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公开(公告)号：CN102243987A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110114908.1
申请日：2011-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种维修性高、配置空间小的基板处理装置和基板处理系统。真空搬送室(4)具备搬送被处理体的基板S的基板搬送机构(41)，并且以俯视形状是五角形以上的多角形的方式由多个侧面包围。在上部具有盖体(52)的多个处理室(5a～5d)连接到所述多个侧面中除去在外侧具有维修区域(6)的侧面之外的侧面，盖体搬送机构(7)在所述处理室(5a～5d)与维修区域(6)之间搬送所述盖体(52)。
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公开(公告)号：CN101312143B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810099936.9
申请日：2008-05-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/00 , H01J37/32 , G02F1/1333
Abstract: 本发明提供一种能够减低喷镀膜的修复频率的载置台和使用这种载置台的等离子体处理装置。该载置台(3)在对基板(G)实施等离子体处理的处理腔室内载置基板，包括基材(5)和形成于基材上并且在其上载置有基板的载置部(6)，载置部(6)包括构成角部(6a)的陶瓷部件(43)和陶瓷喷镀膜(41)。
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公开(公告)号：CN101615574A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910149488.3
申请日：2009-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3213 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种处理装置。在内部具备以包围基板的方式配置的用于抑制方形基板的周边区域的负载效应的整流部件的载置台中，当对该基板进行蚀刻处理时，抑制由该蚀刻处理生成的生成物所造成的基板污染。在以包围基板的方式设置的整流部件的至少与该基板相对的面上配置多孔体。并且，通过使由基板蚀刻处理生成的生成物吸附在该多孔体的表面，提高生成物和整流部件的紧贴强度，抑制该生成物的脱落。
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公开(公告)号：CN101604610A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910146031.7
申请日：2009-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种腔室和处理装置，即使超过输送尺寸的界限也能够进行输送。该腔室包括：开放至少一个侧面(2b)、(2c)的长方体状的本体(2)；和自由装卸地安装在本体(2)的被开放的侧面(2b)、(2c)上的侧板(3a)、(3b)。
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公开(公告)号：CN101325169A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810125636.3
申请日：2008-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/00 , G02F1/1333
Abstract: 本发明提供一种载置台，其能够不引起屏蔽环那样的屏蔽部件的破损的危险性而减少由热膨胀差所引起的屏蔽部件和基材之间的间隙。在对基板(G)实施等离子体处理的处理腔室内载置基板的载置台(3)，包括：金属制的基材(5)；设置于其上的用于载置基板的载置部(6)；和以围绕上述载置部(6)和上述基材(5)的上部的周围的方式而设置的由绝缘性陶瓷构成的屏蔽部件(7)，上述屏蔽部件(7)被分割成多个分割片(7a)，并且具有以使上述分割片(7a)相互接近的方式施力的施力机构(50)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115213808B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210293100.2
申请日：2022-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板载置台的研磨方法和基板处理装置。抑制在基板载置台的加工时因切削负荷的影响使加工工具倾斜导致加工错移而产生台阶，抑制蚀刻斑的产生。基板载置台的研磨方法用于研磨作为基板载置台的上表面的基板载置面，该基板载置台包括基材、设于所述基材上的下层喷镀膜、以及设于电极层上的上层喷镀膜，该基板载置台的研磨方法具有以下工序：对所述上层喷镀膜和所述下层喷镀膜利用浸渍剂施加浸渍处理；对所述基板载置面利用磨削加工施加平坦化处理；以及遮蔽所述基板载置面的周缘部，对所述基板载置面的除周缘部以外的中央部施加粗糙化处理。
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公开(公告)号：CN115522181A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210681604.1
申请日：2022-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/54 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供提高生产率的成膜装置和成膜方法。成膜装置对基板进行ALD成膜，具备处理腔室，其具有：旋转滚筒，将基板保持于与旋转轴线平行的保持侧面；主体部，收纳旋转滚筒，具有：多个处理室，与保持侧面相对，具有与旋转轴线平行的方向成为长度方向的长条状的处理空间；排气部，配置到多个处理室的各个之间，多个处理室至少包括：原料气体吸附室，使原料气体吸附于基板；等离子体反应室，从反应气体生成与原料气体反应的等离子体，具备：框体；长条状的金属窗，由与保持侧面相对且在等离子体反应室的长度方向以第1间隔配置成直线状的多个分割窗构成，配置为在沿着长度方向延伸的边上以与框体之间具有比第1间隔宽的第2间隔；矩形线圈天线。
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公开(公告)号：CN107622945B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201710574737.8
申请日：2017-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
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公开(公告)号：CN109216148B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201810735553.X
申请日：2018-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种在对多个被处理基板同时进行等离子体处理时，能够抑制施加于载置被处理基板的电极部的高频电力对于周围部件的影响的等离子体处理装置。等离子体处理装置利用等离子体形成部将供给到处理空间的处理气体等离子体化，被施加高频电力的第一电极部，构成用于载置一个被处理基板的第一基板载置面。另外，被施加高频电力的金属制的第二电极部，设置在与上述第一电极部离开且相邻的位置，构成用于载置另一被处理基板的第二基板载置面。在包围第一基板载置面、第二基板载置面这两者的周围的位置，设置有陶瓷制的环部，在该位置的环部的下表面侧，设置有由介电常数比上述陶瓷低的电介质构成的电介质部件。
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公开(公告)号：CN111952141A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010377365.1
申请日：2020-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置，能抑制排气口附近的异常放电。包括：处理容器、载置台、气体供给机构、排气机构、等离子体生成机构以及偏压电力供给机构。处理容器收纳基板。载置台设于处理容器内，载置基板。气体供给机构向处理容器内供给处理气体。排气机构经由排气管将处理容器内的气体排出。等离子体生成机构使供给到处理容器内的处理气体等离子体化从而在处理容器内生成等离子体。偏压电力供给机构向载置台供给偏压用的高频电力。在与处理容器的壁部连接的排气管的排气口设有网构件，该网构件由导电性的构件构成，并与接地电位连接。网构件形成有在网构件的厚度方向上贯通的多个贯通孔。网构件的厚度与各贯通孔的开口的宽度之比为0.67以上。
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