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公开(公告)号：CN106252394A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610754922.0
申请日：2016-08-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种具有成分缓变有源层结构的氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法，属于薄膜晶体管器件技术领域。缓变结构氧化物有源层所采用结构为：ZnSnO/ZnSnO:X% HfO2/ZnSnO:Y% HfO2 其中（X
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公开(公告)号：CN105742498A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610225871.2
申请日：2016-04-13
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0562
Abstract: 本发明公开了一种具有复合有源层的双极型薄膜晶体管器件及其制备方法，依次由基板、栅极、绝缘层、无机半导体有源层、源极、漏极和有机半导体有源层构成底栅结构，源极和漏极形成同层源漏电极薄膜层，无机半导体有源层和有机半导体有源层位于源漏电极薄膜层两侧，从而形成双极型的薄膜晶体管器件的无机?有机复合结构有源层。本发明充分结合无机N型半导体材料丰富、迁移率较高且制备方法相对简单的优势和有机P型半导体材料种类比较多、迁移率较高且稳定性较好的优势，结合底栅顶接触结构的特点，很好地避免了有机薄膜晶体管刻蚀过程造成的损伤，合理地运用在双极型薄膜晶体管器件中，实现了N型和P型输出。
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公开(公告)号：CN101572273B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910050351.2
申请日：2009-04-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/283
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管器件。它包括基板、金属栅极层、第一绝缘层、有源层、金属源电极和漏电极层，在所述的有源层与金属源电极和漏电极层之间有一层第二绝缘层，它代替一般使用的欧姆接触层能起到降低源、漏电极和有源层中间的接触电阻的作用。由此可以降低器件制作过程中使用有毒气体和减少一道蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN118170709A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410377317.0
申请日：2024-03-29
Applicant: 上海大学
IPC: G06F15/167 , G06F13/16
Abstract: 本发明提供一种实现中央处理器与加速器集群直接共享的存储电路，包括串接的第1电路、第2电路和第3电路；第1电路包括依序串接的中央处理器‑外部请求仲裁模块、内存库请求片选模块和中央处理器‑加速器请求仲裁模块，及与中央处理器‑加速器请求仲裁模块连接的加速器请求交叉开关模块；第2电路为多内存库存储器模块；第3电路包括依序串接的中央处理器‑加速器响应仲裁模块、内存库响应片选模块和中央处理器‑外部响应仲裁模块，及与中央处理器‑加速器响应仲裁模块连接的加速器响应交叉开关模块；本发明基于多内存库、单端口存储、固定优先级仲裁、蝴蝶拓扑交叉开关互联和信号多路复用，降低CPU、加速器访问延迟，提高最大访问并行度。
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公开(公告)号：CN113013252A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110191415.1
申请日：2021-02-19
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/423 , H02N1/04
Abstract: 本发明提供了一种突触晶体管及其制备方法，属于突触晶体管技术领域。本发明提供了一种突触晶体管，包括自下而上依次设置的有源层、绝缘层、栅极、易失电子层、感应电极1、易得电子层、感应电极2和基板；所述有源层为长方体；所述绝缘层包覆于所述有源层顶面的中部和两个相对侧面的中部；所述栅极包覆于所述绝缘层的表面；所述有源层顶面的两端未包覆绝缘层的部分分别设有漏电极和源电极；所述栅极的上表面依次接触设置易失电子层和感应电极1；所述基板的下表面依次接触设置感应电极2和易得电子层；所述栅极和基板之间垂直设置有支撑柱，使易得电子层与感应电极1之间形成空隙。
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公开(公告)号：CN113013248A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110191424.0
申请日：2021-02-19
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H02N1/04
Abstract: 本发明提供了一种突触晶体管及其制备方法，属于突触晶体管技术领域。本发明提供的突触晶体管结构中栅极将绝缘层和有源层包裹起来，使得栅极电压能从各个方向对沟道电流进行控制，从而减小了沟道漏电流，降低了器件的功耗；本发明提供的突触晶体管与摩擦纳米发电机相结合，在使用时，外力按压基板，使得易失电子层和易得电子层发生相对滑动，摩擦发电，栅极存在了电信号，随着外力继续按压，漏电极与有源层接触，电路导通，沟道有电信号通过，实现了突触晶体管的自发电，进一步降低了器件的功耗。实验结果表明，本发明提供的突触晶体管的开关电流比为105，PPF(双脉冲易化)为1.87，漏电流为10‑9A。
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公开(公告)号：CN110200627A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910485695.X
申请日：2019-06-05
Applicant: 上海大学
IPC: A61B5/0492
Abstract: 本发明公开一种有源高密度电极阵列及其制备方法，涉及电极阵列技术领域，该有源高密度电极阵列包括多个有源电极单元，且有源电极单元是采用金属氧化物薄膜晶体管的光刻技术，将电极和有源放大电路集成在柔性有源电极基底上形成的；所有有源电极单元采用矩阵式纵横排布方式组成有源高密度电极阵列，且有源高密度电极阵列的行数和列数相同。本发明能够将信号进行初步放大后再进行传输，改善信号传输过程中噪声的问题，提高信号质量。同时，该有源高密度电极阵列采用阵列排布方式，实现多通道的采集。
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公开(公告)号：CN106098790A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610761105.8
申请日：2016-08-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , C23C14/34
CPC classification number: H01L29/786 , C23C14/34 , H01L29/0684 , H01L29/66742 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种具有含氮的氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法，属于薄膜场效应晶体管器件技术领域。含氮的氧化物的主要通过反应溅射、共溅射来实现，N元素相对总的摩尔百分比含量控制在0.1到3%之间。本器件依次由基板、栅极、绝缘层、含氮氧化物有源层、源极、漏极、钝化层构成。本发明能同时实现提升氧化物的电学性能和光照负偏压稳定性。另外，含氮氧化物的制备方法与现有的氧化物TFT制备工艺具有良好的兼容性，这样有效地节约了含氮氧化物TFT的制造成本。
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公开(公告)号：CN102222776B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110146234.3
申请日：2011-06-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种具有缓变结发光层结构的白光有机电致发光器件及其制备方法。本器件依次由ITO玻璃基板(1)、空穴注入层(2)、空穴传输层(3)、缓变结发光层(4)、电子传输层(5)、复合阴极(6)构成。各结构层均采用真空蒸发方法制备。在本发明中，白光有机电致发光器件发光层采用缓变结的结构，DPVBi:BCzVB:X%DCJTB/DPVBi:BCzVB:Y%DCJTB，其中X
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公开(公告)号：CN102222777A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110146271.4
申请日：2011-06-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种具有色度调节层的蓝光有机电致发光器件及其制备方法。本器件依次由ITO玻璃基板(1)、空穴注入层(2)、空穴传输层(3)、色度调节层(4)、发光层(5)、电子传输层(6)、复合阴极(7)构成。各结构层均采用真空蒸发方法制备。在本发明中，发光层为[TBADN:DSA-Ph]，在发光层和空穴传输层之间，插入一层超薄的色度调节层[DPVBi:BCzVB]。前者可产生高发光效率的天蓝光、后者可产生高色纯度的深蓝光，利用二者产生的色光合成蓝光。采用这种结构，可以有效地提高器件的色纯度，获得高效率、色彩饱和的蓝光有机电致发光器件。本发明具有工艺简单，成本低廉，易于产业化等诸多优点，可以在有机电致发光显示中得到广泛的应用。
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