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公开(公告)号：CN112585299B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201980054658.1
申请日：2019-09-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F3/03
Abstract: 提供一种化学研磨液，其为用于铝或铝合金的化学研磨液，其含有过氧化氢(A)、氟化合物(B)、不属于前述氟化合物(B)的无机酸(C)、和含羟基的烃化合物(D)，前述过氧化氢(A)的含量按前述化学研磨液的总量基准计为2～20质量％，前述氟化合物(B)的以氟原子换算计的含量按前述化学研磨液的总量基准计为3～17质量％，前述无机酸(C)的含量按前述化学研磨液的总量基准计为20～55质量％，前述含羟基的烃化合物(D)的含量按前述化学研磨液的总量基准计为2～15质量％。
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公开(公告)号：CN115836143A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202180040575.4
申请日：2021-06-01
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于适当地去除存在于铜或铜合金的表面的自然氧化膜、有机物的处理液。本发明提供一种化学研磨液，其为用于铜或铜合金的表面处理的化学研磨液，其包含：(A)以前述化学研磨液的总量基准计为0.1～3.5质量％的过氧化氢；(B)以前述化学研磨液的总量基准计为1～20质量％的选自由硫酸和硝酸组成的组中的1种以上；(C)作为按照氟原子换算的含量以前述化学研磨液的总量基准计为0.05～0.8质量％的氟化物；(D)以前述化学研磨液的总量基准计为0.01～1质量％的选自由邻氨基苯甲酸、环己胺、环己醇和1,5‑戊二醇组成的组中的1种以上；(E)以前述化学研磨液的总量基准计为0.0005～0.005质量％的氟系表面活性剂；和(F)水。
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公开(公告)号：CN112055759B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201980026980.3
申请日：2019-04-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明涉及：边抑制铜布线的侧蚀刻的发生、边能对铜箔进行蚀刻的铜箔用蚀刻液和使用其的铜箔的蚀刻方法和印刷电路板的制造方法。另外，本发明涉及：边抑制电解铜层的侧蚀刻的发生、边能对电解铜层进行蚀刻的电解铜层用蚀刻液和使用其的电解铜层的蚀刻方法和铜柱的制造方法。本发明的蚀刻液的特征在于，含有：过氧化氢(A)、硫酸(B)、和选自由5‑氨基‑1H‑四唑、1,5‑五亚甲基四唑和2‑正十一烷基咪唑组成的组中的至少1种唑化合物(C)，过氧化氢(A)相对于硫酸(B)的摩尔比处于6～30的范围内，唑化合物(C)的浓度处于0.001～0.01质量％的范围内，所述蚀刻液实质上不含有磷酸。
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公开(公告)号：CN102138202B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200980131013.X
申请日：2009-07-07
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D7/10 , C11D7/244 , C11D7/261 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02063
Abstract: 本发明提供残渣剥离液组合物及使用其的半导体元件的洗涤方法，所述残渣剥离液组合物在具有由铝(Al)或铝合金构成的金属配线的半导体基板的制造工序中，可将为了形成导通孔而进行干蚀刻及灰化后残留的抗蚀剂残渣及来源于钛(Ti)的残渣在低温、短时间内完全除去，并且不会腐蚀层间绝缘材料、配线材料等部件。该残渣剥离液组合物是含有(A)氟化铵；(B)甲磺酸；(C)具有碳-碳三键的化合物；(D)水溶性有机溶剂；以及(E)水的残渣剥离液组合物，并且，该残渣剥离液组合物中的(A)、(C)、(D)及(E)的含量分别为0.005～2质量％、0.1～10质量％、60～75质量％及5～38质量％，且(B)相对于(A)为0.9～1.5倍量(摩尔比)。
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公开(公告)号：CN102484056B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201080035064.5
申请日：2010-07-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02057 , B81C1/00928
Abstract: 本发明提供能够抑制半导体装置或微机械等金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法。本发明涉及含有磷酸酯和/或聚氧化亚烷基醚磷酸酯的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液、和使用其的金属微细结构体的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103081075A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180041706.7
申请日：2011-07-26
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/02068 , H01L21/32134 , H01L29/51 , H01L29/66545 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种蚀刻液以及使用其的晶体管的制造方法，所述蚀刻液用于晶体管的制造方法中的由硅形成的虚拟栅的蚀刻，选择性地蚀刻该由硅形成的虚拟栅，所述晶体管的制造方法为：利用去除由硅形成的虚拟栅并将其替换为铝金属栅的方法，来制造具有至少由高介电材料膜和铝金属栅形成的层叠体的晶体管的方法。一种硅蚀刻液以及使用其的晶体管的制造方法，其用于上述由硅形成的虚拟栅的蚀刻，所述硅蚀刻液含有：选自氨、二胺以及通式(1)表示的多胺中的至少一种碱性化合物0.1～40重量%，选自通式(2)表示的多元醇中的至少一种5～50重量%，以及水40～94.9重量%。
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公开(公告)号：CN102150242A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135121.4
申请日：2009-09-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/321 , H01L21/02074
Abstract: 本发明提供一种铜布线材料表面保护液，其在制造包含铜布线的半导体电路元件时使用，含有水系溶剂和至少包含3-苯基-2-丙炔-1-醇的炔醇类。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成有包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件的制造中，用上述铜布线材料表面保护液对露出铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板是如下形成的：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法形成铜膜，再通过镀覆法在其上形成铜膜或含有80质量％以上铜的铜合金膜，然后通过化学机械研磨(CMP)进行平坦化。
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公开(公告)号：CN101632042A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880008229.2
申请日：2008-03-06
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/31133 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/36 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/02063
Abstract: 本发明提供一种洗涤用组合物，其是如下所述的半导体元件的洗涤用组合物：在具有低介电常数层间绝缘膜和铜布线或铜合金布线的基板上，依次叠层有机硅氧烷类薄膜和光致抗蚀层后，在该光致抗蚀层上实施选择性曝光/显影处理，形成光致抗蚀图案；接着，将该抗蚀图案作为掩模，在前述有机硅氧烷类薄膜和前述低介电常数层间绝缘膜上实施干蚀刻处理；然后除去前述有机硅氧烷类薄膜、在干蚀刻处理中产生的残渣、因干蚀刻处理而导致改性的改性光致抗蚀剂、以及位于前述改性光致抗蚀剂下层的未改性的光致抗蚀层。该洗涤用组合物含有15～20质量％的过氧化氢、0.0001～0.003质量％的氨基多亚甲基膦酸类、0.02～0.5质量％的氢氧化钾以及水，并且pH为7.5～8.5。此外，还提供一种使用该洗涤用组合物的半导体元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN112055759A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201980026980.3
申请日：2019-04-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明涉及：边抑制铜布线的侧蚀刻的发生、边能对铜箔进行蚀刻的铜箔用蚀刻液和使用其的铜箔的蚀刻方法和印刷电路板的制造方法。另外，本发明涉及：边抑制电解铜层的侧蚀刻的发生、边能对电解铜层进行蚀刻的电解铜层用蚀刻液和使用其的电解铜层的蚀刻方法和铜柱的制造方法。本发明的蚀刻液的特征在于，含有：过氧化氢(A)、硫酸(B)、和选自由5‑氨基‑1H‑四唑、1,5‑五亚甲基四唑和2‑正十一烷基咪唑组成的组中的至少1种唑化合物(C)，过氧化氢(A)相对于硫酸(B)的摩尔比处于6～30的范围内，唑化合物(C)的浓度处于0.001～0.01质量％的范围内，所述蚀刻液实质上不含有磷酸。
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公开(公告)号：CN103098180B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180043424.0
申请日：2011-07-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B81C1/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/0206 , B81C1/00825 , C11D7/3209 , C11D7/3281
Abstract: 本发明提供一种用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其含有选自具有碳原子数12、碳原子数14或碳原子数16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或碳原子数16的烷基的吡啶鎓卤化物和具有碳原子数16或碳原子数18的烷基的卤化铵中的至少一种及水。另外，本发明还提供一种使用该处理液的由氧化硅形成的微细结构体的制造方法。
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