公开(公告)号：CN1715871A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510027581.9

申请日：2005-07-07

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  徐维丽 ,  丁古巧 ,  陈红 ,  郑茂俊

IPC: G01N21/25 ,  G01N21/31 ,  G06F19/00

Abstract: 一种有序纳米孔氧化铝模板光学常数的测试方法，利用二次电化学方法腐蚀高纯铝片生成的各种厚度和纳米孔径的有序纳米孔氧化铝模板，测量有序纳米孔氧化铝模板的透射光谱，通过修正过的四层介质模型拟合透射光谱中的干涉条纹，得出氧化铝模板的纳米孔深、阻碍层厚度以及随波长变化的折射率，利用吸收系数公式拟合透射光谱中接近带隙的吸收边，得出有序纳米孔氧化铝模板的能带的带隙和带尾。本发明有效地利用简单的光学方法，准确获取这些常数数值。

公开(公告)号：CN1614740A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410067329.6

申请日：2004-10-21

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  丁古巧 ,  郑茂俊 ,  徐维丽

IPC: H01L21/00

Abstract: 一种制备大面积、高度有序纳米硅量子点阵列的方法，用于半导体材料制备领域。首先利用电化学方法制备氧化铝模板，然后将这种具有高度有序孔洞结构的模板移植到半导体基片上，利用PECVD将钠米硅自然量子点通过模板的孔道生长在半导体基片上，最后利用湿化学方法将氧化铝模板去除，从而得到大面积、高度有序的钠米硅量子点阵列。本发明获得的人工量子点的平均直径大小为30纳米到50纳米，高度为20纳米到100纳米，间距为100纳米，面密度超过每平方厘米1×1010，每个人工量子点中嵌镶着很多直径为3纳米到6纳米的硅自然量子点。由于具有很好的量子限域效应并且高度有序，这种纳米硅量子点阵列有望在多元量子器件中得到广泛应用。

公开(公告)号：CN114533142B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202210164762.X

申请日：2022-02-23

Applicant: 上海交通大学医学院附属第九人民医院 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张海扬 ,  李吉鹏 ,  宋雪霏 ,  周慧芳 ,  杨思维 ,  丁古巧 ,  范先群

IPC: A61B10/02

Abstract: 本申请涉及医疗器械领域，特别是涉及一种组织良恶性快速检测活检穿刺枪，包括依次连接的手柄部、盒体和套管；手柄部、盒体和套管内设有针腔，针腔自手柄部远离盒体的一端经盒体直线延伸至套管远离盒体的一端，针腔中还设有与其相配合的穿刺针；盒体的一侧壁设有反应槽通过腔，还包括反应槽，反应槽通过腔与针腔连通；还包括位于反应槽上方的按压切割部，穿刺针设有与按压切割部相配合的通孔，盒体上还设有注射器连接件，注射器连接件包括注射口，注射口与反应槽连通。本申请为穿刺采集、制片、特异性标记一体化设计的活检穿刺枪，通过精巧的机械传动装置设计，在保证现有活检穿刺程序正常进行的同时，可便捷取出供良恶性鉴别。

公开(公告)号：CN114002199B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202111275141.0

申请日：2021-10-29

Applicant: 上海交通大学医学院附属第九人民医院 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 范先群 ,  丁古巧 ,  周慧芳 ,  杨思维 ,  李吉鹏

IPC: G01N21/64 ,  C09K11/65 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及糖酵解检测领域，特别是涉及碳氮荧光量子点在制备有氧糖酵解检测产品中的用途，所述碳氮荧光量子点为N掺杂石墨烯量子点、C3N4量子点、C2N量子点或C3N量子点中的一种或几种；所述有氧糖酵解检测产品为试剂，以试剂的终体积为基准，所述试剂中包括终浓度为1μg/mL～1mg/mL的碳氮荧光量子点。本发明利用碳氮荧光量子点可实现活细胞中NAD+的荧光标记，进而实现有氧糖酵解的细胞的荧光标记与成像，具有低成本、高效、快速、准确性高等优势。同时该技术有助于实现脱落肿瘤细胞的荧光识别、肿瘤极早期预警、肿瘤转移灶检测、肿瘤增殖与恶性程度评估等系列技术的开发。

公开(公告)号：CN1737997A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510027929.4

申请日：2005-07-21

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  陈新义 ,  丁古巧 ,  陈红 ,  何宇亮

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/24

Abstract: 一种半导体材料领域的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法。本发明用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的纳米硅晶粒薄膜，并且其晶界厚度非常狭窄，为2－4个原子层，进一步通过改变磷烷掺杂比例，得到导电性能可控的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜。本发明制备的薄膜中的电子迁移率可以高达102cm2/Vs量级，而且可以通过控制生长条件在很大范围内改变薄膜的电学输运性能，可以方便地调节薄膜的电子浓度、迁移率和电导率，适应半导体器件多方面的需要，另外还具有同目前成熟的硅工艺相结合的优点。