公开(公告)号：CN119277761A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411388542.0

申请日：2024-09-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  程小宇 ,  张建华

IPC: H10B10/00

Abstract: 本申请公开了一种半导体静态存储器及其制备方法，涉及半导体领域。半导体静态存储器包括衬底以及设置在衬底上的埋入式电源轨和互补场效应晶体管；第一埋入式电源轨和第二埋入式电源轨平行设置在衬底的两端；第一互补场效应晶体管是通过将第一下拉晶体管和第一上拉晶体管，由下至上依次堆叠得到的；第二互补场效应晶体管是通过将第一传输晶体管和第二传输晶体管，由下至上依次堆叠得到的；第一传输晶体管和第二传输晶体管的类型均为n型；第三互补场效应晶体管是通过将第二下拉晶体管和第二上拉晶体管，由下至上依次堆叠得到的。本申请能够实现标准单元面积缩减，提升SRAM的集成度。

公开(公告)号：CN119008699A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411091088.2

申请日：2024-08-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  马亮 ,  张建华 ,  程小宇 ,  胡扬阳

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种全包围栅极场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底、源极、栅极结构、漏极和延展结构，延展结构包括源极延展结构和/或漏极延展结构，源极、栅极结构、漏极、源极延展结构和漏极延展结构均设置于衬底的同一侧，栅极结构设置于源极与漏极之间，源极延展结构设置于源极与栅极结构之间，漏极延展结构设置于漏极与栅极结构之间，源极和漏极分别为进行离子掺杂的源极和进行离子掺杂的漏极，源极延展结构和漏极延展结构均为进行P型离子掺杂的延展结构，源极和源极延展结构的离子掺杂浓度不同，漏极和漏极延展结构的离子掺杂浓度不同。本发明能够优化晶体管性能，提高电路设计的灵活度。