公开(公告)号：CN115826274A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211319493.6

申请日：2022-10-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 王俊嘉 ,  陶梦雪 ,  董国华

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G02F1/05 ,  G02F1/21

Abstract: 本发明公开了一种水转移铁电薄膜硅基波导调制器。以钛酸钡材料为例，水转移法是通过将生长的铝酸锶/钛酸锶异质结浸入去离子水中溶解铝酸锶层以获得钛酸钡层，再转移到硅基波导调制器上。目前已有的钛酸钡硅基波导调制器多是基于在氧化层钛酸锶上外延沉积钛酸钡的方法制备钛酸钡，对比于现有的氧化缓冲层制备钛酸钡薄膜的方法，采用水转移的方法可以制备得到具良好铁电性和外延性、优异的柔韧性的高质量钛酸钡薄膜并使其无损转移到衬底上。发明中列举一个钛酸钡电光硅基波导调制器的实施例，可以发现，采用水转移方法制备的钛酸钡用于硅基波导调制器中可以得到具有优异电光性能的调制器，证明了水转移钛酸钡方法用于调制的可行性和高效性。

公开(公告)号：CN115657380A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211319182.X

申请日：2022-10-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 王俊嘉 ,  陶梦雪 ,  董国华

IPC: G02F1/135

Abstract: 本发明公开了一种水转移铁电薄膜空间光调制器，该调制器包括铁电薄膜层(2)、电源(3)和电极(4)；其中，铁电薄膜层为块状，在铁电薄膜层上设有平行的两条电极，电源连接在平行的两条电极上；在铁电薄膜层的平面建立xyz坐标系，y轴为光传播方向，铁电薄膜层垂直于光束的光传播方向y轴方向放置，光束到达铁电薄膜层处，通过电极给薄膜施加电场产生极化，从而调制薄膜折射率。本发明采用水转移方法制备铁电薄膜层，不仅可以保留钛酸钡薄膜良好的铁电性、外延性和优异的柔韧性，且操作简单，成本低，具有广泛的应用前景。