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公开(公告)号：CN100399584C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510111017.5
申请日：2005-12-01
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种半导体技术领域的二氧化锡/硅异质结太阳电池。本发明包括：电池迎光面栅线电极、掺氟的二氧化锡层、二氧化硅层、n型硅基底、本征非晶硅薄膜、磷掺杂非晶硅薄膜以及铝背电极。电池迎光面栅线电极在掺氟的二氧化锡层之上，掺氟的二氧化锡层与n型硅基底的正面之间夹了一层二氧化硅层，n型硅基底的背面依次沉积本征非晶硅薄膜和磷掺杂非晶硅薄膜以及铝背电极。本发明降低了薄膜的串联电阻，背面的本征非晶硅薄膜、掺磷非晶硅薄膜与硅片构成高低结，改善了电池的电输出性能，工艺简单，产业化成本低。在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，太阳电池的效率达13%以上。
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公开(公告)号：CN1314134C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200410052858.9
申请日：2004-07-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/072 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于半导体技术领域的硅薄膜异质结太阳电池的制备方法，衬底清洗：采用半导体清洗工艺进行衬底的表面初清洗，再将衬底放在去离子水中用超声波清洗，用去离子水冲洗数次，氮气吹干；制备本征非晶硅层：用热丝化学汽相沉积技术制备本征非晶硅层，钨丝温度用光学高温计测量，加热器与样品的温度分别由两个热电偶测定，用电子温度控制器控制温度，在衬底表面反应生长而成薄膜；在本征非晶硅薄膜上再沉积一层发射层；正、背面电极的形成：用溅射工艺在电池的正、背面形成电极；最后进行真空热退火工艺。本发明薄膜具有光照稳定性，在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，获得的硅薄膜的光电导增益可达106，基于此薄膜的非晶硅和晶硅异质结太阳电池的效率达12.5%。
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公开(公告)号：CN1194821C
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN02150785.6
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: B05C5/00
Abstract: 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜的喷嘴，属于半导体电子材料镀膜领域。包括用于储存雾化蒸汽的容器，容器内储存用于沉积透明导电薄膜的雾化蒸汽，该喷嘴的底部具有一定规律分布的小孔作为喷孔，喷孔有小圆孔喷孔或长条形狭缝喷孔两种，小圆孔喷孔是一维分布的，形成一维喷嘴，或者，小圆孔喷孔形成两维分布的，则是二维喷嘴，由一条狭缝喷孔形成一维喷嘴，或者是多个长条型狭缝喷孔平行排列，形成二维喷嘴，喷嘴的下部，小圆孔喷孔或长条形狭缝喷孔，在衬底的正上方，离衬底的距离在5～100mm范围内，喷嘴的四侧设有阻隔板。本发明方块电阻可达4Ω/□，透过率达90%(600nm波长入射光)，薄膜中心和边缘的膜厚、电学性质不均匀度小于5%。
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公开(公告)号：CN1588649A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410052858.9
申请日：2004-07-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/072 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于半导体技术领域的硅薄膜异质结太阳电池的制备方法，衬底清洗：采用半导体清洗工艺进行衬底的表面初清洗，再将衬底放在去离子水中用超声波清洗，用去离子水冲洗数次，氮气吹干；制备本征非晶硅层：用热丝化学汽相沉积技术制备本征非晶硅层，钨丝温度用光学高温计测量，加热器与样品的温度分别由两个热电偶测定，用电子温度控制器控制温度，在衬底表面反应生长而成薄膜；在本征非晶硅薄膜上再沉积一层发射层；正、背面电极的形成：用溅射工艺在电池的正、背面形成电极；最后进行真空热退火工艺。本发明薄膜具有光照稳定性，在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，获得的硅薄膜的光电导增益可达106，基于此薄膜的非晶硅和晶硅异质结太阳电池的效率达12.5％。
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公开(公告)号：CN1411914A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02150785.6
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜的喷嘴属于半导体电子材料镀膜领域。为具有一定规律分布的小圆孔的一维结构喷嘴，或为具有一定规律排列的阵列两维结构的两维喷嘴，或者是一维单狭缝喷嘴和多组长条型狭缝喷嘴平行排列的二维喷嘴，喷嘴的喷孔有两种结构，一是小圆孔喷孔，二是狭缝喷孔，一维喷嘴上的小圆孔喷孔，为单行均匀分布排列，两维结构喷嘴的小圆孔分布在50×50mm2～150×150mm2两维范围内，一维单狭缝喷嘴和多组长条型狭缝喷嘴平行排列，它们分布在50×50mm2～150×150mm2两维范围内。采用本发明的喷嘴得到的大面积透明导电薄膜，其方块电阻可达4Ω/□，透过率达90％(600nm波长入射光)，薄膜中心和边缘的膜厚、电学性质不均匀度小于5％，更适合工业化大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1086158C
公开(公告)日：2002-06-12
申请号：CN99116819.4
申请日：1999-08-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明包括喷涂装置和喷涂方法两部分。喷涂装置：雾化容器套在或半套在隔离容器内，隔离容器的底部设置一超声波振荡器，雾化容器内有配制好的溶液经超声波振荡器雾化后由载气携带定量通过与喷嘴联接定量输出，喷嘴设置在抽气柜内，喷嘴喷出的雾化溶液，均匀地晒在衬底上。喷涂方法：将选定的化合物配制成溶液置入雾化容器，对衬底进行清洗，将加压氧气携带雾化溶液均匀喷洒在衬底上。
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公开(公告)号：CN1265018C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN03116464.1
申请日：2003-04-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种高光电导增益氮化碳薄膜制备方法属于半导体材料领域。本发明方法采用离子束溅射工艺制备氮化碳薄膜，高纯石墨作为靶材，高纯氮气作为考夫曼离子束源的工作气体，工作气压为2～6×10-2Pa。本发明采用离子束溅射工艺，仅仅用氮气作为反应和溅射气体，并且薄膜远离浓氮离子束的直接轰击，减少了悬挂键复合缺陷的密度，省去了氢气的钝化过程，在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，所获得的氮化碳薄膜的光电导增益，即光照的电导与暗电导的比值，可达106，可以用在光伏器件上，用作光激活层的新型光伏薄膜材料。
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公开(公告)号：CN1202381C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN03115559.6
申请日：2003-02-27
Applicant: 上海交通大学
Inventor： 周之斌
Abstract: 一种取暖陶瓷壁画及其制备工艺属于装饰与电加热领域。陶瓷壁画包括：陶瓷衬底、金属氧化物透明导电薄膜、红外减反射薄膜、导电浆电极、导电浆焊脚、功率输入电线，陶瓷基底的表面喷涂金属氧化物透明导电薄膜，金属氧化物透明导电薄膜的外侧镀红外减反射薄膜，在陶瓷壁画的背面设有导电浆电极及导电浆焊脚，导电浆焊脚上焊接功率输入电线。制备工艺：在陶瓷基底的表面上喷涂金属氧化物透明导电薄膜，喷涂温度在400℃-600℃；在金属氧化物透明导电薄膜的外侧真空蒸镀红外减反射薄膜；在壁画的背面印上金属银导电浆，包括导电浆电极及导电浆焊脚，采用铜或银焊法，在导电浆焊脚上焊接功率输入电线。本发明提供了具备观赏与取暖功能的陶瓷壁画装饰品。
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公开(公告)号：CN1167515C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN02150786.4
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜扫描装置属于太阳能应用领域。完成加热过程和喷涂过程的主单元、完成退火功能的辅助单元、具有预加热功能的辅助单元依次并列或L形排列，具有预加热功能的辅助单元位于完成加热过程和喷涂过程的主单元一侧，完成退火功能的辅助单元位于完成加热过程和喷涂过程的主单元的另一侧，由机械手完成玻璃衬底在各单元之间的传输，主单元包括：衬底加温部分、喷头部分，这两部分是相互分离的。采用本发明得到的SnO2透明导电薄膜的方块电阻可达4Ω/□，透过率达90%，薄膜中心和边缘的膜厚、电学性质不均匀度小于10%，采用衬底加温部分与喷头部分(二)配合的装置可获得膜厚、电学性质不均匀度小于5%的超均匀的透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN1141734C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN00115352.8
申请日：2000-04-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/203 , C23C14/35 , C23C14/06 , H01L31/00
Abstract: 一种太阳能光伏材料碳薄膜的制作方法，属于半导体材料领域。碳膜沉积源用的靶材是99.999%石墨靶，物理溅射沉积薄膜。本发明具有显著的效果，采用本发明的工艺，SP3含量在30%～80%内调节。通过改变反应室溅射气压和衬底偏压，可改变SP2团族的尺寸大小，用原子力显微镜来观察团族的尺寸，改变SP2团族尺寸，增大尺寸可减小局域态能隙，而SP2团族尺寸减小，可提高其能隙，调节到适合光伏材料要求，SP2团族的尺寸在1nm～5nm范围内。
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