公开(公告)号：CN100440451C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200480040080.8

申请日：2004-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  森田治 ,  汤浅珠树 ,  小谷光司

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4411 ,  H01J37/32522 ,  H01L21/67069

Abstract: 在用于处理半导体装置制造用的基板的基板处理装置中，贯通作为冷却对象的处理容器(2)的一部分而形成雾流路(5)。设置有用于发生雾的雾发生器(64)和供给用于搬送发生的雾的运载气体的气体供给源(62)。利用温度传感器(49)检测出作为冷却对象的部位的温度。当检测温度高于规定温度时，在雾流路中例如流入水的雾，利用其汽化热来冷却处理容器。因此，能够快速降低处理容器的温度，在稳定的温度环境下进行等离子体处理。

公开(公告)号：CN107615446B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201680029129.2

申请日：2016-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 谷藤保 ,  汤浅珠树 ,  川上聪

IPC: H01L21/02

Abstract: 处理系统具备1个以上的处理单元(20)。各处理单元(20)具有多个处理腔室(22)和公用模块(30)。各处理腔室(22)使用所供给的处理气体来对被处理体进行处理。公用模块(30)包括对向多个处理腔室(22)分别供给的处理气体的流量进行控制的流量控制部(31)。多个处理腔室(22)在上下方向重叠地配置。公用模块(30)配置于多个处理腔室(22)中的、在上下方向相邻的两个处理腔室(22)之间。

公开(公告)号：CN100492600C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200480032469.8

申请日：2004-11-02

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  野泽俊久 ,  森田治 ,  汤浅珠树 ,  小谷光司

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

Abstract: 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。

公开(公告)号：CN100477091C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200680001198.9

申请日：2006-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  汤浅珠树

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供了一种处理装置的改良后处理容器的构造，该处理装置在金属制的筒体状处理容器内采用处理气体对被加热的半导体晶片等被处理体进行处理。处理容器(34)由在上下方向层积并相互连结的多个块体(80、82、84)而构成。邻接块体之间设置有真空隔热层(86、88)。由此，能够抑制各个块体间的热传导，并且能够对各个块体的温度进行分别控制，提高能量效率。

公开(公告)号：CN101061572A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200680001198.9

申请日：2006-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  汤浅珠树

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供了一种处理装置的改良后处理容器的构造，该处理装置在金属制的筒体状处理容器内采用处理气体对被加热的半导体晶片等被处理体进行处理。处理容器(34)由在上下方向层积并相互连结的多个块体(80、82、84)而构成。邻接块体之间设置有真空隔热层(86、88)。由此，能够抑制各个块体间的热传导，并且能够对各个块体的温度进行分别控制，提高能量效率。

公开(公告)号：CN1934684A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009363.0

申请日：2005-05-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  汤浅珠树

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明的课题在于提高基板处理装置的清洗效率。因此，使用基板处理装置，其包括：在内部保持被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给用于处理的气体的气体供给单元；设置在所述处理容器内的保持所述被处理基板的保持台；和将所述处理容器内的空间分为第一空间和第二空间的遮挡板，包括对所述第一空间进行排气的第一排气路径，和对所述第二空间进行排气的第二排气路径。

公开(公告)号：CN300781670D

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200730147469.9

申请日：2007-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 山下润 ,  汤浅珠树 ,  田才忠

Abstract: 后视图与主视图对称，故省略后视图；左视图与右视图对称，故省