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公开(公告)号：CN107546180B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201710490908.9
申请日：2017-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的是提供可防止由于将外部电极焊接于半导体芯片而产生的问题并减小电流路径的电阻的半导体装置。具备：固定于基板的多个半导体芯片；形成有贯通孔的绝缘板；第1下部导体，其是1个导体，具有形成在该绝缘板下表面的与该多个半导体芯片的任意者电连接的下部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的下部凸出部；第2下部导体，其形成在该绝缘板下表面，与该多个半导体芯片的任意者电连接；上部导体，其是1个导体，具有在该绝缘板上表面形成的上部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的上部凸出部；连接部，其设置于该贯通孔，连接该上部主体和该第2下部导体；以及树脂，其覆盖该半导体芯片和该绝缘板，该下部凸出部和该上部凸出部延伸至该树脂之外。
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公开(公告)号：CN109860124A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811409878.5
申请日：2018-11-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够将从没有添加阻燃剂的树脂产生的气体的影响减小的半导体装置以及具有该半导体装置的电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：半导体元件(6)，其设置于绝缘基板(1)之上；壳体(7)，其设置于绝缘基板(1)的外缘，具有与半导体元件(6)相对的开口部；封装树脂(10)，其在壳体(7)内对半导体元件(6)进行封装；以及盖(11)，其阻塞壳体(7)的开口部，封装树脂(10)不含阻燃剂，盖(11)含有阻燃剂，在封装树脂(10)和盖(11)之间设置间隙。
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公开(公告)号：CN111211060B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201911112072.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L23/043 , H01L23/14 , H02M1/00 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法，其目的在于得到能够高效地散热的半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具备：绝缘基板，其具有有机绝缘层以及设置于该有机绝缘层之上的电路图案；以及半导体芯片，其设置于该电路图案的上表面，该电路图案的厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm。本发明涉及的半导体装置的制造方法在有机绝缘层之上形成厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm的金属层，通过机械加工将该金属层进行图案化而形成电路图案，在该电路图案的上表面设置半导体芯片。
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公开(公告)号：CN111446230B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010027903.4
申请日：2020-01-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/62
Abstract: 提供用于在半导体装置中以较短时间发挥熔断器功能的技术。半导体装置具有：绝缘基板(2)的上表面处的第2接合材料(6c)；半导体元件(1)的上表面处的第3接合材料(6b)；通孔(100)，其从第1电路图案(3b)起经由芯材(3c)而到达至第2电路图案(3a)；通孔的内壁处的导电性膜(4)；以及隔热材料(5)，其在通孔的内部，在俯视观察时被导电性膜包围，导电性膜使第1电路图案与第2电路图案导通。
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公开(公告)号：CN111211060A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911112072.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L23/043 , H01L23/14 , H02M1/00 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法，其目的在于得到能够高效地散热的半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具备：绝缘基板，其具有有机绝缘层以及设置于该有机绝缘层之上的电路图案；以及半导体芯片，其设置于该电路图案的上表面，该电路图案的厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm。本发明涉及的半导体装置的制造方法在有机绝缘层之上形成厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm的金属层，通过机械加工将该金属层进行图案化而形成电路图案，在该电路图案的上表面设置半导体芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110880488A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910815062.0
申请日：2019-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及半导体装置及电力转换装置，目的在于得到能够容易地制造的半导体装置及电力转换装置。该半导体装置具备：多个半导体芯片；中继基板，其设置于多个半导体芯片之上；第1外部电极；以及第2外部电极，中继基板具备：绝缘板，其形成有贯穿孔；下部导体，其设置于绝缘板的下表面，具有与多个半导体芯片的任意者连接的第1下部导体及第2下部导体；上部导体，其设置于绝缘板的上表面；连接部，其设置于贯穿孔，连接第2下部导体和上部导体；以及凸出部，其为第1下部导体及上部导体中的一者的一部分，从绝缘板向外侧凸出，凸出部与第1外部电极连接，第1下部导体及上部导体中的另一者与第2外部电极连接，俯视观察时容纳于绝缘板的内侧。
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公开(公告)号：CN107546180A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710490908.9
申请日：2017-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的是提供可防止由于将外部电极焊接于半导体芯片而产生的问题并减小电流路径的电阻的半导体装置。具备：固定于基板的多个半导体芯片；形成有贯通孔的绝缘板；第1下部导体，其是1个导体，具有形成在该绝缘板下表面的与该多个半导体芯片的任意者电连接的下部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的下部凸出部；第2下部导体，其形成在该绝缘板下表面，与该多个半导体芯片的任意者电连接；上部导体，其是1个导体，具有在该绝缘板上表面形成的上部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的上部凸出部；连接部，其设置于该贯通孔，连接该上部主体和该第2下部导体；以及树脂，其覆盖该半导体芯片和该绝缘板，该下部凸出部和该上部凸出部延伸至该树脂之外。
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公开(公告)号：CN103378025A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310093077.3
申请日：2013-03-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/42 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/373 , H01L23/16 , H01L23/3121 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/40247 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/37099
Abstract: 本发明提供能够抑制热应力导致的翘曲、提高可靠性的半导体装置。散热器3a～3f互相离开而配置。晶体管元件1a～1c安装在散热器3a～3c上，其下表面与散热器3a～3c接合。晶体管元件1d～1f安装在散热器3d～3f上，其下表面与散热器3d～3f接合。模制树脂8覆盖散热器3a～3f及晶体管元件1a～1f。具有比模制树脂8高的刚性的增强部件9在模制树脂8内横穿散热器3a～3f之间的区域而设置。
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公开(公告)号：CN108369933B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201680071859.9
申请日：2016-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种半导体装置(100)，具备板状电极(61)及半导体元件(21、22)，并具有将半导体元件中的表面电极与板状电极利用接合材料(32)进行接合的接合部(32A)，其中，板状电极在与半导体元件相对的相对面(614)上，具有将接合部包围且对上述接合材料具有耐热性的框状构件(52)。
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公开(公告)号：CN104517913B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201410409776.9
申请日：2014-08-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明的目的在于提供一种以低成本兼顾半导体装置的小型化和可靠性的提高的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：陶瓷衬底(1)；多个电路图案(1a)，其配置在陶瓷衬底(1)表面；半导体元件(2)，其配置在至少1个电路图案(1a)的表面；以及封装树脂(4)，其封装陶瓷衬底(1)、多个电路图案(1a)以及半导体元件(2)，在相邻的电路图案(1a)的相对的侧面形成欠切部(1aa)，在欠切部(1aa)中，电路图案(1a)的表面的端部(11)与电路图案(1a)的和陶瓷衬底(1)接触的面的端部(12)相比，向该电路图案(1a)的外侧突出，在欠切部(1aa)中也填充封装树脂(4)。
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