公开(公告)号：CN108689611B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201810554306.X

申请日：2018-06-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 曹萌 ,  别佳瑛 ,  尚艺 ,  靖佳贺 ,  吴创生 ,  尧科峰 ,  沈悦 ,  王林军

IPC: C03C17/34

Abstract: 本发明涉及一种片状C2ZnSnS4薄膜的制备方法，该方法是将1‑4mmol二水合氯化亚锡、1.5‑8mmol硫代乙酰胺加入到200ml去离子水的瓶子中，调节溶液pH=0.2‑1.0，将洗干净FTO垂直紧靠杯壁放入溶液中，将溶液放入到恒温磁力搅拌器中，在80‑90℃反应0.5‑2小时，将FTO取出，得到SnS纳米片薄膜，洗净、烘干；之后将0.8‑1.2mmol五水合硫酸铜、0.025‑0.04mmol氯化锌、4‑6mmol硫脲和生长好的SnS和15ml去离子水放入到反应釜中，在180℃反应10‑12h，反应物冷却，洗净、烘干；通过氮气退火得到Cu2ZnSnS4片状薄膜。本发明制备方法绿色环保且操作简单，所用前躯体材料成本低廉，制备的薄膜呈片状颗粒，且分布均匀，有利于提高其光电特性。

公开(公告)号：CN112103175A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010884690.7

申请日：2020-08-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  胡艳 ,  尚艺 ,  陈卓睿 ,  李洪伟 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜，采用射频磁控溅射方法，制备了表面均匀、成膜致密、结晶性好的钒掺杂n型氧化镓薄膜，与本征氧化镓薄膜相比，五族元素钒的掺杂提供了更多的载流子，显著提高了n型氧化镓薄膜的光电性能。本发明所制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜生长速度快，晶体质量高，导电性好，对于功率电子器件，日盲型紫外光探测器，气体传感器和薄膜晶体管等光电子领域具有重要意义和应用前景。