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公开(公告)号：CN104471727A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201480001069.4
申请日：2014-04-30
Applicant: 世迈克琉明有限公司
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/36 , H01L33/38
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个半导体层；接触区域，其中，通过部分去除第二半导体层和有源层，而露出第一半导体层；非导电反射膜，该非导电反射膜适于覆盖第二半导体层和接触区域，以向生长基板一侧上的第一半导体层反射来自有源层的光；指状电极，该指状电极在非导电反射膜与多个半导体层之间延伸；电连接部，该电连接部适于穿过非导电反射膜并且与指状电极电连接；以及直连型电连接部，该直连型电连接部适于穿过非导电反射膜并且与多个半导体层电连接。
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公开(公告)号：CN104011887A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201380004181.9
申请日：2013-07-18
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/504 , H01L2224/14 , H01L2933/0025
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，包括：第一电极，第一电极用于向多个半导体层提供电子或电子空穴；第二电极，第二电极用于向多个半导体层提供第一电极不提供的空穴或电子空穴；荧光材料部，荧光材料部设置在作为生长衬底侧的第一半导体侧，用于将从有源层中产生的具有第一波长的光转换成具有第二波长的光；以及不导电反射膜，不导电反射膜被形成在第二半导体层的顶部上，用于从有源层向在生长衬底侧的第一半导体侧反射光，其中，不导电反射膜具有基于经荧光材料部转换的光设计的分布式布拉格反射器。
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公开(公告)号：CN108389946B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201810324277.8
申请日：2014-10-13
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其包括，多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，且包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；第一电极部，其与第一半导体层电气连通；第二电极部，其与第二半导体层电气地连通；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，并且通过蚀刻而减小高度差的露出面构成开口的上缘边，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极、电连接器及上部电极。
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公开(公告)号：CN106571418B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201610112045.7
申请日：2016-02-29
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 半导体发光装置。公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：主体，其具有将至少一个孔形成在其中的底部、侧壁，以及由所述底部和所述侧壁限定的腔；半导体发光芯片，其放置在每一个孔中，并且包括多个半导体层，所述多个半导体层适于通过电子‑空穴复合和电连接至所述多个半导体层的电极来生成光；以及包封构件，该包封构件被至少设置至所述腔，以覆盖所述半导体发光芯片，其中，所述半导体发光芯片的所述电极朝着所述主体的所述底部的下表面露出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106415859B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201580029434.7
申请日：2015-06-03
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，其包括具备第一导电性的第一半导体层、具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层及介于第一半导体层与第二半导体层之间，通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；电极，其与多个半导体层电连接；光吸收防止膜，其至少设于电极的周边；及非导电性反射膜，其覆盖多个半导体层、光吸收防止膜及电极，反射来自有源层的光，具备通过光吸收防止膜与电极之间的高度差而在电极的周边反射率下降的异常区域，在从电极的横截面观察时，从电极露出的光吸收防止膜比异常区域更长，以阻断来自有源层的光入射到非导电性反射膜的异常区域侧。
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公开(公告)号：CN108565323A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810343147.9
申请日：2013-07-18
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，所述多个半导体层包括第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层；向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个的第二电极；不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有双层结构，该双层结构包括通过化学气相沉积法形成的分布式布拉格反射器和通过物理气相沉积形成的电介质膜；以及多个连接件，所述多个连接件位于所述不导电反射膜的下面，与所述第一电极和所述第二电极中的一个电连通。
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公开(公告)号：CN103946994A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201380003999.9
申请日：2013-01-14
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/382
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：多个半导体层，其是使用生长基板按顺序生长的；第一电极，其用于向第一半导体层提供电子和空穴中的一种；非导电反射膜，其形成在第二半导体上，以将光从有源层反射到作为生长基板侧的第一半导体层侧；以及分支电极，其形成在所述多个半导体层和所述非导电反射膜之间，延伸以向所述第二半导体层提供其它的电子和空穴，与所述第二半导体层连通，分支电极设置有电连接件，以被提供其它的电子和空穴。
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公开(公告)号：CN108475715B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201780005645.6
申请日：2017-01-05
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体发光元件，其特征在于，该半导体发光元件包括：多个半导体层，它们包括具备第1导电性的第1半导体层、具备与第1导电性不同的第2导电性的第2半导体层及介于第1半导体层与第2半导体层之间并通过电子和空穴的复合来生成光的有源层；绝缘层，其形成在多个半导体层上，并包括开口；及电极，其形成在绝缘层上，并通过开口而与多个半导体层电连接，该电极具备上表面及下表面，上表面的面积小于下表面的面积，该半导体发光元件为倒装芯片。
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公开(公告)号：CN105637658B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201480056016.2
申请日：2014-10-13
Applicant: 世迈克琉明有限公司
IPC: H01L33/36
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长；第一电极部，其与第一半导体层电气连通，并提供电子和空穴中的一个；第二电极部，其与第二半导体层电气连通，并提供电子和空穴中的另一个；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极，其通过开口而露出至少一部分；上部电极，其形成在非导电性反射膜上；及电连接器，其贯穿开口而与下部电极接触，并与上部电极电气连通。
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