公开(公告)号：CN103280339A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310127655.0

申请日：2013-04-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱明原 ,  史涛涛 ,  聂林才 ,  殷利民 ,  薄伟强 ,  胡业旻 ,  李瑛 ,  金红明

IPC: H01G11/86

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 本发明涉及一种用于超级电容器的氧化铈电极的制备方法，具有以下步骤：a）将粒径小于1μm的二氧化铈粉末、导电剂和粘结剂按一定比例进行混合搅拌，其中导电剂含量为混合物总质量的10～20wt%，粘结剂含量为混合物总质量的10～20wt%；b）将混合物涂到集流体上，干燥后得到氧化铈电极。

公开(公告)号：CN103163004A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310091213.5

申请日：2013-03-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 胡业旻 ,  高志攀 ,  殷利民 ,  陈梦云 ,  李瑛 ,  朱明原

IPC: G01N1/32

Abstract: 本发明涉及一种中碳微合金钢高温形变条件下奥氏体晶界显示的方法。属于物理检测技术领域。步骤为：试样制备：高温变形后立即淬火，经粗磨、细磨、抛光，将抛光好的试样放入45℃的腐蚀剂中，腐蚀剂配方为：自来水60ml、苦味酸1.2~1.6g，洗发膏0.4~0.5g，二甲苯0.04~0.06ml，盐酸0.08~0.12ml，氢氟酸0.06~0.1ml，氯化铜8~10mg；腐蚀1~2min后，待试样表面变暗时取出，用酒精洗净，吹干；在显微镜下就可观察到较为清晰的原始奥氏体晶粒。此发明的优点在于解决了中碳微合金钢高温形变条件下无法清晰显示其奥氏体晶粒的问题，此发明实施简单、操作方便。