公开(公告)号：CN107516660B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201610437062.8

申请日：2016-06-17

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 黄新运 ,  肖磊 ,  刘红霞 ,  沈晔晖 ,  沈磊 ,  刘岐

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 一种NAND闪存存储单元、NAND闪存及其形成方法。所述NAND闪存存储单元包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的鳍部；所述鳍部包括第一PN叠层和第二PN叠层，所述第二PN叠层位于所述第一PN叠层上方；所述第一PN叠层包括第一源层和第一漏层，所述第一源层与所述第一漏层在所述鳍部高度方向上直接层叠；所述第二PN叠层包括第二源层和第二漏层，所述第二源层与所述第二漏层在所述鳍部高度方向上直接层叠。所述NAND闪存存储单元具有很好的工艺尺寸持续缩小能力，并且所述NAND闪存存储单元能够从器件结构上解决存储单元读取干扰的问题。同时，所述NAND闪存的形成方法简单，工艺成本降低。

公开(公告)号：CN106847819A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201510882991.5

申请日：2015-12-03

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 黄新运 ,  肖磊 ,  刘红霞 ,  徐烈伟 ,  沈磊 ,  刘崎

IPC: H01L27/11524

Abstract: 一种NAND闪存存储单元、NAND闪存及其形成方法。所述NAND闪存存储单元包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一鳍部；所述第一鳍部至少包括从下到上层叠的第一隔离层、第一叠层结构、第二隔离层和第二叠层结构；所述第一叠层结构包括第一源层、第一沟道层和第一漏层；所述第二叠层结构包括第二源层、第二沟道层和第二漏层。所述NAND闪存存储单元具有很好的工艺尺寸持续缩小能力，并且所述NAND闪存存储单元能够从器件结构上解决存储单元读取干扰的问题。同时，所述NAND闪存的形成方法简单，工艺成本降低。

公开(公告)号：CN106653086A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510713978.7

申请日：2015-10-28

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 夏杰峰 ,  肖磊 ,  左平 ,  刘刚 ,  刘金辰 ,  黄新运

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/06

Abstract: 非易失性存储器的页缓存器电路及控制方法、存储器，包括：第一锁存器、读取电路、用于调节判断节点的电位的选择性置1电路；所述判断节点位于所述读取电路和所述选择性置1电路之间；所述第一锁存器适于存储来自外部I/O的数据，包括第一锁存点和第二锁存点；所述选择性置1电路通过第一输入端与所述第一锁存点耦接，通过第二输入端与所述第二锁存点耦接，通过输出端与所述判断节点耦接；在所述读取电路读取所述非易失性存储器的存储元的数据至所述判断节点后，在第二电压源和判断节点置位使能信号的控制下，根据所述第一锁存器中第一锁存点的数据对所述判断节点进行选择性置1操作。上述方案可以减小页缓存器电路的面积，提高电路可靠性。