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公开(公告)号：CN119008699A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411091088.2
申请日：2024-08-08
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种全包围栅极场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底、源极、栅极结构、漏极和延展结构，延展结构包括源极延展结构和/或漏极延展结构，源极、栅极结构、漏极、源极延展结构和漏极延展结构均设置于衬底的同一侧，栅极结构设置于源极与漏极之间，源极延展结构设置于源极与栅极结构之间，漏极延展结构设置于漏极与栅极结构之间，源极和漏极分别为进行离子掺杂的源极和进行离子掺杂的漏极，源极延展结构和漏极延展结构均为进行P型离子掺杂的延展结构，源极和源极延展结构的离子掺杂浓度不同，漏极和漏极延展结构的离子掺杂浓度不同。本发明能够优化晶体管性能，提高电路设计的灵活度。
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