公开(公告)号：CN114597256A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210219208.7

申请日：2022-03-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  高蒙 ,  张建华 ,  殷录桥 ,  路秀真 ,  郭爱英 ,  王昊天

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法，负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管包括：由下至上的衬底、氮化镓沟道层、氮化铝镓势垒层、氧化层、铁电介质层和栅极，栅极为三维鳍式结构，且栅极由上至下覆盖铁电介质层、氧化层、氮化铝镓势垒层和氮化镓沟道层，且氧化层和铁电介质层在栅极覆盖的区域内形成三维鳍式结构；氮化铝镓势垒层的上表面一端设有源极，另一端设有漏极；氧化层和铁电介质层位于源极与漏极之间并连接漏极和源极。本发明采用负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管，利用铁电介质的负电容特性使加到氧化层表面的电压大于栅极电压，在同样的沟道宽度下提供更高的功率放大倍数，提升了氮化镓基功率晶体管的栅控能力。