公开(公告)号：CN101490818A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027573.1

申请日：2007-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  池田太郎 ,  波多野达夫

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、计算机程序以及存储介质，可以制造出能够抑制有机杂质层的形成并且铜膜与成为衬底的金属之间的密接性良好的半导体装置。将表面被由钛等氧化倾向高的金属构成的隔离金属层(衬底膜)(13)所覆盖的基板(晶片W)载置在处理容器内。在开始供给水蒸气的同时或者之后，供给由铜的有机化合物(例如Cu(hfac)TMVS)构成的原料气体，在通过水蒸气而形成有氧化物层(13a)的隔离金属层(13)的表面形成铜膜。接着，对该晶片(W)实施热处理，使氧化物层(13a)转化成构成隔离金属层(13)的金属和铜的合金层(13b)。

公开(公告)号：CN101432459A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780014788.X

申请日：2007-04-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐久间隆 ,  横山敦 ,  池田太郎 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。将表面形成有凹部的被处理体(例如，半导体晶片(W)等)载置于设置在能够抽真空的处理容器(24)的内部的载置台(34)。之后，在处理容器(24)的内部产生等离子体，在该处理容器(24)的内部，通过上述等离子体使金属靶(70)离子化并生成金属离子。而且，向载置台(34)供给偏置电力，通过该供给的偏置电力将上述金属离子引至载置在上述载置台(34)上的上述被处理体，由此，在包括上述凹部内的表面的上述被处理体的表面上形成薄膜。在本发明中，使偏置电力的大小在上述被处理体的表面实质上不被溅射的范围内变化。

公开(公告)号：CN100472724C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200480028499.1

申请日：2004-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 松田司 ,  池田太郎 ,  波多野达夫 ,  立花光博 ,  山崎英亮 ,  格特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  约翰·J·尤尔坎斯

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: 本发明提供了一种利用连续流沉积工艺来沉积具有良好表面形貌的金属层的方法，该方法包括使处理室中的衬底交替暴露于金属-羰基前驱气和还原气中。在暴露于金属-羰基前驱气过程中，通过热分解在衬底上沉积薄金属层，随后使该金属层暴露于还原气中以利于从该金属层中除去反应副产物。可以重复金属-羰基前驱气和还原气暴露步骤直到形成期望厚度的金属层。金属羰基前驱体例如可以选自W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6和Ru3(CO)12。

公开(公告)号：CN101044259A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580035907.0

申请日：2005-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木健二 ,  池田太郎 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  H01L23/52 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/2855 ,  C03C17/09 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/33 ,  C23C14/046 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种利用等离子体使金属靶(56)离子化，产生金属离子，利用偏置电力将金属离子引入到在处理容器内的载置台(20)上载置的被处理体(S)，使金属膜(74)沉积在形成有凹部(2)的被处理体上以填充凹部的方法。设定偏置电力，使得在被处理体表面，因金属离子的引入而产生的金属沉积速率和等离子体溅射蚀刻的蚀刻速率大致均衡。由此，能够向被处理体的凹部填充金属，而不会产生空隙等缺陷。

公开(公告)号：CN113937043A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110767249.5

申请日：2021-07-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 波多野达夫 ,  渡边直树

IPC: H01L21/677

Abstract: 本发明提供能够以简单的构造抑制从高温的基板向真空密封部、机构部的热的影响的真空输送装置和基板处理系统。在真空中输送高温的基板的真空输送装置包括：主体部，其包括真空密封部和在内部具有机构部的臂部；基板保持部，其与所述主体部连接，用于保持基板；热输送构件，其设于所述主体部的表面，由沿面方向的热导率比构成所述主体部的材料的沿面方向的热导率高的材料构成，用于输送从所述基板传递至所述基板保持部的热；以及散热部，其对在所述热输送构件中输送来的热进行散热。

公开(公告)号：CN112153771A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010566187.7

申请日：2020-06-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  渡边直树 ,  波多野达夫 ,  山本伸彦 ,  镰田英纪

IPC: H05B6/64 ,  H05B6/72

Abstract: 本发明提供一种加热装置、加热方法以及基板处理装置。对加热对象物进行加热的加热装置具备：加热构件，其包括电磁波吸收体，并且对加热对象物进行支承；电磁波照射部，其向加热构件的与支承加热对象物的面相反一侧的照射面照射电磁波；以及控制部。电磁波照射部具有：电磁波输出部，其输出电磁波；以及天线单元，其构成相控阵天线，天线单元具有多个天线模块，所述多个天线模块具有放射电磁波的天线以及调整从天线放射出的电磁波的相位的移相器，控制部控制多个天线模块的移相器，以使从多个天线放射出的电磁波的相位通过干涉而聚集于加热构件的任意的部分，并且控制部控制多个天线模块的移相器，以使电磁波的聚集部分在加热构件的照射面处扫描。

公开(公告)号：CN103031529A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210376114.7

申请日：2012-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水野茂 ,  户岛宏至 ,  五味淳 ,  宫下哲也 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455

Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置，其确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。以与载置于真空容器（2）内的晶片（10）相对的方式配置靶（31），并在该靶（31）的背面侧设置磁体排列体（5）。该磁体排列体（5）具有：内侧磁体组（54），其矩阵状地排列有磁体（61、62）；和返回用的磁体（53），其设置于该内侧磁体组（54）的周围，阻止电子的飞出。由此，在靶（31）的正下方，基于会切磁场引起的电子的漂移产生高密度的等离子体，另外，腐蚀的面内均匀性提高。因此，能够使靶（31）和晶片（10）接近进行溅射，能够确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。

公开(公告)号：CN101978477B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200980110270.5

申请日：2009-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  水泽宁 ,  多贺敏 ,  五味淳 ,  波多野达夫

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16

CPC classification number: C23C16/45559 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28562

Abstract: 一种成膜方法，其特征在于，使包含含羰基金属原料气体和含一氧化碳运载气体的处理气体，避开所述被处理基板表面而在比被处理基板的外周更靠直径方向上外侧的区域流动，从所述处理气体流使所述羰基金属向所述被处理基板表面扩散，在所述被处理基板表面进行金属膜的成膜。

公开(公告)号：CN102918633A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180027424.1

申请日：2011-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  佐久间隆 ,  波多野达夫 ,  横山敦 ,  五味淳 ,  安室千晃 ,  福岛利彦 ,  户岛宏至 ,  川又诚也 ,  水泽宁 ,  加藤多佳良

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。

公开(公告)号：CN102341902A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010695.1

申请日：2010-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  山本薰 ,  多贺敏 ,  安室千晃

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68785 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明涉及为了在能够真空排气的处理容器内，使用包含有机金属化合物的原料的原料气体在被处理体的表面形成薄膜而载置该被处理体的载置台结构。根据本发明的载置台结构，其特征在于，具备：载置台主体，载置被处理体并且在内部设置有加热器；和基台，以包围上述载置台主体的侧面和底面的状态支撑上述载置台主体，并且在内部设置有流通致冷剂的致冷剂通路，维持在低于原料气体的分解温度且在原料气体的凝固温度或液化温度以上的温度范围。