公开(公告)号：CN100550194C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610005919.5

申请日：2006-01-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  境直史 ,  山田光一 ,  松下重治

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种和制造工艺的差异无关，在数据读取时，可以抑制读取电压变小的存储器。此存储器包括：电荷蓄积机构；第1场效应型晶体管；数据判断装置。然后，第1场效应型晶体管的控制端子和剩余的一个端子之间的电压被设定为利用第1场效应型晶体管的阈值电压，第1场效应型晶体管为导通状态和截止状态的临界状态附近的截止状态。

公开(公告)号：CN100461300C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510004322.4

申请日：2005-01-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 境直史

IPC: G11C11/409 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 本发明提供一种能够抑制非选择的存储单元的数据消失的干扰现象的存储器。该存储器在对连接在所选择的字线上的所有存储单元总括进行读出动作的基础上，至少还对非选择的存储单元施加和读出动作中施加在非选择的存储单元上的第一电压极性相反的第二电压。

公开(公告)号：CN100431044C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200410085731.7

申请日：2004-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 坛彻 ,  境直史 ,  松下重治 ,  石塚良行

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提供能抑制未选择存储单元的数据消失的干扰现象的存储器。该存储器具有由包含位线、配置为与位线交叉的字线、连接在位线和字线之间的存储单元的存储单元阵列，由于对选择的存储单元访问，在任意的存储单元中发生剩余极化量的恶化后，对全部存储单元进行用于恢复到写入动作后的剩余极化量或外加1次在访问时未选择的存储器上作用的电压的剩余极化量的恢复动作。

公开(公告)号：CN100419910C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN03110799.0

申请日：2003-03-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 境直史

IPC: G11C11/4063 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/3418 ,  G11C11/22

Abstract: 提供一种可抑制非选择单元中的干扰现象的存储器。该存储器具备位线、与位线交叉配置的字线、和连接在位线和字线之间的第1存储部件，其中，通过读取动作和再写入动作，向非选择存储器单元的第1存储部件按各相同次数施加彼此反向的电压，或实质上不施加电压，同时，在由读取动作读取的数据为第1数据的情况和第2数据的情况下，变更再写入动作方法。

公开(公告)号：CN1825475A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005919.5

申请日：2006-01-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  境直史 ,  山田光一 ,  松下重治

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种和制造工艺的差异无关，在数据读取时，可以抑制读取电压变小的存储器。此存储器包括：电荷蓄积机构；第1场效应型晶体管；数据判断装置。然后，第1场效应型晶体管的控制端子和剩余的一个端子之间的电压被设定为利用第1场效应型晶体管的阀值电压，第1场效应型晶体管为导通状态和截止状态的临界状态附近的截止状态时的阀值电压。

公开(公告)号：CN1452179A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03110799.0

申请日：2003-03-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 境直史

IPC: G11C11/4063 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/3418 ,  G11C11/22

Abstract: 提供一种可抑制非选择单元中的干扰现象的存储器。该存储器具备位线、与位线交叉配置的字线、和连接在位线和字线之间的第1存储部件，其中，通过读取动作和再写入动作，向非选择存储器单元的第1存储部件按各相同次数施加彼此反向的电压，或实质上不施加电压，同时，在由读取动作读取的数据为第1数据的情况和第2数据的情况下，变更再写入动作方法。