公开(公告)号：CN106521635A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611012727.7

申请日：2016-11-17

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  钟思华 ,  王闻捷 ,  谭杪 ,  庄宇峰

IPC: C30B33/10 ,  C30B29/06 ,  H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50 ,  C30B33/10 ,  C30B29/06 ,  H01L31/02363

Abstract: 本发明公开了一种硅表面纳米金字塔绒面的全溶液制备方法，第一步，将硅片置于含金属离子和氢氟酸的混合溶液中，使硅片表面沉积一层金属纳米颗粒，得到附有金属纳米颗粒的硅片；第二步，将附有金属纳米颗粒的硅片浸入含有添加剂的碱溶液中，在一定的温度下经过一定的反应时间形成硅纳米金字塔绒面，得到制绒的硅片；第三步，将制绒的硅片浸泡于酸性溶液中，去除表面附着的金属纳米颗粒。本发明的方法将金属颗粒用于萃取硅与碱溶液反应产生的电子，从而改变氢气泡产生位置，使得硅表面能均匀受到腐蚀，从而产生致密的纳米金字塔绒面。其工艺简单、成本低廉而且绒面效果完美，在超薄晶硅电池中具有重要应用。

公开(公告)号：CN103243383B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201310172563.4

申请日：2013-05-10

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 姚忻 ,  庄宇峰 ,  彭波南

IPC: C30B28/04 ,  C30B29/22 ,  H01B13/00

Abstract: 一种冷速控制高温超导块体材料的生长方法，包括如下工序：a）制备LRE123相和LRE211相的粉末；b）制备前驱体；c）将籽晶放置在所述前驱体的上表面；d）将所述前驱体和籽晶置于生长炉中，升温至最高温度，并保温；e）快速将温度降低至包晶反应温度，然后以每小时0.5℃～1.0℃的速率降温20-40小时，最后淬火制得超导块体材料。本发明通过控制在超导体块材在生长过程中的降温速度，调整生长过程熔体中的组分，有效抑制包晶反应过程中出现的轻稀土元素和钡元素的替代情况，提高空气下制备的LREBCO超导体的超导性能。

公开(公告)号：CN103603043A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310628453.4

申请日：2013-11-29

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 姚忻 ,  王伟 ,  彭波南 ,  郭林山 ,  陈媛媛 ,  雷一明 ,  庄宇峰 ,  李昊辰

IPC: C30B29/22 ,  C30B1/04 ,  B22F1/00

Abstract: 本发明公开了一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备Y123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长钙掺杂YBCO准单晶体；其中，前驱体按Y123+（0～15）wt%CaCO3+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到钙掺杂YBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于钙掺杂YBCO准单晶体的制备。

公开(公告)号：CN103060914A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210514213.7

申请日：2012-12-04

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 姚忻 ,  彭波南 ,  程玲 ,  庄宇峰 ,  许恒恒 ,  郭林山 ,  王伟

IPC: C30B29/22 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明公开了一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将薄膜籽晶的ab面接触前驱块体的上表面，将前驱块体和薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长，生长炉的温度程序为：从室温开始经过5h升温至960℃，保温3h；继续加热，升温至最高温度Tmax，保温1～2h；在15min内，降温至起始生长温度Ts；以阶梯型加速缓冷的生长程序，生长REBCO高温超导块体。本发明的一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，保证了籽晶诱导生长的同时，不会产生自发形核和第二相的富集，而且，逐步提高的降温速率，保证了生长所需的越来越大的驱动力。

公开(公告)号：CN108878549A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810675157.2

申请日：2018-06-27

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  庄宇峰 ,  钟思华 ,  李正平

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种实现准全向硅太阳电池的方法，涉及太阳电池领域，包括以下步骤：步骤一，将硅片置于含金属离子溶液中，使硅片表面沉积一层金属纳米颗粒，得到附有金属纳米颗粒的硅片；步骤二，将所述附有金属纳米颗粒的硅片浸入酸性或碱性溶液中，使所述硅片表面形成纳米结构，得到表面附有纳米结构的硅片；步骤三，将所述表面附有纳米结构的硅片浸泡于酸性溶液中，去除表面附着的金属纳米颗粒，得到制绒的硅片；步骤四，将所述表面附有纳米结构的硅片制备成太阳电池。本发明还提供了太阳电池的准全向分析方法。本发明的方法提升太阳电池对不同角度入射光的准全向吸收性能，增加太阳电池的日或年发电量。