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公开(公告)号：CN102925976B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210439908.3
申请日：2012-11-06
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明公开了一种使用NGO单晶基板制备a轴REBCO高温超导厚膜的方法，具体步骤包括：BaCO3粉末和CuO粉末进行配料，获得BaCO3+CuO粉料；BaCO3+CuO粉料预处理并烧结，制得Ba-Cu-O粉末；Ba-Cu-O粉末加入到RE2O3材料的坩埚中加热至第一温度并保温，获得RE-Ba-Cu-O溶液；RE-Ba-Cu-O溶液冷却至第二温度；将NGO单晶基板的表面接触RE-Ba-Cu-O溶液，采用顶部籽晶提拉法液相外延生长REBCO超导厚膜。本发明证明了通过控制生长温度及冷却速率外延生长特定取向REBCO超导厚膜的可行性，探索得到了一种外延a轴取向REBCO超导厚膜的非常规方法。
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公开(公告)号：CN103060914B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210514213.7
申请日：2012-12-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将薄膜籽晶的ab面接触前驱块体的上表面，将前驱块体和薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长，生长炉的温度程序为：从室温开始经过5h升温至960℃，保温3h；继续加热，升温至最高温度Tmax，保温1～2h；在15min内，降温至起始生长温度Ts；以阶梯型加速缓冷的生长程序，生长REBCO高温超导块体。本发明的一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，保证了籽晶诱导生长的同时，不会产生自发形核和第二相的富集，而且，逐步提高的降温速率，保证了生长所需的越来越大的驱动力。
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公开(公告)号：CN103614775B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310628510.9
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长REBCO准单晶体；其中，工序b）中的前驱体为工序a）获得的RE123相的粉末按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到REBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于REBCO准单晶体的制备。
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公开(公告)号：CN103696009A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310693653.8
申请日：2013-12-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在空气中制备a轴取向高温超导膜的方法，包括以下步骤：a)制备Ba-Cu-O粉末；b)将Ba-Cu-O先驱粉末加入晶体生长炉中的Y2O3坩埚中，加热至第一温度进行保温，获得Y-Ba-Cu-O溶液；c)在溶液加入Ba-Cu-O先驱粉末，并保温；d)将溶液以第一降温速度降低至第二温度；e)将固定在连接杆的NGO单晶基板作为籽晶材料插入到步骤d)得到的溶液，生长纯a轴取向的YBCO液相外延膜。本发明采用NGO单晶基板作为籽晶，通过控制第二次加入Ba-Cu-O粉末的量以及保温的时间以实现外延生长a轴取向YBCO超导厚膜性。
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公开(公告)号：CN103628137A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310629299.2
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备钙掺杂的REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相的粉末；b）制备前驱体；c）将籽晶放置在前驱体的上表面；d）将前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导材料；其中，工序b）中的前驱体为工序a）获得的RE123相的粉末按RE123+（0～15）wt%CaCO3+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体。本发明采用顶部籽晶熔融织构制备钙掺杂的REBCO高温超导准单晶体，在制备工艺过程中，只需要将CaCO3均匀混入前驱体粉末中，压制圆柱状前驱体，方法简单、易于操作、完全重复可控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103614775A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310628510.9
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长REBCO准单晶体；其中，工序b）中的前驱体为工序a）获得的RE123相的粉末按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到REBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于REBCO准单晶体的制备。
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公开(公告)号：CN103526283A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310533809.6
申请日：2013-10-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纯a轴取向的YBCO液相外延膜的方法，包括如下工序：1)制备Ba-Cu-O先驱粉末；2)将Ba-Cu-O先驱粉末加入晶体生长炉中的Y2O3坩埚中，加热至第一温度进行保温，获得Y-Ba-Cu-O溶液；3)在溶液加入Ba-Cu-O先驱粉末，并保温；4)将溶液以第一降温速度降低至第二温度；5)将固定在连接杆的NGO单晶基板作为籽晶材料快速插入到步骤4)得到的溶液，生长纯a轴取向的YBCO液相外延膜。本发明通过选取特定割切方向的NGO单晶基板、控制溶液的过饱和度等方式来液相外延生长纯a轴取向的YBCO混合晶界结构的超导厚膜，工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN103526283B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310533809.6
申请日：2013-10-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纯a轴取向的YBCO液相外延膜的方法，包括如下工序：1)制备Ba-Cu-O先驱粉末；2)将Ba-Cu-O先驱粉末加入晶体生长炉中的Y2O3坩埚中，加热至第一温度进行保温，获得Y-Ba-Cu-O溶液；3)在溶液加入Ba-Cu-O先驱粉末，并保温；4)将溶液以第一降温速度降低至第二温度；5)将固定在连接杆的NGO单晶基板作为籽晶材料快速插入到步骤4)得到的溶液，生长纯a轴取向的YBCO液相外延膜。本发明通过选取特定割切方向的NGO单晶基板、控制溶液的过饱和度等方式来液相外延生长纯a轴取向的YBCO混合晶界结构的超导厚膜，工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN103628137B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310629299.2
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备钙掺杂的REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相的粉末；b）制备前驱体；c）将籽晶放置在前驱体的上表面；d）将前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导材料；其中，工序b）中的前驱体为工序a）获得的RE123相的粉末按RE123+（0～15）wt%CaCO3+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体。本发明采用顶部籽晶熔融织构制备钙掺杂的REBCO高温超导准单晶体，在制备工艺过程中，只需要将CaCO3均匀混入前驱体粉末中，压制圆柱状前驱体，方法简单、易于操作、完全重复可控。
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公开(公告)号：CN103014861B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210580891.3
申请日：2012-12-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体的制备方法，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将薄膜籽晶的ab面接触宝塔形前驱块体的上表面，将宝塔形前驱块体和薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长。本发明还公开了一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体，该REBCO高温超导块体为宝塔形的单畴块材，不存在晶界弱连接。本发明的一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体的制备方法，运用加速冷却法，不会产生自发形核，生长速度快，不需要预先生长出块体籽晶，且可用于各种REBCO高温超导块体的生长，以及REBCO块体的掺杂生长。除此之外，该方法简单、易于操作、具有可重复性和可控性。
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