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公开(公告)号：CN1792792A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510110736.5
申请日：2005-11-25
Applicant: 上海大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明涉及一种静磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法，属低温超导材料制备工艺技术领域。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；在套管法的基础上运用强度为1～100T(特斯拉)的静磁场；Mg和B粉末的原位自生反应温度在600～1000℃范围内。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。
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公开(公告)号：CN114180818B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202111452119.9
申请日：2021-12-01
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及了一种熔铸法制备复杂形状石英玻璃制品的方法，包括设备和原料准备、洗气、熔制石英玻璃、石英玻璃成型、在线热处理、脱模后处理步骤。本发明方法利用熔融石英的可塑性，通过对熔铸温度、升降温速率、压力以及退火温度等工艺参数的控制，一次成型制备出性能稳定、质量可靠的复杂形状石英玻璃制品，解决石英玻璃熔铸过程粘度大、成型难的问题，较传统工艺提高了制备效率，同时降低损耗率、减少原材料浪费，为复杂形状石英玻璃制品批量化、低成本、高效率的生产奠定基础。
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公开(公告)号：CN109511181B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201811078626.9
申请日：2018-09-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种铜导电电极的石墨烯电热膜及其制备方法，提供一种新型的铜导电电极的石墨烯电热膜，包括基底、覆盖于基底上的石墨烯导电薄膜、上层基底，石墨烯导电薄膜上表面靠近边缘两侧分别设有铜导电电极，铜导电电极与石墨烯导电薄膜接触的一面涂覆有一层石墨烯浆料，石墨烯导电基底和上层基底覆膜采用胶粘剂紧密连接。本发明在传统的铜导电电极表面涂覆一层石墨烯浆料，使得铜导电电极导电性能得到提升，将石墨烯涂覆的铜导电电极用胶粘剂胶贴在石墨烯热电膜的表面，其具有和传统采用银涂覆的铜导电电极的石墨烯热电膜一样良好的导电效果。与传统工艺相比，简化了印刷导电银浆的制备工艺，结构简单，操作易行，有利于产业化应用。
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公开(公告)号：CN114195368A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111550258.5
申请日：2021-12-17
Applicant: 上海大学
IPC: C03B20/00
Abstract: 本发明涉及一种高温熔铸法制备熔融石英制品的控压装置，熔铸腔顶部分别安装有传动电机、气压传感器，电机处安装压力杆，压力杆正下方设有样品台，样品台上加工出两端导通的石墨管，石墨管底部与真空室、真空泵相连，石墨管与真空室之间设有阀门，石墨管顶端与模具内相连，坩埚安装在操作台上，镕铸炉壁上的管道上设有气流控制器并与气瓶相连。通过上述设计，本发明装置将气体压力与电机压力相结合，共同作用于高温熔体，促进了高粘度石英熔体的流动成型、减少了熔铸过程中原料的挥发和气泡的形成。解决了传统石英熔铸过程中成型困难的问题，缩短生产周期，节约了生产成本，易于投入工业化生产。
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公开(公告)号：CN111036931A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911227943.7
申请日：2019-12-04
Applicant: 上大新材料(泰州)研究院有限公司 , 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种钨钴合金粉末的制备方法，采用掺杂和等离子体还原法制备小尺寸钨钴合金粉体。通过掺杂能够将不同元素及其氧化物均匀的分散于晶粒内部和晶界处，从而减小晶粒尺寸且提高致密性并且能够增强材料的硬度；再通过两步放电等离子烧结法对粉末前驱体进行烧结。由于等离子体具有温度高，等离子体炬体积大、能量密度高、传热和冷却速度快等特点，使得粉末在穿越等离子体时迅速吸热、融化，再在表面张力的作用下缩聚成球形，在极短的时间内冷却凝固形成球形度高，流动性好纯度高的金属合金粉末。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108163867A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810086327.3
申请日：2018-04-13
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64 , C01B35/04 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01B12/00
Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯原位包覆硼粉通过镁扩散法制备二硼化镁超导块材的方法，将氧化石墨烯水溶液、硼粉和去离子水混合均匀，得到硼粉与氧化石墨烯混合溶液；再将硼粉与氧化石墨烯混合溶液置入水热反应釜，通过水热反应使氧化石墨烯还原为石墨烯并与硼粉复合，将产物离心分离后取沉淀真空干燥，得到石墨烯原位包覆硼粉；再将石墨烯原位包覆硼粉制成所需形状前驱体块；再将前驱体块与镁粉一起装入铁管中密封后热处理，得到块状二硼化镁超导体。本发明通过可控的石墨烯复合工艺实现了石墨烯对硼粉的稳定复合，均匀包覆，避免了传统方法中石墨烯的收缩和团聚，再通过镁扩散法制备出晶界连接性好、具有大量石墨烯钉扎中心的致密二硼化镁块材。
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公开(公告)号：CN104617296A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510034181.4
申请日：2015-01-23
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种介孔碳包覆LiFePO4/C电极材料的制备方法。利用介孔碳作为水热反应基体，制备出LiFePO4/C复合材料。所制得的材料颗粒形成了一种同质结的介孔碳包覆结构：内层和外层为LiFePO4，中间为完整的碳层。这种碳包覆结构可以提高材料的电导率，同时在长时间的充放电过程中，还可以防止LiFePO4结构的坍塌，提高了材料的倍率循环性能。介孔碳的孔径限制作用可以防止LiFePO4的颗粒过分长大。该方法制备出的LiFePO4比表面积大、导电率高、比容量高、大倍率放电能力优异、多次循环放电结构稳定。另外，该方法具有原料来源广，价格低，耗能少，周期短，批次稳定性高等优点。
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公开(公告)号：CN102515275A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110365870.5
申请日：2011-11-18
Applicant: 上海大学
IPC: C01G45/02
Abstract: 本发明公开了一种以高锰酸盐、去离子水和盐酸为原料，采用水热法在金属锰基片上合成多层层状结构MnO2薄膜的方法。其特征在于薄膜的层状结构可控，通过调节合成条件可以得到双层和三层的层状结构MnO2薄膜，膜厚可由几微米变到几十微米；薄膜为多孔疏松结构，各层由尺寸不一的纳米片构成，纳米片垂直于基片排列，由纳米片构成的孔道直径从几十纳米到几百纳米不等；金属锰基片对薄膜生长的导向作用明显，有利于薄膜的生长，也有利于提高膜与基片的结合力。该法工艺简单、成本低、易于工业化，同时得到产物的结构新颖，具有作为超级电容器电极材料应用的潜力。
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公开(公告)号：CN102502782A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110365869.2
申请日：2011-11-18
Applicant: 上海大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 本发明涉及脉冲磁场下铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。
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