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公开(公告)号：CN114924341A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210488488.1
申请日：2022-05-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明提供一种提高FIB刻蚀超浅光栅结构侧壁垂直度的方法及系统，涉及离子束加工技术领域，包括：步骤S1：在目标材料上制备掩膜层；步骤S2：根据需要刻蚀的光栅结构设计优化FIB刻蚀参数；步骤S3：利用FIB刻蚀参数从掩膜层表面开始刻蚀，刻蚀深度至目标材料表面以下；步骤S4：去除掩膜层，在目标材料表面形成高侧壁垂直度的超浅光栅结构。本发明能够在铌酸锂等非导电材料表面实现刻蚀深度100nm以下、深度可控精度小于10nm、侧壁垂直度80°以上的超浅光栅结构。
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公开(公告)号：CN113130674A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110291296.7
申请日：2021-03-18
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种具有ITO电极的垂直型锗硅光电探测器及其制备方法，锗硅光电探测器自下而上依次包括高阻Si衬底层、P型掺杂Si层、P型掺杂Ge层、本征Ge层、n型Ge层、n型Si层，对锗硅光电探测器隔断，隔断后的P型掺杂Si层作为下台面，n型Si层作为上台面，上台面和下台面设置Ag/ITO接触电极，上台面、下台面沉积上包层，设置与外电路连接的测试电极。本发明用ITO电极降低光电探测器传统金属电极的红外吸收。通过引入ITO电极来提升器件的响应度，降低器件的暗电流。
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公开(公告)号：CN108896530A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810715337.9
申请日：2018-06-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明提供了一种拉曼光谱检测基底的制备方法，其包括如下步骤：制备前驱体溶液；将FTO玻璃经清洗后，倾斜放置于所述前驱体溶液中，在150℃下水热反应后，在500℃下退火，在FTO玻璃表面形成TiO1.04纳米棒；将所述TiO1.04纳米棒浸泡于氨基化溶液中，进行表面处理后，烘干，洗净后置于柠檬酸钠溶液中，煮沸，在沸腾状态下加入氯金酸溶液，反应至溶液从无色变为酒红色，取出，洗净。与现有技术相比，本发明可以实现低成本、高灵敏度的拉曼检测基底的制备，有利于大规模生产。相比于颗粒状的拉曼基底，基于玻璃基底的拉曼基底在检测与自降解方面操作更加简单。本拉曼基底可多次重复使用并且并保持很高的检测灵敏性。本基底可保持长期稳定。
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公开(公告)号：CN104531853B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201410769264.3
申请日：2014-12-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种经高密度纳米点阵列制备生物大分子单分子芯片的方法，首先在基底上铺设一层薄膜，再在薄膜上制备纳米坑阵列，经进一步基底修饰(O2等离子体处理基底进行羟基化，再经修饰使之生物素化)，去除薄膜后形成可连接生物大分子的活性纳米点阵列，因纳米点足够小，只能连接一个生物大分子；最后清洗基底，获得高密度的单分子生物芯片。本发明获得的目的生物芯片主要特征是单分子、高通量、多功能，可用于超灵敏单分子酶联免疫吸附分析、基于杂交的DNA变异检测、单分子DNA合成和连接测序以及单细胞RNA测序等领域。
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公开(公告)号：CN103196725B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310101285.3
申请日：2013-03-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N1/28 , G01N33/531
Abstract: 本发明公开一种生物技术领域的制备与富集单个微纳米珠携带单根多聚物分子的方法，该方法采用一内部有溶液通道的流室，该流室溶液通道上游设有进样口和电泳缓冲液填充口；将含有目的复合物的混合物通过进样口注入流室，同时将电泳缓冲液通过电泳缓冲液填充口注入流室，流室下端有目的复合物收集口和空微纳米珠出口，连接目的复合物收集口的容器连接电源正极，与目的复合物收集容器对应的流室溶液通道另一处连接电源负极；利用外加电场，使目的复合物进入目的复合物收集容器。本发明获得的目的复合物纯度高、数量多，可用于在单分子水平的核酸-蛋白质相互作用动力学研究、免疫学观察、单分子核酸测序以及新一代测序仪的样品制备等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118222990A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311434948.3
申请日：2023-10-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/54 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种在高深宽比硅孔内溅射种子层的方法，包括：依托多靶磁控溅射镀膜系统，利用负偏压辅助三个及三个以上相同材质的靶材共焦溅射，实现在高深宽比硅孔镀膜的功能。本发明有助于铜原子沉积在硅孔的深处和底部。同时适当的负偏压功率，可以防止溅射时硅孔上沿沉积的薄膜出现“房檐效应”，提高了铜原子在硅孔侧壁和底部的覆盖性，为后续的电镀提供了保障。
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公开(公告)号：CN115449759B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202211239950.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种电子束蒸镀铝膜用坩埚及其使用方法，包括坩埚本体，坩埚本体为上端半径较大的锥形圆筒结构；坩埚本体上设置有多条第一缝隙与多条第二缝隙，第一缝隙与第二缝隙均沿径向镂空；第一缝隙从第一开口端沿纵向延伸并形成第一封闭端，第一开口端设置在坩埚本体的上沿；第二缝隙从第二开口端沿横向延伸并形成第二封闭端，第二开口端与第一缝隙连通；坩埚本体内壁在靠近坩埚本体上沿处沿周向设置有向内凸起的台阶结构；坩埚本体的材质为三氧化二铝。本发明解决了电子束蒸发镀膜设备沉积铝薄膜时，铝几乎可以和所有的金属都可以形成合金，影响蒸镀铝膜的纯度，且水冷坩埚内直接蒸镀铝膜会引入坩埚自身的金属原子的技术问题。
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公开(公告)号：CN114859467A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210374965.1
申请日：2022-04-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于反向二元闪耀光栅的滤波器及制造方法，包括：硅衬底、埋氧层以及顶层硅；埋氧层一侧连接为顶层硅，另一侧连接硅衬底；顶层硅包括：正向二元闪耀光栅、锥形体、波导以及反向二元闪耀光栅；波导两端分别通过锥形体连接正向二元闪耀光栅和反向二元闪耀光栅。本发明提出了一种只利用片上I/O端口即可实现在通信O波段进行选择滤波功能的硅基光学滤波器件，在不降低滤波性能的前提下，可以大大简化设计过程以及加工难度。
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公开(公告)号：CN114594548A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210295252.6
申请日：2022-03-24
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅波导辅助悬臂梁端面耦合器，包括硅衬底、氮化硅波导结构、硅波导结构、连接梁结构以及悬臂梁结构；悬臂梁结构连接设置在连接梁结构上，连接梁结构连接设置在硅衬底上；硅衬底设置有衬底槽，悬壁梁结构悬于衬底槽的上方；氮化硅波导结构和硅波导结构设置在悬壁梁结构内，氮化硅波导结构位于硅波导结构的上方；氮化硅波导结构的一端设置在耦合端面处，硅波导结构的一端与耦合端面间隔设置；氮化硅波导结构为亚波长光栅氮化硅波导结构，硅波导结构为亚波长光栅倒锥硅波导结构。本发明提高了端面耦合器的耦合效率，降低了耦合器的偏振敏感性。
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公开(公告)号：CN113106405A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110290390.0
申请日：2021-03-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种降低ITO薄膜红外吸收率的方法，包括如下步骤：基片清洗步骤：透明的优质浮法玻璃作为基底，使用丙酮在超声的环境下进行清洗；ITO薄膜制备步骤：沉积ITO薄膜，设定靶材转速、溅射功率，经过设定时间得到ITO薄膜；退火处理步骤：使用快速热处理炉对制备好的ITO薄膜进行快速热退火处理，退火后得到最终的ITO薄膜。本发明实现了低红外吸收、高透射率的ITO薄膜的制备，并且薄膜的电阻率较低。且本发明的后续的处理工艺简易、稳定。
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