公开(公告)号：CN114597256A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210219208.7

申请日：2022-03-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  高蒙 ,  张建华 ,  殷录桥 ,  路秀真 ,  郭爱英 ,  王昊天

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法，负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管包括：由下至上的衬底、氮化镓沟道层、氮化铝镓势垒层、氧化层、铁电介质层和栅极，栅极为三维鳍式结构，且栅极由上至下覆盖铁电介质层、氧化层、氮化铝镓势垒层和氮化镓沟道层，且氧化层和铁电介质层在栅极覆盖的区域内形成三维鳍式结构；氮化铝镓势垒层的上表面一端设有源极，另一端设有漏极；氧化层和铁电介质层位于源极与漏极之间并连接漏极和源极。本发明采用负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管，利用铁电介质的负电容特性使加到氧化层表面的电压大于栅极电压，在同样的沟道宽度下提供更高的功率放大倍数，提升了氮化镓基功率晶体管的栅控能力。

公开(公告)号：CN114050208A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111331707.7

申请日：2021-11-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  殷录桥 ,  张建华 ,  路秀真 ,  郭爱英 ,  张文魁 ,  安原

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种改进的高电子迁移率发光晶体管，包括：基板；高电子迁移率晶体管HEMT区，设置于所述基板上；氮化镓发光二极管LED区，设置于所述基板上。HEMT区和LED区均包括至少一层2DEG层，且HEMT区和LED区通过2DEG层连接；HEMT区还包括栅极；栅极为三维鳍式结构，且由上而下包裹HEMT区中的2DEG层，用于控制LED区是否发光以及发光强度。本发明采用三维鳍式栅极结构，栅极包裹在2DEG层形成的导电沟道的三侧，以控制整个HEMT区导电沟道的开通和关断，进而控制LED区是否发光以及发光强度。

公开(公告)号：CN119277761A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411388542.0

申请日：2024-09-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  程小宇 ,  张建华

IPC: H10B10/00

Abstract: 本申请公开了一种半导体静态存储器及其制备方法，涉及半导体领域。半导体静态存储器包括衬底以及设置在衬底上的埋入式电源轨和互补场效应晶体管；第一埋入式电源轨和第二埋入式电源轨平行设置在衬底的两端；第一互补场效应晶体管是通过将第一下拉晶体管和第一上拉晶体管，由下至上依次堆叠得到的；第二互补场效应晶体管是通过将第一传输晶体管和第二传输晶体管，由下至上依次堆叠得到的；第一传输晶体管和第二传输晶体管的类型均为n型；第三互补场效应晶体管是通过将第二下拉晶体管和第二上拉晶体管，由下至上依次堆叠得到的。本申请能够实现标准单元面积缩减，提升SRAM的集成度。

公开(公告)号：CN119008699A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411091088.2

申请日：2024-08-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  马亮 ,  张建华 ,  程小宇 ,  胡扬阳

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种全包围栅极场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底、源极、栅极结构、漏极和延展结构，延展结构包括源极延展结构和/或漏极延展结构，源极、栅极结构、漏极、源极延展结构和漏极延展结构均设置于衬底的同一侧，栅极结构设置于源极与漏极之间，源极延展结构设置于源极与栅极结构之间，漏极延展结构设置于漏极与栅极结构之间，源极和漏极分别为进行离子掺杂的源极和进行离子掺杂的漏极，源极延展结构和漏极延展结构均为进行P型离子掺杂的延展结构，源极和源极延展结构的离子掺杂浓度不同，漏极和漏极延展结构的离子掺杂浓度不同。本发明能够优化晶体管性能，提高电路设计的灵活度。

公开(公告)号：CN118449497A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410526994.4

申请日：2024-04-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 张岩 ,  任开琳 ,  张建华

IPC: H03K5/24

Abstract: 本发明公开一种GaN基迟滞比较电路，涉及半导体电路领域；该电路包括：相互连接的比较器电路、反馈电路和电流镜电路；比较器电路包括：第一N型GaN器件、第二N型GaN器件、第三N型GaN器件、第四N型GaN器件和第五N型GaN器件；反馈电路包括：第六N型GaN器件、第七N型GaN器件和第八N型GaN器件；使用N型GaN基有源器件取代了电阻型无源器件组成反馈电路，并将输出信号反馈至第七N型GaN器件的栅极，提高电路增益，降低信号的转换时间。

公开(公告)号：CN116779646A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310867951.8

申请日：2023-07-14

Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司 ,  上海大学

Inventor： 任开琳 ,  黄豪 ,  李育良 ,  殷录桥 ,  张建华 ,  杨翰林

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法。该鳍型栅氮化镓基功率晶体管包括衬底、沟道层、势垒层、栅极、漏极、源极和高介电常数介质层；沟道层铺设于所述衬底上，所述沟道层上开孔以形成多个间隔设置的沟道；势垒层铺设于所述沟道层上；栅极铺设于所述势垒层，并呈三维鳍式结构；所述势垒层的一端设置有所述源极，另一端设置有所述漏极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；高介电常数介质层铺设于所述源极和所述栅极之间的沟道内以及所述漏极和所述栅极之间的沟道内。该鳍型栅氮化镓基功率晶体管能够提高击穿电压，并降低比导通电阻，解决鳍式栅结构中更窄的鳍宽与更高的击穿电压无法同时实现的问题。