-
公开(公告)号：CN101046638A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091340.X
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 麻生丰
IPC: G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67063
Abstract: 提供一种在溶解光致抗蚀剂形成期望抗蚀剂图形的回流处理中，能够形成具有充分膜厚均匀性的抗蚀剂图形，并能抑制效率下降的基板处理装置以及基板处理方法。其包括：温度调节板(11)，载置基板(G)，并用于将基板载置面的温度作为规定温度对基板温度进行调整；将光致抗蚀剂的溶剂气氛供给至腔室(10)内的溶剂气氛供给部件(14～18)；检测腔室(10)内的气氛温度的温度检测部件(23)；以及在控制温度调节板(11)的设定温度的同时而输入有气氛温度检测部件(23)的检测温度的控制部件(24)，其中，控制部件(24)比较所设定的温度调节板(11)的温度与由气氛温度检测部件(23)检测的气氛温度，并根据该比较结果控制温度调节板(11)的设定温度。
-
公开(公告)号：CN101030044A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710086123.1
申请日：2007-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/26 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，该方法在溶解抗蚀剂图形、形成所希望的图形的回流处理中，能够防止发生断线等不良问题，对于希望遮掩的规定区域能够有效地形成具有充分的均匀性的图形。其包括从具有厚膜部和薄膜部的抗蚀剂图形(206)，利用再显影处理除去薄膜部的步骤；和溶解由上述再显影处理在基底膜(205)上形成的抗蚀剂(206)，使之通过形成在基底膜(205)的边缘部上的台阶部(205a)，遮掩规定区域(Tg)的步骤，在遮蔽规定区域(Tg)的步骤中，在基底膜(205)上，在第一溶解速度模式下，溶解上述光致抗蚀剂(206)，在所溶解的光致抗蚀剂到达台阶部(205a)后，在溶解速度比第一溶解速度模式慢的第二溶解速度模式下，溶解上述光致抗蚀剂(206)。
-
公开(公告)号：CN113741156A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110539078.0
申请日：2021-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明提供能够抑制基片的产品缺陷的显影处理装置和显影处理方法。实施方式的显影处理装置包括运送机构、送入部、显影部和气体供给部。运送机构平流地运送抗蚀剂膜的一部分被曝光了的基片。送入部能够供基片送入。显影部具有显影液供给嘴，该显影液供给嘴对由运送机构从送入部运送的基片的表面供给显影液。气体供给部设置在送入部，向显影液供给嘴倾斜地供给气体。
-
公开(公告)号：CN110556311A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910432528.9
申请日：2019-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种提高热处理时的基片温度的均匀性的技术。实施方式的基片处理装置包括输送机构、第一热处理部、第二热处理部和排气机构。输送机构平流地输送基片。第一热处理部对被平流地输送来的基片进行热处理。第二热处理部与第一热处理部连续地设置，对由第一热处理部进行了热处理的基片以比第一热处理部低的温度进行热处理。排气机构从第一热处理部的上方进行排气，以使得空气从比第一热处理部靠基片的输送方向的上游侧和第二热处理部侧流向第一热处理部内。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100474510C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200710091353.7
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 麻生丰
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , H01L21/308 , H01L21/3213 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L29/41733 , H01L29/66765
Abstract: 本发明涉及一种因为可在抗蚀剂再流平处理中，高精度控制已软化抗蚀剂的流动方向和流动面积，所以可用于布图形成、液晶显示装置用TFT元件的制造的技术。实施再流平处理的抗蚀剂(103)面临目标区域(S1)侧的下端部(J)比下层膜(102)的端部更向目标区域(S1)侧伸出，形成外伸形状。通过使抗蚀剂(103)的下端部(J)比下层膜(102)更突出，可避免产生抗蚀剂(103)的停滞，使软化的抗蚀剂迅速向目标区域(S1)流动。且作为促进抗蚀剂(103)向目标区域(S1)流动的反作用，抗蚀剂(103)向禁止区域(S2)的流动受到抑制，未到达禁止区域(S2)即停止变形。
-
公开(公告)号：CN101231947A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810003524.0
申请日：2008-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/00 , G03F7/40
Abstract: 本发明涉及回流处理方法以及TFT的制造方法。以源电极用抗蚀剂掩膜(210)(漏电极用抗蚀剂掩膜(211))的单位长度L平均的体积V1相对布线用抗蚀剂掩膜(231)的单位长度L平均的体积V2为1.5～3倍的方式设定线宽W1以及W2，由此，可确保源电极用抗蚀剂掩膜(210)(漏电极用抗蚀剂掩膜(211))进行变形而得到的变形抗蚀剂(212)的线宽W3为充分覆盖凹部(220)的宽度，并且，将布线用抗蚀剂掩膜(231)变形而得到的变形抗蚀剂(232)的线宽W4抑制得很小。
-
公开(公告)号：CN101221900A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810002678.8
申请日：2008-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 在软溶处理单元(REFLW)(50)中，使辊(51)旋转，在X方向上输送基板(G)，基板(G)通过中空筒状的软溶处理器(53)的内部时，将包含溶剂的气体从溶剂供给部(55)的溶剂供给口(69)朝向基板(G)的表面供给，而且，从溶剂吸入部(57)的溶剂吸入口(75)吸入所供给的气体。向软溶处理空间(S)排出的包含溶剂的气体形成朝向溶剂吸入口(75)的单方向的流动，软溶处理空间的气氛中的溶剂被基板(G)表面的抗蚀剂吸收，由此，抗蚀剂软化而流动化，形成变形抗蚀剂图案。
-
公开(公告)号：CN101038448A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710101648.8
申请日：2007-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G03F7/40 , G02F1/1303 , H01L21/0273 , H01L29/66765 , H01L29/78603
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，能够在腔室内溶解光致抗蚀剂图形而形成所希望抗蚀剂图形的回流处理中，抑制随腔室内溶剂气氛的置换抗蚀剂图形的变形，防止图形不合格的发生。包括：将腔室(10)内的气压从基准压力减压到比该基准压力低的第一目标压力P1的步骤；将溶剂气氛导入到腔室内、使腔室(10)内的气压返回到基准压力的步骤；由溶剂气氛溶解腔室(10)内的光致抗蚀剂图形的步骤；和将腔室(10)内减压到设定为比所述基准压力并且比所述第一目标压力P1高的第二目标压力P2，排出腔室(10)内的溶剂气氛的步骤。
-
公开(公告)号：CN210156353U
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201920746442.9
申请日：2019-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本实用新型提供一种容易地测量基片温度的基片处理装置，其包括热处理部和温度测量部。热处理部对被平流地输送的基片进行热处理。温度测量部具有测量基片的温度的辐射温度计，并且能够相对于热处理部拆装。另外，温度测量部包括能够相对于上述热处理部拆装的安装部，该安装部与辐射温度计隔开间隔且具有透射红外线的透射窗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.022 seconds)
