公开(公告)号：CN1574348A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410059339.5

申请日：2004-06-18

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 吉羽茂治 ,  福田浩和 ,  境春彦

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L29/78 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置。现有单片双型MOSFET是并列两个MOSFET的芯片，使漏极电极短路的结构，故安装面积大，也不能降低漏极电极间的电阻，市场要求的小型化、薄型化也有限。本发明的半导体装置将两个MOSFET的半导体芯片的漏极电极之间直接连接，将两芯片重叠。在双型MOSFET中，不需要将漏极电极导出至外部，仅是两个栅极端子及两个源极端子，故将这四端子利用引线架或导电图案导出至外部。由此可实现装置的小型化及低导通电阻化。

公开(公告)号：CN1420559A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02150650.7

申请日：2002-11-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎 ,  榊原干人 ,  猪爪秀行 ,  境春彦 ,  木村茂夫

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体装置。把化合物半导体芯片固定在冲裁框架的岛上、树脂密封的封装结构有封装尺寸的小型化不进展的问题。反向控制型的情况下，形成芯片尺寸变大、重新作图形成本也会增大的原因。本发明把两个图形在芯片下延伸、芯片固定在图形上，控制端子调换连接处。这样使用同一芯片同一图形、仅以焊接位置就可调换一般图形和反向控制型的图形，所以对用户的要求可迅速并灵活地应对，还可大幅度降低成本。由于是CSP，所以可大大有助于封装的小型化。