公开(公告)号：CN116314236A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310063928.3

申请日：2023-01-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  安原 ,  张建华 ,  殷录桥 ,  路秀真

IPC: H01L27/15 ,  H01L29/778 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种全双工可见光通信系统及其制备方法，涉及光通信领域，该通信系统包括：本体划分为发射区、直波导区和光电探测区；发射区内的本体的顶部生长第一AlGaN势垒层；第一AlGaN势垒层上生长第一p型GaN层、源极和栅极；第一p型GaN层上生长薄膜层和漏极；光电探测区的本体的顶部生长第二AlGaN势垒层；第二AlGaN势垒层上生长第二p型GaN层和阴极；第二p型GaN层上生长阳极。本发明在驱动晶体管的漏极嵌入包括p型GaN层的Micro‑LED，实现了驱动晶体管与Micro‑LED单片的集成，解决了可见光通信系统调制带宽较低的问题，提升了可见光通信系统的性能。

公开(公告)号：CN114050208A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111331707.7

申请日：2021-11-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  殷录桥 ,  张建华 ,  路秀真 ,  郭爱英 ,  张文魁 ,  安原

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种改进的高电子迁移率发光晶体管，包括：基板；高电子迁移率晶体管HEMT区，设置于所述基板上；氮化镓发光二极管LED区，设置于所述基板上。HEMT区和LED区均包括至少一层2DEG层，且HEMT区和LED区通过2DEG层连接；HEMT区还包括栅极；栅极为三维鳍式结构，且由上而下包裹HEMT区中的2DEG层，用于控制LED区是否发光以及发光强度。本发明采用三维鳍式栅极结构，栅极包裹在2DEG层形成的导电沟道的三侧，以控制整个HEMT区导电沟道的开通和关断，进而控制LED区是否发光以及发光强度。