集成度等特点，为片上光子集成电路的发展提供了解决方案。

公开(公告)号：CN115394873A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211018947.6

申请日：2022-08-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 王俊嘉 ,  吴晓萱 ,  刘柳 ,  薛煜

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0264 ,  G02B6/136 ,  G02B6/13 ,  G02B6/122 ,  H01L27/30

Abstract: 本发明公开了一种黑磷薄膜铌酸锂探测器，该探测器结构自下而上依次为：第一层是本征硅衬底(1)、第二层是掩埋氧化物层(2)、第三层是薄膜铌酸锂波导(3)、第四层是黑磷(4)、第五层是金属电极；其中，掩埋氧化物层直接在本征硅衬底上氧化生成；薄膜铌酸锂键合在掩埋氧化物层上通过刻蚀定义出纵向脊形的薄膜铌酸锂波导；黑磷横向覆盖在薄膜铌酸锂波导脊形的中段部分，通过范德华力与薄膜铌酸锂波导紧密连接；第一金属电极(5‑1)、第二金属电极(5‑2)分别覆盖在黑磷和薄膜铌酸锂波导脊的两边。本发明探测器具有高速、宽频、高响应、高集成度等特点，为片上光子集成电路的发展提供了解决方案。