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公开(公告)号：CN109075159A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680084542.9
申请日：2016-10-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供导热性高、且工作性优异的半导体装置。半导体装置(101)具备绝缘基板(13)、半导体元件(11)、管芯接合材料(22)、接合材料(23)以及冷却构件(12)。绝缘基板(13)具有绝缘陶瓷(6)、设置于绝缘陶瓷(6)的一个面的导板(5)以及设置于另一个面的导板(7)。半导体元件(11)经由管芯接合材料(22)设置在导板(5)上。在管芯接合材料(22)中采用烧结金属。半导体元件(11)的弯曲强度为700MPa以上，其厚度为0.05mm以上且0.1mm以下。冷却构件(12)经由接合材料(23)接合于导板(7)。
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公开(公告)号：CN106415833A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201480073732.1
申请日：2014-11-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 曾田真之介
CPC classification number: H01L23/49844 , H01L23/051 , H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2224/40225 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/37099 , H01L2224/84
Abstract: 一种功率半导体模块，在同一面上配置有多个具有在绝缘体的基板的单面形成有表面电极并在另一面形成有背面电极的绝缘基板以及粘着于表面电极的表面的功率半导体元件的半导体元件基板，并且具备对邻接的半导体元件基板之间进行电连接的布线构件，以使至少所配置的多个背面电极全部露出的方式，通过模树脂对半导体元件基板以及布线构件进行了模塑，其中，模树脂在邻接的绝缘基板之间，具有从背面电极侧起的预定深度的未填充构成模树脂的树脂的凹部。
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公开(公告)号：CN113874998A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201980096754.2
申请日：2019-06-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/12
Abstract: 得到能够在可靠地连接半导体芯片的控制信号电极和控制信号端子的同时实现小型化的半导体模块以及电力变换装置。半导体模块具备基体部件(31)、半导体芯片(1)、定位部件(6)以及控制信号端子(4)。半导体芯片(1)搭载于基体部件(31)上。半导体芯片(1)包括控制信号电极(3)。定位部件(6)包括与半导体芯片(1)的外周端部接触的定位部(6a)。定位部件(6)配置于基体部件(31)上。控制信号端子(4)被固定到定位部件(6)。控制信号端子(4)与控制信号电极(3)连接。
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公开(公告)号：CN108475666B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201680079449.9
申请日：2016-11-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 功率模块(101)具备：绝缘电路基板(1)、半导体元件(3)、第一缓冲板(5)、第一及第二接合材料(11)、及散热构件(7)。半导体元件(3)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧。第一缓冲板(5)配置于绝缘电路基板(1)与半导体元件(3)之间，第一接合材料(11)配置于绝缘电路基板(1)与第一缓冲板(5)之间，第二接合材料(11)配置于半导体元件(3)与第一缓冲板(5)之间。散热构件(7)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧的相反侧的另一方的主表面(1b)侧。第一接合材料(11)在俯视时被分割成多个。第一缓冲板(5)的线膨胀系数比半导体元件(3)的线膨胀系数大且比绝缘电路基板(1)的线膨胀系数小。第一缓冲板(5)的杨氏模量比半导体元件(3)的杨氏模量小。
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公开(公告)号：CN110178219A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201880006523.3
申请日：2018-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L21/607 , H01L23/48 , H01L25/18 , H02M7/48
Abstract: 提供在具备电路基板的电力用半导体装置中能够抑制其平面面积的增加的半导体装置、以及具有这样的半导体装置的电力变换装置。半导体装置(101)具备电路基板(1)、功率半导体元件(3)、绝缘性块(5)、控制信号端子(7)、第1主端子(9a)、以及第2主端子(9b)。功率半导体元件(3)被接合到电路基板(1)的一方的主表面上。绝缘性块(5)以包围功率半导体元件(3)的方式配置，功率半导体元件(3)的正上方成为开口部(5c)。控制信号端子(7)以插入于绝缘性块(5)内的方式固定到绝缘性块(5)，包括弯曲部(7t)，弯曲部(7t)从绝缘性块(5)向功率半导体元件(3)之上部分地突出，与功率半导体元件(3)接合。第1主端子(9a)被接合到与被接合有控制信号端子(7)的功率半导体元件(3a)相同的功率半导体元件(3a)。第2主端子(9b)被接合到电路基板(1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108780792A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780019910.6
申请日：2017-02-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/33 , H01L2224/40225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 功率模块(1)具备：包括第一电极(44)的第一功率半导体元件(40)、包括第一收容部(24、27)的树脂框架(20)、以及第一引线框架(50)。第一引线框架(50)具有与第一电极(44)相向的第一主面(53)，并且与第一电极(44)电连接以及机械连接。第一收容部(24、27)与第一引线框架(50)的第一主面(53)相向并接收第一引线框架(50)的一部分。因此，功率模块(1)具有高可靠性并且可以小型化。
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公开(公告)号：CN103529507B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310261976.X
申请日：2013-06-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02B5/30 , G02B5/18 , B23K26/067 , B23K26/382
Abstract: 本发明提供一种制作容易且远红外光的透过光量损失少的透过型的偏振光相位差板以及使用了该偏振光相位差板的激光加工机。偏振光相位差板（100），在基板（102）的至少一方的主面上，由与基板（102）相同的材料形成排列了多个凸部（103）的具有一定的周期P的衍射光栅，利用衍射光栅的构造性双折射。衍射光栅的周期P在入射光的波长为λ、基板材料的折射率为n时，满足P＜λ/n。凸部（103）的截面形状从其底部到顶部形成为锥形状（106）。作为基板材料使用ZnS。
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公开(公告)号：CN103681522A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310423624.X
申请日：2013-09-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/08
CPC classification number: H01L23/564 , H01L23/04 , H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/60 , H01L23/66 , H01L29/78 , H01L2223/6644 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。半导体元件(2)设在衬底(1)上。栅极布线(6)以及源极布线(7)配置于衬底(1)上，分别与半导体元件(2)的栅极电极(3)以及源极电极(4)电连接。窗框部(13)配置于衬底(1)上，包围半导体元件(2)，与栅极布线(6)以及源极布线(7)相接。密封窗(14)接合于窗框部(13)，密封半导体元件(2)。窗框部(13)是具有薄膜电阻为106～1010Ω/□的低熔点玻璃。从而获得能够确保耐湿性、防止高频特性的恶化、提高静电耐量而不增加成本的半导体装置。
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公开(公告)号：CN109075159B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201680084542.9
申请日：2016-10-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供导热性高、且工作性优异的半导体装置。半导体装置(101)具备绝缘基板(13)、半导体元件(11)、管芯接合材料(22)、接合材料(23)以及冷却构件(12)。绝缘基板(13)具有绝缘陶瓷(6)、设置于绝缘陶瓷(6)的一个面的导板(5)以及设置于另一个面的导板(7)。半导体元件(11)经由管芯接合材料(22)设置在导板(5)上。在管芯接合材料(22)中采用烧结金属。半导体元件(11)的弯曲强度为700MPa以上，其厚度为0.05mm以上且0.1mm以下。冷却构件(12)经由接合材料(23)接合于导板(7)。
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公开(公告)号：CN108780792B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201780019910.6
申请日：2017-02-07
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 功率模块(1)具备：包括第一电极(44)的第一功率半导体元件(40)、包括第一收容部(24、27)的树脂框架(20)、以及第一引线框架(50)。第一引线框架(50)具有与第一电极(44)相向的第一主面(53)，并且与第一电极(44)电连接以及机械连接。第一收容部(24、27)与第一引线框架(50)的第一主面(53)相向并接收第一引线框架(50)的一部分。因此，功率模块(1)具有高可靠性并且可以小型化。
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