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发明公开
NAND闪存存储单元、NAND闪存及其形成方法有权

公开(公告)号：CN106847819A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201510882991.5

申请日：2015-12-03

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 黄新运 , 肖磊 , 刘红霞 , 徐烈伟 , 沈磊 , 刘崎

IPC: H01L27/11524

Abstract: 一种NAND闪存存储单元、NAND闪存及其形成方法。所述NAND闪存存储单元包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一鳍部；所述第一鳍部至少包括从下到上层叠的第一隔离层、第一叠层结构、第二隔离层和第二叠层结构；所述第一叠层结构包括第一源层、第一沟道层和第一漏层；所述第二叠层结构包括第二源层、第二沟道层和第二漏层。所述NAND闪存存储单元具有很好的工艺尺寸持续缩小能力，并且所述NAND闪存存储单元能够从器件结构上解决存储单元读取干扰的问题。同时，所述NAND闪存的形成方法简单，工艺成本降低。

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