载置台及电极部件
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111801779B

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN201980016960.8

    申请日:2019-07-08

    Abstract: 提供一种载置台,其用于放置被处理体及边缘环,该载置台包括:第一流路和第二流路,用于使流体在所述载置台的内部流动;分岔部,将所述第一流路的入口与所述第二流路的入口连接;汇合部,将所述第一流路的出口与所述第二流路的出口连接;以及部件,设置在所述分岔部或所述汇合部中的至少任意一者处,并且具有与所述第一流路和所述第二流路连通的开口部。

    载置台和等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN110473759B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN201910358583.8

    申请日:2019-04-30

    Inventor: 林大辅

    Abstract: 本发明提供一种载置台和等离子体处理装置。提供使载置台的弯曲刚性提高、并且使载置台相对于支承构件的拆装容易性提高的技术。一种载置台,其载置基板,具有静电卡盘和载置所述静电卡盘的静电卡盘载置板,该静电卡盘具有基板的载置面,所述静电卡盘和所述静电卡盘载置板利用多个第1紧固件从所述静电卡盘载置板侧紧固,所述载置台利用多个第2紧固件在所述载置面的径向外侧从所述静电卡盘侧紧固于设置在所述静电卡盘载置板的与所述静电卡盘相反的一侧的支承构件。

    载置台和等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN108091535B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201711165278.4

    申请日:2017-11-21

    Abstract: 本发明提供一种载置台和具有该载置台的等离子体处理装置。该载置台包括:被施加高频电力的基座;被施加高频电力的基座;设置在基座上,具有用于载置被处理体的载置区域和包围载置区域的外周区域的静电卡盘;设置在载置区域的内部的加热器;与加热器连接并延伸至外周区域的内部的配线层;在外周区域与配线层的接点部连接的供电端子;和导电层,其设置在外周区域的内部或者设置在位于外周区域之外的厚度方向上的其它区域,从外周区域的厚度方向看时与供电端子重叠。由此,能够提高沿着被处理体的周向的电场强度的均匀性。

    等离子体处理装置
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109104807A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201810645011.3

    申请日:2018-06-21

    Abstract: 本发明提供一种减少针对噪声的每个频率重新制作滤波器的功夫的等离子体处理装置。滤波器(102(1))具有空芯线圈(104(1))、外导体以及可动件(120(1)~120(4))。空芯线圈(104(1))具有固定的口径和固定的线圈长度。外导体为筒形,收容或包围空芯线圈(104(1)),与空芯线圈(104(1))组合而形成以多个频率进行并联谐振的分布常数线路。可动件(120(1)~120(4))配置于一个或多个有效区间内,用于变更空芯线圈(104(1))的各个卷线间隙,所述有效区间是在滤波器(102(1))的频率-阻抗特性中使特定的一个或多个并联谐振频率向高频区域侧或低频区域侧产生移位的区间。

    等离子体发生用电极和等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN101005727B

    公开(公告)日:2012-02-08

    申请号:CN200610147090.2

    申请日:2006-11-14

    Inventor: 林大辅

    Abstract: 本发明提供一种等离子体发生用电极。在与基板相对设置的、由金属基底和导体板构成的等离子体生成用电极中,没有导体板损坏的危险,确保金属基底和导体板的电导通和热传导在面内均匀性好的接合状态。该电极由如下材料构成:使金属例如硅含浸在由多孔陶瓷形成的母材例如碳化硅中,具备至少与基板的被处理面的整个面相对的接合面的金属基复合材料;和通过金属而熔融接合在该金属基复合材料的接合面上的由耐等离子体性的材料形成的导体板例如CVD-碳化硅。在这种情况下,使金属含浸在所述母材中时,通过该金属将导体板熔融接合在金属基复合材料上。

    基板处理装置
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101252079B

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200810003563.0

    申请日:2008-01-25

    Inventor: 林大辅

    CPC classification number: C23C16/54 C23C16/4401 C23C16/4411

    Abstract: 本发明提供一种能够减少部件的个数的基板处理装置。基板处理系统(10),具有对晶片(W)实施化学反应处理的第二处理模块(28),第二处理模块(28)具有收容晶片(W)的处理容器(33),和通过与处理容器(33)的上部接合而构成晶片(W)的处理室(腔室)的上盖(35),在上盖(35)的内部,形成导入氟化氢气体的气体导入孔(40),该气体导入孔(40),一端(40a)以与GDP36连接的方式形成,另一端(40b)以与气体导入孔(42)的另一端(42b)连接的方式形成,在处理容器(33)的内部,形成导入氟化氢气体的气体导入孔(42),该气体导入孔(42),一端(42a)以与从氟化氢气体的供给源导入氟化氢气体的气体导入管(43)连接的方式形成,另一端(42b)以与气体导入孔(40)的另一端(40b)连接的方式形成。

    等离子体处理装置及其部件和部件的寿命检测方法

    公开(公告)号:CN100453702C

    公开(公告)日:2009-01-21

    申请号:CN200610008225.7

    申请日:2006-02-16

    Inventor: 林大辅

    Abstract: 本发明目的是提供在等离子体处理装置中,难以产生以识别标志为起点的裂纹的部件,同时提供利用此识别标志可以检测部件寿命的方法。在装入基板(W)的处理容器(10)中生成等离子体,对基板(W)实施等离子体处理的等离子体处理装置(1)中,作为配置在处理容器(10)内的部件(17),在部件(17)的表面上带有识别标志(20、21),该识别标志(20、21)是将通过把多个在平面看具有大体圆形、纵断面形状大体为U字形的基点坑(22)并排所表示的记号进行一组或两组以上的组合而成。

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