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公开(公告)号：CN102256431B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110206162.7
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H05H1/46 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述电极施加第三高频电力的第三高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
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公开(公告)号：CN1984523B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200710004236.2
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 日向邦彦 , 大谷龙二 , 松本直树 , 矢野大介 , 速水利泰 , 杉本胜 , 小林典之 , 吉备和雄 , 大矢欣伸 , 山泽阳平 , 山崎广树 , 舆水地盐 , 齐藤昌司 , 岩田学 , 花冈秀敏 , 佐藤学
IPC: H05H1/24 , H05H1/02 , H01L21/306 , C23C16/00 , C23F1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和控制从所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置。
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公开(公告)号：CN102157372A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110092752.1
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN1983518B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200710004237.7
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 日向邦彦 , 大谷龙二 , 松本直树 , 矢野大介 , 速水利泰 , 杉本胜 , 小林典之 , 吉备和雄 , 大矢欣伸 , 山泽阳平 , 山崎广树 , 舆水地盐 , 齐藤昌司 , 岩田学 , 花冈秀敏 , 佐藤学
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
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公开(公告)号：CN1983518A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200710004237.7
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 日向邦彦 , 大谷龙二 , 松本直树 , 矢野大介 , 速水利泰 , 杉本胜 , 小林典之 , 吉备和雄 , 大矢欣伸 , 山泽阳平 , 山崎广树 , 舆水地盐 , 齐藤昌司 , 岩田学 , 花冈秀敏 , 佐藤学
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112349585A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010781745.1
申请日：2020-08-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01J37/305
Abstract: 一种蚀刻方法，其对高度不同的多个基底层的损伤进行抑制，同时将各基底层上的氧化硅膜蚀刻至不同深度。该蚀刻方法包括准备基板的工序，该基板具有高度不同的第一基底层和第二基底层、形成在第一基底层和第二基底层上的氧化硅膜、以及形成在氧化硅膜上并且具有第一基底层和第二基底层上方的第二开口的掩模；使用第一气体对氧化硅膜进行蚀刻，使第一基底层暴露的工序；使用第二气体使沉积物在第一基底层上沉积，同时对第二基底层上方的氧化硅膜进行蚀刻的工序；以及使用第三气体将沉积在第一基底层上的沉积物去除，同时对第二基底层上方的氧化硅膜进行蚀刻的工序，其中，将使用第二气体进行蚀刻的工序和使用第三气体进行蚀刻的工序重复多次。
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公开(公告)号：CN102157372B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110092752.1
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN1992164B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200610156578.1
申请日：2006-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在使用含硅的掩膜对被处理基板上的有机膜或非晶态碳膜进行蚀刻时，能够以高蚀刻速率和高蚀刻选择比进行蚀刻。在腔室(10)内支承晶片用的下部电极16上从第一高频电源(88)施加相对高频率的第一高频电，从第二高频电源(90)施加相对低频率的第二高频电，在与下部电极(16)相对配置的上部电极(34)上，从可变直流电源(50)施加直流电压，向腔室(10)内提供不含CF类气体的处理气体，进行等离子体化，使用含有硅的掩膜，对被处理基板上的有机膜或非结晶碳膜进行等离子体蚀刻。
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公开(公告)号：CN101546685A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910127092.9
申请日：2009-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32091
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，使得能够容易且自由地控制被处理基板上的电子密度或者工艺特性的分布特性。该电容耦合型等离子体处理装置在径方向上将上部电极分割成内侧上部电极(60)和外侧上部电极(62)这两个，从2个可变直流电源(80、82)将独立的第一和第二直流电压(VC、VE)同时施加在两个上部电极(60、62)上。通过适当选择这两个直流电压(VC、VE)的组合，能够在各种应用中提高等离子体工艺、蚀刻特性的均匀性。
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公开(公告)号：CN102270577B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110206176.9
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置，在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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