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公开(公告)号：CN101740298A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910207951.5
申请日：2009-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32477
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其构成部件，该等离子体处理装置的构成部件能够防止沉积物在角部堆积。在利用等离子体对晶片(W)实施干蚀刻处理的等离子体处理装置(10)所具备的上部电极(33)的外侧电极(33b)，内周部(33c)和倾斜面(33d)所成的角部(33e)的角度(θ1)是140°，槽(41)的底面(41a)和倾斜面(41b)所成的角部(41c)的角度(θ2)是125°，槽(41)的底面(41a)和倾斜面(41d)所成的角部(41e)的角度(θ3)是125°，槽(41)的底面(41a)的宽度是鞘层长度的2倍以上。
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公开(公告)号：CN1531012A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410008444.6
申请日：2004-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C14/40 , C23C16/513
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32082
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，包括施加第一高频电力的上部电极(12)、施加第二高频电力的下部电极(13)和调节该两电极(12、13)的间隔的升降机构(14)，在使用在上部电极(12)上施加第一高频电力进行等离子体点火的等离子体处理装置对下部电极(13)上的晶片(W)实施等离子体处理之际，至少在等离子体熄灭时，使上下两电极(12、13)的间隔设定得比等离子体处理时宽。
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公开(公告)号：CN117321740B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280029704.4
申请日：2022-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/44
Abstract: 一种基板处理装置的维护方法，所述基板处理装置具备腔室以及向所述腔室的内部供给处理气体的气体供给部，所述维护方法包括以下工序：工序(a)，从所述气体供给部向所述腔室的内部供给第一处理气体，来在所述腔室的内部的构件的表面形成保护膜；以及工序(b)，在所述工序(a)之后，将所述腔室的内部开放为大气气氛来进行所述基板处理装置的维护。
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公开(公告)号：CN117321740A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280029704.4
申请日：2022-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种基板处理装置的维护方法，所述基板处理装置具备腔室以及向所述腔室的内部供给处理气体的气体供给部，所述维护方法包括以下工序：工序(a)，从所述气体供给部向所述腔室的内部供给第一处理气体，来在所述腔室的内部的构件的表面形成保护膜；以及工序(b)，在所述工序(a)之后，将所述腔室的内部开放为大气气氛来进行所述基板处理装置的维护。
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公开(公告)号：CN115440562A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210576592.6
申请日：2022-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高对处理气体的耐腐蚀性的喷淋头、电极组件、气体供给组件、基片处理装置和基片处理系统。在一个例示性实施方式中，提供一种喷淋头，其为等离子体处理用的喷淋头，其特征在于：包括主体部，该主体部具有第一面、与第一面相反的一侧的第二面、和多个内侧面，多个内侧面界定从第一面到第二面贯穿主体部的多个气孔，第二面由第一耐腐蚀性材料构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100394543C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610007746.0
申请日：2006-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种气体供给部件和等离子体处理装置，能够不滞留气体地向腔室供给气体。作为气体供给部件的导入气体喷淋头(32)，在气体孔(35)与腔室相对部侧的外缘部上具有相对于气体孔(35)的中心轴有n次旋转对称性(n是2以上的自然数)的斜面(201)。斜面(201)相对于电极板空间相对面的倾角是20°。此外，配置气体孔(35)的直径为2mm，彼此的间隔为5mm。
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公开(公告)号：CN111799145A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010217971.7
申请日：2020-03-25
Applicant: 日本钨合金株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用部件、具备该部件的等离子体处理装置及烧结体的使用方法。等离子体处理装置用部件仅由碳化钨相构成，并且包含选自由Fe原子、Co原子及Ni原子构成的组中的至少一种原子，这些原子的含量的合计为30～3300原子ppm。
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公开(公告)号：CN110391141A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910316833.1
申请日：2019-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够减少附着于上部电极的沉积物的量或者从上部电极除去沉积物的等离子体处理方法。在一实施方式的等离子体处理方法中，将电容耦合型等离子体处理装置的上部电极冷却。在等离子体处理装置的腔室内，设置有包含下部电极的支承台。上部电极设置于支承台的上方。在冷却上部电极的期间，利用在腔室内生成的等离子体来蚀刻基片的膜。在蚀刻膜的期间，基片载置于支承台上。在执行蚀刻的期间，对上部电极施加负极性的偏置电压。
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公开(公告)号：CN102693892B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201210080267.7
申请日：2012-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 村上贵宏
IPC: H01J37/04 , H01J37/305 , H01L21/3065 , B08B7/00
CPC classification number: H01J37/32862 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32009 , H01J37/32495 , H01J37/32587 , H01J37/3288 , H01J2237/022
Abstract: 本发明提供一种技术，通过该技术，在对基板进行等离子体处理的装置中，当不使用仿真基板地利用等离子体来进行清洁时，能够抑制载置台表面的损伤。在等离子体蚀刻处理后，在使基座(3)的表面露出的状态下，利用等离子体(P)来对等离子体蚀刻装置的真空容器(1)的内部进行清洁，并除去附着于真空容器(1)的内部的反应生成物(A)。此时，对等离子体(P)施加直流电压。由此，能够得到高密度的等离子体(P)并且降低该等离子体(P)的离子能量，因此能够进行良好的清洁并且抑制基座(3)表面的损伤。
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公开(公告)号：CN102693892A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210080267.7
申请日：2012-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 村上贵宏
IPC: H01J37/04 , H01J37/305 , H01L21/3065 , B08B7/00
CPC classification number: H01J37/32862 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32009 , H01J37/32495 , H01J37/32587 , H01J37/3288 , H01J2237/022
Abstract: 本发明提供一种技术，通过该技术，在对基板进行等离子体处理的装置中，当不使用仿真基板地利用等离子体来进行清洁时，能够抑制载置台表面的损伤。在等离子体蚀刻处理后，在使基座(3)的表面露出的状态下，利用等离子体(P)来对等离子体蚀刻装置的真空容器(1)的内部进行清洁，并除去附着于真空容器(1)的内部的反应生成物(A)。此时，对等离子体(P)施加直流电压。由此，能够得到高密度的等离子体(P)并且降低该等离子体(P)的离子能量，因此能够进行良好的清洁并且抑制基座(3)表面的损伤。
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