公开(公告)号：CN104066871B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201380006555.0

申请日：2013-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷川敏夫 ,  多田国弘 ,  山崎英亮 ,  大卫·L·奥梅亚拉 ,  格利特·J·莱乌辛克

IPC: C23C16/42

CPC classification number: H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

Abstract: 提供了一种用于在衬底上形成金属硅化物层的方法。根据一个实施方案，该方法包括：将衬底设置在处理室中；以第一衬底温度将衬底暴露于由包含金属前体的沉积气体生成的等离子体，其中等离子体暴露以自限性过程在衬底上形成共形的含金属层。该方法还包括：以第二衬底温度将含金属层在不存在等离子体的条件下暴露于还原气体，其中将上述暴露步骤交替地进行至少一次以形成金属硅化物层，并且沉积气体不包含还原气体。该方法提供了在具有高深宽比的深沟槽中形成共形金属硅化物。

公开(公告)号：CN100477097C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200580001444.6

申请日：2005-01-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷川敏夫

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76867 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，重复进行1次以上由向在处理容器内被加热到成膜温度的半导体晶片供给TiCl4气体和NH3气体、通过CVD形成由TiN构成的膜的第一步骤、和停止供给TiCl4气体、供给NH3气体的第二步骤构成的循环，在半导体晶片上形成规定厚度的TiN膜，成膜时的半导体晶片的温度低于450℃，处理容器内的总压力高于100Pa，第一步骤中的处理容器内的NH3气体的分压为30Pa以下。

公开(公告)号：CN1777693A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480010609.1

申请日：2004-02-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷川敏夫

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明涉及一种在能真空抽吸的处理容器内在被处理体的表面形成金属氮化膜的方法。本发明的方法具备下述工序：向高成膜温度的处理容器内连续地供给惰性气体的工序；和在上述惰性气体的连续的供给工序中，向处理容器内间歇地供给金属源气体的工序。在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的供给期间中，在供给上述金属源气体的同时向处理容器内供给含氮还原气体。另外，在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的间歇期间中，在比该间歇期间短的期间向处理容器内供给上述含氮还原气体。在上述金属源气体的1次供给期间中形成的上述金属氮化膜的膜厚是60nm或以下。根据本发明，即使在比较高的温度下进行成膜处理，也能够堆积氯浓度低、电阻率也小、还抑制了裂纹发生的金属氮化膜。