公开(公告)号：CN112599414A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202010994040.8

申请日：2020-09-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸 ,  西出大亮

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够提高蚀刻处理中的选择比的基片处理方法、半导体器件的制造方法和等离子体处理装置。一个示例的实施方式的基片处理方法包括a)步骤和b)步骤。a)是将具有第一区域和第二区域的基片提供到腔室内的步骤。b)是通过从第一处理气体生成第一等离子体以在第一区域和第二区域上形成沉积膜的步骤。第一处理气体是包括含有碳原子及氟原子的第一气体和含有硅原子的第二气体的混合气体。

公开(公告)号：CN107078050B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201580060311.X

申请日：2015-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  胜沼隆幸 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H05H1/46

Abstract: 一个实施方式的方法包括：执行1次以上的流程的步骤；和使通过执行1次以上的流程形成的含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。1次以上的流程中的每个流程包括：通过生成包含碳氟气体但不包含氧气的处理气体的等离子体，在被处理体上形成含碳氟化合物膜的步骤；和利用含碳氟化合物膜所包含的碳氟化合物的自由基对第一区域进行蚀刻的步骤。在该方法中，交替反复执行1次以上的流程和使含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。

公开(公告)号：CN104867827A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510080883.6

申请日：2015-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北垣内圭二 ,  胜沼隆幸 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C23C2/006 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76897

Abstract: 本发明提供一种对由氧化硅构成的区域进行蚀刻的蚀刻方法。一技术方案的蚀刻方法包括以下工序：将具有由氧化硅构成的区域的被处理体暴露在含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的工序(a)，在该工序(a)中，对该区域进行蚀刻且在该区域上形成含有碳氟化合物的堆积物；以及利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对所述区域进行蚀刻的工序(b)，在该方法中，交替地重复执行工序(a)和工序(b)。

公开(公告)号：CN110391140B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201910292084.3

申请日：2019-04-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够提高第一区域相对于第二区域的蚀刻的选择性的方法。一实施方式的方法相对于基片的第二区域选择性地蚀刻基片的第一区域，其中，该第二区域由与第一区域的材料不同的材料形成。在该方法中，在基片上形成沉积膜。沉积膜利用从第一气体生成的等离子体所包含的化学种形成。接着，对形成有沉积膜的基片供给前体气体。由前体气体所包含的前体在基片上形成吸附膜，接着，对形成有沉积膜和吸附膜的基片供给来自由第二气体生成的等离子体的离子，使第一区域的材料与沉积膜所包含的化学种反应，来蚀刻第一区域。吸附膜用于降低第一区域的蚀刻期间的第二区域的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN114121648A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110947314.2

申请日：2021-08-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了一种在基片上形成膜的方法，该基片包括蚀刻层和在蚀刻层上形成的掩模。该方法包括：(a)在反应室中，将基片暴露于前体，以在蚀刻层中的凹槽的至少侧壁上设置前体粒子；(b)向反应室供应抑制剂气体和改性气体，以生成等离子体；以及(c)当在反应室中供应抑制剂气体和改性气体时，将侧壁上的前体粒子改性为保护膜。

公开(公告)号：CN113270315A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110067048.4

申请日：2021-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  新关智彦 ,  胜沼隆幸 ,  笹川大成 ,  中根由太 ,  石川慎也 ,  小野健太 ,  熊仓翔 ,  泷野裕辅 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够在基片内的区域的蚀刻中抑制掩模的开口的封闭的蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。例示的实施方式的蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN113169066A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980076470.7

申请日：2019-07-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  胜沼隆幸 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。

公开(公告)号：CN112509920A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202010914258.8

申请日：2020-09-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸 ,  本田昌伸 ,  中根由太 ,  石川慎也

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种利用容易与有机膜一起被去除的保护膜，来抑制因有机膜的等离子体蚀刻而导致的弓形歪曲的发生的蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统。在一个例示的实施方式中，提供了一种蚀刻方法。蚀刻方法包括对有机膜执行等离子体蚀刻的步骤(a)。在有机膜上形成有掩模。通过等离子体蚀刻在有机膜形成凹部。蚀刻方法还包括在划分出凹部的有机膜的侧壁面上形成有机保护膜。蚀刻方法还包括在步骤(b)之后执行对有机膜的进一步等离子体蚀刻的步骤(c)。

公开(公告)号：CN111261514A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201910857745.2

申请日：2019-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  户村幕树 ,  熊仓翔

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种基片处理方法，提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。

公开(公告)号：CN110544628A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910444639.1

申请日：2019-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种方法，其能够不封闭膜的开口，而面内均匀地形成保护侧壁面不受对膜进行蚀刻的化学种的影响的保护区域。在例示的实施方式的对膜进行蚀刻的方法中，在膜上形成前体的单分子层。膜具有用于形成开口的侧壁面和底面。利用化学种对膜进行蚀刻，该化学种来自从处理气体形成的等离子体。在对膜进行蚀刻期间，利用来自等离子体的化学种或来自等离子体的其他化学种，从单分子层形成保护区域。