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公开(公告)号：CN101561636B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910051547.3
申请日：2009-05-19
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提出一种光刻曝光剂量控制装置与方法。光刻曝光剂量控制装置包括：测量单元；控制单元以及承载单元。测量单元，用于实时测量光强分布，并输出实测信号。控制单元，耦接测量单元，接收实测实测信号，进行运算并输出控制信号。狭缝刀片组，耦接控制单元，接收控制信号，并依据控制信号调整曝光区域大小。本发明的光刻曝光剂量控制装置与方法可以提高曝光区域内硅片表面的光刻剂量精度和重复性，克服由于非扫描方向光强分布不均造成的系统偏差，并且能极大地抑制由于设备老化造成的系统偏差。
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公开(公告)号：CN102081307A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910199446.0
申请日：2009-11-26
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明的光刻机曝光剂量控制方法包括以下步骤：步骤1，向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件；所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req；步骤2，光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析，选择偏好数学模型进行运算，得到剂量控制参数；步骤3，光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数，控制光刻机进行曝光。本发明的光刻机曝光剂量控制方法灵活性强，测试过程中，操作简单、直观。
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公开(公告)号：CN101561636A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910051547.3
申请日：2009-05-19
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提出一种光刻曝光剂量控制装置与方法。光刻曝光剂量控制装置包括：测量单元；控制单元以及承载单元。测量单元，用于实时测量光强分布，并输出实测信号。控制单元，耦接测量单元，接收实测实测信号，进行运算并输出控制信号。狭缝刀片组，耦接控制单元，接收控制信号，并依据控制信号调整曝光区域大小。本发明的光刻曝光剂量控制装置与方法可以提高曝光区域内硅片表面的光刻剂量精度和重复性，克服由于非扫描方向光强分布不均造成的系统偏差，并且能极大地抑制由于设备老化造成的系统偏差。
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公开(公告)号：CN105336877A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410367513.6
申请日：2014-07-29
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/56
Abstract: 本发明提出了一种激光扫描密封玻璃封装体的系统和方法，所述激光扫描模块能使激光快速的在玻璃料上进行周期性扫描，从而能够较均匀的同步加热玻璃料，改善现有技术封装过程中温度场分布不均匀的问题；在提出的激光扫描密封玻璃封装体的方法中激光器模块能够发出具有预定功率曲线的激光，从而可以根据预定功率曲线控制玻璃料的加热过程。进一步的，添加的温度测量模块能够测量和反馈玻璃料表面的实时温度，可以采用预设升温或者预设降温等方式使玻璃料依照预定的升温或者降温曲线进行加热或者冷却。
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公开(公告)号：CN102087476A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910200090.8
申请日：2009-12-08
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明要解决的技术问题是提供一种应用于光刻机曝光分系统的快门装置，包括：至少一片快门叶片；快门控制器，控制快门叶片的开闭；位置传感器，耦接于快门控制器与快门叶片，并提供快门叶片的移动位置信息给快门控制器；支架，位于快门控制器和位置传感器的下方，为音圈电机和所述位置传感器提供支撑；音圈电机由所述快门控制器控制运动；还包括音圈电机，位于支架上，耦接于快门控制器，由快门控制器控制运动；音圈电机驱动所述快门叶片运动，从而形成快门叶片的开闭动作。快门叶片的厚度为0.5mm至2mm。本发明的快门装置适用于大剂量曝光装置，可以同时实现薄胶和厚胶工艺，并且在保证快门速度的前提下增加高温环境下快门的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101510054B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910047214.3
申请日：2009-03-06
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种用于光刻设备的曝光控制系统及控制方法，所述曝光控制系统包括：主控单元；曝光系统控制单元，与所述主控单元电性连接；以及分控制模块，与所述曝光系统控制单元电性连接；所述曝光系统控制单元包括照明与投影物镜控制板以及与所述照明与投影物镜控制板电性连接的照明与传感器板，所述照明与投影物镜控制板接收所述主控单元下达的指令，通过所述照明与传感器板将所述指令传输至所述分控制模块，并通过所述照明与传感器板向所述主控单元反馈所述分控制模块动作执行情况的报告。所述控制系统结构紧凑、层次清晰、维护性强，减小了曝光控制系统实现的复杂程度。
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公开(公告)号：CN101308332B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810039958.6
申请日：2008-07-01
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种控制光刻曝光剂量的方法及其系统。本发明所提供的控制光刻曝光剂量的方法是利用多个脉冲的平均波动性低于曝光精度要求的特性，通过选择曝光的激光脉冲的个数来控制光刻曝光剂量精度，并进一步决定衰减率，最后进行曝光。使用该方法的控制光刻曝光剂量的系统主要包括激光器、衰减器、控制器以及能量传感器，系统具有结构相对简单的优点，并且结合其控制光刻曝光剂量的方法使用能大大提高光刻曝光剂量精度。
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公开(公告)号：CN103464900B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310360443.7
申请日：2013-08-16
Applicant: 上海大学 , 上海微电子装备有限公司
IPC: H01L33/48
Abstract: 激光密封方法及系统，产生平行激光；把所述平行激光转变成光束变大的形变激光；显示与封装材料形状相匹配的图案，所述形变激光通过所述图案形成匹配激光；所述匹配激光经过反射形成与封装材料形状相同的封装激光。通过对平行激光的光束进行扩大，得到形变激光；形变激光通过与封装材料形状相匹配的图案得到匹配激光，匹配激光经过反射形成封装材料形状相同的封装激光，垂直照射在封装材料上，同步加热，实现同步激光密封。
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公开(公告)号：CN103676483B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210319549.8
申请日：2012-09-03
Applicant: 上海微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于光刻曝光中的光强调节装置，包括：汞灯光源，位于灯室内，用于提供该光刻装置的光源；可动反射镜组，位于灯室出光口处，包括至少一个可动镜片，用于汇聚所述光源的散射光束；能量传感器，用于测量所述基底表面的光功率；控制器，用于信号检测、运算以及发送命令；所述控制器与所述汞灯光源、所述可动反射镜组以及所述能量传感器连接，所述汞灯光源发出的散射光束经所述可动反射镜组后进入所述后继光路。
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公开(公告)号：CN103293864B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210046182.7
申请日：2012-02-27
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及光刻机的技术领域，尤其涉及一种光刻曝光剂量的控制装置及控制方法，包括光源、可动刀片及镜头组，三者依次排列，所述光刻曝光剂量的控制装置还包括一设置在上述三者的光路中的可变衰减装置，所述可变衰减装置上排列设有若干通孔，所述若干通孔沿所述可变衰减装置的运动方向逐渐变化，当所述光源光强一定时，通过改变所述可变衰减装置自身的位置或角度使所述可变衰减装置的衰减率均匀变化，对所述光刻曝光剂量作补偿。本发明提供的光刻曝光剂量的控制装置及控制方法，能够降低汞灯电源控制器的设计复杂度，并可提高光刻曝光剂量精度。
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