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公开(公告)号：CN105874570A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480072101.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供在包含锌和锡的氧化物的蚀刻中，具有适宜的蚀刻速率，相对于该氧化物的溶解，蚀刻速率的变化小，并且没有析出物的产生，而且对布线材料的腐蚀性小至可以忽视的程度，图案形状的直线性优异的蚀刻液。在本发明中，使用包含组分(A)以及(B)以及水，pH值为?1～1的蚀刻液，组分(A)：选自由硫酸、硝酸、盐酸、甲磺酸、高氯酸、或者这些盐组成的组中的1种以上，组分(B)：草酸或者其盐。
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公开(公告)号：CN105648440B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201510845559.9
申请日：2015-11-26
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/18
Abstract: 本发明涉及液体组合物及使用其的蚀刻方法，所述液体组合物用于对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻，所述蚀刻方法的特征在于使该液体组合物与具有铜或以铜作为主要成分的金属化合物的基板接触。本发明的液体组合物的特征在于，包含：(A)过氧化氢、(B)酸、(C)氟离子供给源、(D)选自由氨基三(亚甲基膦酸)、N,N,N’,N’‑乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)及五亚乙基六胺八(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上化合物、(E)过氧化氢稳定剂、及(F)水，并且所述液体组合物的pH值为5以下。
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公开(公告)号：CN105648439A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510845502.9
申请日：2015-11-26
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明涉及液体组合物及使用其的蚀刻方法，所述液体组合物用于对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻，所述蚀刻方法的特征在于使该液体组合物与具有铜或以铜作为主要成分的金属化合物的基板接触。本发明的液体组合物的特征在于，包含：(A)过氧化氢、(B)不含氟原子的酸、(C)选自由膦酸类、磷酸酯类、1H-四唑-1-乙酸、1H-四唑-5-乙酸及4-氨基-1,2,4-三唑组成的组中的1种以上化合物及(D)水，且该组合物的pH值为5以下。通过使用本发明的液体组合物，可以抑制对含有铟、镓、锌及氧的氧化物的损伤，且对形成在该氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN103911159A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310713080.0
申请日：2013-12-20
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C09K13/06 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻液以及蚀刻方法，其能够适用于包含铟、镓和氧的氧化物或者包含铟、镓、锌和氧的氧化物等至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻中。根据本发明优选的方式，通过使用包含硫酸或其盐、以及羧酸(其中，除了草酸以外)或其盐的蚀刻液，在至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻中，具有合适的蚀刻速率且残渣去除性也良好，对于布线材料的腐蚀性也小，进而即便蚀刻液中溶解的氧化物的浓度成为高浓度，也不产生析出物，并且能够维持合适的蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN103649373A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280032769.0
申请日：2012-06-28
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C09K13/04 , C23F1/16 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H05K3/067 , H05K2201/0338
Abstract: 本发明涉及铜或以铜为主要成分的化合物的蚀刻液、以及使用该蚀刻液的蚀刻方法，所述蚀刻液的特征在于含有(A)马来酸根离子供给源、和(B)铜离子供给源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102985596A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180030089.0
申请日：2011-05-27
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/14
CPC classification number: C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/34 , C23F1/38 , H01L21/32134
Abstract: 提供一种用于包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻液、以及使用其的包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻液，其中配混有(A)分子内具有两个以上羧基、且具有一个以上羟基的有机酸离子供给源、(B)铜离子供给源、以及(C)氨和/或铵离子供给源，所述蚀刻液的pH为5~8；以及使用其的蚀刻方法。
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公开(公告)号：CN105960700B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201580006920.7
申请日：2015-01-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C09K13/04 , C09K13/06
Abstract: 本发明提供一种在包含铟、锌、锡及氧的氧化物的蚀刻中具有适当的蚀刻速率、相对于该氧化物溶解的蚀刻速率的变化小、并且实质上没有析出物的产生、而且对布线材料的腐蚀性小到可以忽略的程度的蚀刻用液体组合物。在本发明中，使用含有(A)选自由硫酸、甲磺酸、或它们的盐组成的组中的1种以上和水、且pH值为‑1～3的蚀刻用液体组合物。
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公开(公告)号：CN105874570B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201480072101.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供在包含锌和锡的氧化物的蚀刻中，具有适宜的蚀刻速率，相对于该氧化物的溶解，蚀刻速率的变化小，并且没有析出物的产生，而且对布线材料的腐蚀性小至可以忽视的程度，图案形状的直线性优异的蚀刻液。在本发明中，使用包含组分(A)以及(B)以及水，pH值为‑1～1的蚀刻液，组分(A)：选自由硫酸、硝酸、盐酸、甲磺酸、高氯酸、或者这些盐组成的组中的1种以上，组分(B)：草酸或者其盐。
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公开(公告)号：CN107099801B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201611175677.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/44
Abstract: 本发明提供对包含铜及钼的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物及使用其的蚀刻方法及显示装置的制造方法。根据本发明，能够提供一种液体组合物，其是用于对包含由以铜为主成分的物质形成的铜层及由以钼为主成分的物质形成的钼层的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物，所述液体组合物包含(A)过氧化氢3～9质量％、(B)酸6～20质量％、(C)碱化合物(其中，不包括咖啡因)1～10质量％、及(D)咖啡因0.1～4质量％，并且pH值为2.5～5.0。
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公开(公告)号：CN105359257B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201480033266.4
申请日：2014-06-12
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32
CPC classification number: C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32 , H01L21/02071 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供从由铟、镓、锌以及氧组成的氧化物(IGZO)的表面清洗和去除含铜附着物而不腐蚀IGZO半导体层、含铜布线的液体组合物，以及使用了该液体组合物的IGZO表面的清洗方法以及利用该清洗方法而清洗的基板。本发明中使用包含选自由羟基羧酸和二羧酸、或它们的盐组成的组中的一种以上且pH值为1.5～10的液体组合物。
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