公开(公告)号：CN118658825A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410610815.5

申请日：2019-01-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 元田公男 ,  小滨范史 ,  和田宪雄 ,  大森阳介 ,  菅川贤治

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种接合装置和接合方法，该接合装置具备：保持部，其在用于吸附基板的吸附面具有：外侧吸附部，其对所述基板的外周部进行吸附；以及内侧吸附部，其对所述基板的比所述外侧吸附部靠径向内侧的部分进行吸附；相对保持部，其与所述保持部相对配置，对所述基板以外的与所述基板接合的其他基板进行保持；移动部，其使所述外侧吸附部相对于所述内侧吸附部进行相对于吸附面的垂直方向上的移动；以及控制部，其控制所述外侧吸附部相对于所述内侧吸附部的移动，从而控制在吸附于所述吸附面的所述基板产生的应变。

公开(公告)号：CN112602168B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201980054018.0

申请日：2019-08-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小滨范史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 基于本公开的接合装置(41)的参数调整方法包括获取工序和参数变更工序。在获取工序中，从检查重合基板(T)的检查装置(31)获取表示重合基板(T)产生的变形的方向和程度的检查结果，所述重合基板(T)是通过利用接合装置(41)将第一基板(W1)和第二基板(W2)进行接合而形成的。在参数变更工序中，基于针对多个参数中的每一个参数的、表示变更了该参数的情况下的变形的方向和程度的变化倾向的趋势信息以及在获取工序中获取到的检查结果来变更多个参数中的至少一个参数，所述多个参数包括间隙、第一保持部(140)对第一基板(W1)的吸附压力、第二保持部(141)对第二基板(W2)的吸附压力以及撞针(190)对第一基板(W1)的按压力中的至少一方。

公开(公告)号：CN112236842A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201980038078.3

申请日：2019-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小滨范史 ,  石井贵幸

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/53 ,  H01L21/027 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304

Abstract: 处理基板的基板处理方法具有：改性工序，使用激光在至少所述基板的背面表层或所述基板的内部形成改性层；和表面处理工序，其在所述改性工序之后，在保持着所述基板的背面的状态下处理该基板的表面。改性装置具有向至少所述基板的背面表层或所述基板的内部照射激光而形成改性层的激光照射部。

公开(公告)号：CN111615739A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201980008852.6

申请日：2019-01-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 元田公男 ,  小滨范史 ,  和田宪雄 ,  大森阳介 ,  菅川贤治

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 一种基板处理装置，该基板处理装置具备：保持部，其在用于吸附基板的吸附面具有：外侧吸附部，其对所述基板的外周部进行吸附；以及内侧吸附部，其对所述基板的比所述外侧吸附部靠径向内侧的部分进行吸附；移动部，其使所述外侧吸附部相对于所述内侧吸附部进行移动；以及控制部，其控制所述外侧吸附部相对于所述内侧吸附部的移动，从而控制在吸附于所述吸附面的所述基板产生的应变。