一种CZT辐照损伤模拟准确性的验证方法

    公开(公告)号:CN115410665A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202211011844.7

    申请日:2022-08-23

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉(CZT)辐照损伤模拟准确性的验证方法,所述基于SRIM软件的两个软件包去模拟研究CZT材料的辐照损伤的方法,使用机器学习建模得到回归曲线验证模拟结果的准确性,提高模拟计算速度。在离子投影射程分布数据集中,机器学习的线性回归模型比对数回归模型的拟合效果更好,在H离子和He离子的投影射程拟合中线性回归的决定系数都是大于0.98,而对数回归模型的决定系数都仅大于0.60。本发明方法对于能源、公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域,能源获取、安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

    SnS纳米管薄膜或SnS纳米棒薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109680314B

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN201910142133.5

    申请日:2019-02-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种SnS纳米棒/管薄膜的制备方法,沉积温度为10~18℃,湿度不高于50%。先将可溶性二价锡盐、硫代化合物依次加入去离子水或有机溶剂中,搅拌并加入柠檬酸或者柠檬酸盐,继续搅拌并加入酸调节溶液pH,使溶液澄清;再加入碱调节溶液pH至1.5,得到前驱体溶液;然后以FTO为工作电极,铂丝作为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极,在前驱体溶液中沉积,沉积过程中溶液进行间歇性搅拌,沉积后的SnS纳米薄膜用去离子水冲洗并烘干,控制沉积电压制得SnS纳米棒/管薄膜。本发明制备方法绿色环保操作简单且可严格控制操作的每一步,所用前驱体材料成本低廉,制备薄膜有利于提高其光电特性。

    SnS纳米管薄膜或SnS纳米棒薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109680314A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201910142133.5

    申请日:2019-02-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种本发明公开了一种SnS纳米棒/管薄膜的制备方法,沉积温度为10~18℃,湿度不高于50%。先将可溶性二价锡盐、硫代化合物依次加入去离子水或有机溶剂中,搅拌并加入柠檬酸或者柠檬酸盐,继续搅拌并加入酸调节溶液pH,使溶液澄清;再加入碱调节溶液pH至1.5,得到前驱体溶液;然后以FTO为工作电极,铂丝作为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极,在前驱体溶液中沉积,沉积过程中溶液进行间歇性搅拌,沉积后的SnS纳米薄膜用去离子水冲洗并烘干,控制沉积电压制得SnS纳米棒/管薄膜。本发明制备方法绿色环保操作简单且可严格控制操作的每一步,所用前驱体材料成本低廉,制备薄膜有利于提高其光电特性。

    溶剂热法一步合成超长纤锌矿结构Cu2ZnSnS4纳米棒的制备方法

    公开(公告)号:CN105197985B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201510590063.1

    申请日:2015-09-17

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种溶剂热法一步合成超长纤锌矿Cu2ZnSnS4纳米棒的制备方法。用于光伏电池材料技术领域。本发明方法是:将反应物前躯体即二水合氯化铜、氯化锌、五水合四氯化锡和L-半胱氨酸;乙二醇、油胺;草酸和十六烷基三甲基溴化铵加入到高压釜中,将反应温度升高到某一温度,恒温反应一段时间,然后移出加热装置使反应物冷却,向冷却后的反应物中加入甲苯和酒精使纳米粒子沉降;然后以一定转速离心一定时间,倒去上层溶液,收集下层沉淀物,重复离心数次至溶液澄清,收集沉淀物,最终得到高质量的超长纤锌矿Cu2ZnSnS4纳米棒。本发明的优点在于:超长纤锌矿Cu2ZnSnS4纳米棒的制备方法简单,可一步合成,合成温度低,所用前躯体材料成本低廉,结晶性优良,适合批量合成。

    纤锌矿结构Cu2CdSnS4纳米线的溶剂热制备方法

    公开(公告)号:CN104085917B

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201410173339.1

    申请日:2014-04-28

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种低成本、结晶性好的纤锌矿结构Cu2CdSnS4纳米线的制备方法。该方法首先在室温下,将乙酸镉和L-半胱氨酸与去离子水混合搅拌至完全溶解,再滴加无水乙二胺,搅拌均匀后180℃条件下反应24h;离心分离,收集下层沉底物,在60℃干燥5h,即得到CdS纳米线;然后,室温下将硫酸铜,氯化亚锡,L-半胱氨酸和上步制得的CdS纳米线溶于去离子水中,搅拌均匀。再向混和溶液中滴加无水乙二胺,搅拌均匀后180℃条件下反应24h;离心分离,收集下层沉底物,放入干燥箱中60℃干燥5h,即得到纤锌矿结构Cu2CdSnS4纳米线。本纳米线的制备方法操作简单,合成温度低,所用前躯体材料成本低廉,适合批量合成。所制备的纳米线可以作为太阳电池器件的吸收层材料。

    一种具有高附着力的石墨烯厚膜电极的制备方法

    公开(公告)号:CN104377037A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201410686145.1

    申请日:2014-11-26

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种具有高附着力的石墨烯厚膜电极的制备方法。它包括Hummers氧化还原法制备石墨烯粉体、球磨石墨烯粉体和手术刀法制备石墨烯厚膜三个主要步骤。本发明中利用液相无水乙醇和粘结剂松油醇与石墨烯粉体球磨,得到粘稠可控,颗粒均匀的石墨烯浆料;经涂抹于导电玻璃表面,最终得到的石墨烯厚膜电极,该厚膜电极附着力强,膜厚可控,性能优良。将该方法制备的石墨烯厚膜电极应用于染料敏化太阳能电池中,可得到优良的光电转换性能。

    Cu2FeSnS4纳米晶薄膜的水浴制备方法

    公开(公告)号:CN102623567B

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:CN201210099621.0

    申请日:2012-04-09

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种Cu2FeSnS4纳米晶薄膜的低温制备方法,该方法分五步:首先得到SnS薄膜;其次,在SnS薄膜上制得FeS薄膜;第三,将第二步所得样品在空气中400oC退火3小时;第四,将第三步退火得到的样品在一定摩尔浓度的硫酸铜水溶液中浸泡一定的时间;第五,将第四步得到的样品在H2S(5%)/Ar的混合气体中,500oC退火2小时,最终得到高质量的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜。本发明的优点在于:纳米晶的制备方法简单,合成温度低,所用前躯体材料成本低廉,制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。同时Cu2FeSnS4纳米晶也是一种纳米级反铁磁材料,能够广泛用于电工设备和电子设备中,有较好的经济价值。

    ZnO溶胶复合Sn掺杂ZnO厚膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103236352A

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:CN201310142604.5

    申请日:2013-04-23

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种ZnO溶胶复合Sn掺杂ZnO厚膜的制备方法,它包括水热法制备Sn掺杂ZnO粉体、sol-gel法制备ZnO溶胶和手术刀法制备ZnO溶胶复合Sn掺杂ZnO厚膜三个主要步骤。本发明中Sn掺杂ZnO粉体存在介孔结构,具有更大的比表面积,ZnO溶胶粘稠度可控,最终得到的ZnO厚膜附着力强、粒度均匀、膜厚可控、性能优良。将该方法制备的ZnO溶胶复合Sn掺杂ZnO厚膜应用于染料敏化太阳能电池中,得到了更优的光电转换性能。

    Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的水浴制备方法

    公开(公告)号:CN102275980B

    公开(公告)日:2013-01-09

    申请号:CN201110157583.5

    申请日:2011-06-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的低温制备方法,该方法是:首先将一定量的硫酸铜、氯化锌或氯化镉、氯化亚锡和硫代乙酰胺加入盛有去离子水的烧杯中,然后将用酒精、丙酮、去离子水超声清洗干净的玻璃垂直悬于烧杯中;向烧杯中滴加稀盐酸溶液调节pH值,使溶液处于酸性条件;升高温度在一定搅拌速度下反应一定时间,反应完毕后,将生长有Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的玻璃在Ar和H2S(5%)的气氛中进行退火处理,最终得到高质量的Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜。本发明的优点在于:纳米晶的制备方法简单,合成温度低,所用前躯体材料成本低廉,制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu2ZnSnS4和Cu2CdSnS4纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。

    一种电化学分解水反应的同步辐射原位测试装置

    公开(公告)号:CN119470579A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411611545.6

    申请日:2024-11-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种电化学分解水反应的同步辐射原位测试装置,电池组的基座组件固定安装在同步辐射样品台上,电极组件固定安装在基座组件上并包括工作电极,电解池安装在基座组件上并在第一位置和第二位置之间移动;当电解池位于第一位置时,工作电极插入电解池中进行电解水反应,电化学工作站与电极组件连接以控制电解水过程;当电解池位于第二位置时,同步辐射X射线照射工作电极以监测工作电极在电解水过程中的变化实现原位同步辐射检测。根据本发明的同步辐射原位测试装置,通过同步辐射X射线对工作电极进行原位同步辐射检测,排除外界因素对电极材料产生的影响,提高检测数据的真实性和可靠性,对电极材料的电化学过程进行实时监测。

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