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公开(公告)号：CN114859467A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210374965.1
申请日：2022-04-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于反向二元闪耀光栅的滤波器及制造方法，包括：硅衬底、埋氧层以及顶层硅；埋氧层一侧连接为顶层硅，另一侧连接硅衬底；顶层硅包括：正向二元闪耀光栅、锥形体、波导以及反向二元闪耀光栅；波导两端分别通过锥形体连接正向二元闪耀光栅和反向二元闪耀光栅。本发明提出了一种只利用片上I/O端口即可实现在通信O波段进行选择滤波功能的硅基光学滤波器件，在不降低滤波性能的前提下，可以大大简化设计过程以及加工难度。
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公开(公告)号：CN119179138A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411402035.8
申请日：2024-10-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于随机结构光栅的垂直入射铌酸锂光栅耦合器及制备方法，包括：硅衬底、埋氧层、铌酸锂层以及二氧化硅上包层；埋氧层一侧连接硅衬底，另一侧连接铌酸锂层；铌酸锂层包括随机结构光栅、锥形体以及直波导；直波导通过两侧锥形体连接两侧对称的随机结构光栅。本发明在不引入额外金属反射镜的条件下设计出了一种基于随机结构光栅的垂直入射铌酸锂光栅耦合器，极大降低了背反射从而提升了耦合效率，并且垂直耦合更易于芯片后道的封装。
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公开(公告)号：CN114859467B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210374965.1
申请日：2022-04-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于反向二元闪耀光栅的滤波器及制造方法，包括：硅衬底、埋氧层以及顶层硅；埋氧层一侧连接为顶层硅，另一侧连接硅衬底；顶层硅包括：正向二元闪耀光栅、锥形体、波导以及反向二元闪耀光栅；波导两端分别通过锥形体连接正向二元闪耀光栅和反向二元闪耀光栅。本发明提出了一种只利用片上I/O端口即可实现在通信O波段进行选择滤波功能的硅基光学滤波器件，在不降低滤波性能的前提下，可以大大简化设计过程以及加工难度。
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