公开(公告)号：CN100361283C

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200310102406.2

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李基龙

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种制造使用双重或多重栅极的薄膜晶体管(TFT)的方法，其通过计算包括Nmax，即根据有源沟道的长度，在有源沟道区中的晶粒界面的最大数量的概率，并调整有源沟道之间的间隙，该间隙能够在确定了形成TFT衬底的多晶硅的晶粒的尺寸Gs、“主”晶粒界面相对垂直于栅极的有源沟道方向的方向倾斜的角度θ、有源沟道的宽度和有源沟道的长度的情况下，使采用双重或多重栅极的TFT的每个有源沟道区中的晶粒界面的数量一致。

公开(公告)号：CN1310338C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN03101694.4

申请日：2003-01-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696

Abstract: 用于TFT(薄膜晶体管)的多晶硅薄膜以及使用TFT的显示装置，其中晶界的数目对载流子的运动施加重大影响，提供工作通道之间的距离“S”满足S＝mGs·secθ-L的关系的双通道或多通道TFT，并且提供通过同步化双通道或多通道的每个通道中所包含的晶界数目而提高TFT特征均匀性的显示器件：S＝mGs·secθ-L在上式中，Gs为多晶硅薄膜的晶粒尺寸，m为1或更大的整数，θ为倾斜角，即主晶界(“初级”晶界)沿垂直于工作通道的方向倾斜的角度，L为每个具有双通道或多通道的TFT的工作通道的长度。

公开(公告)号：CN1713397A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200410075887.7

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  李基龙 ,  梁泰勋 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1296 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种薄膜晶体管及其制造方法。在薄膜晶体管中，在半导体层图案而不是在结区中存在晶种或晶粒边界。该法包括形成半导体层图案。该形成的半导体层图案，包括：在非晶硅层上形成和图案化第一覆盖层；在第一覆盖层图案上形成第二覆盖层；在第二覆盖层上形成金属催化剂层；扩散金属催化剂；以及结晶非晶硅层以形成多晶硅层。因此，可以阻止在结区中产生阱，从而获得改善的和均匀特性的器件。

公开(公告)号：CN1649174A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410103744.2

申请日：2004-11-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种通过使用金属诱导横向晶化工艺形成的薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括绝缘衬底、由多晶硅形成的、并具有源极/漏极区和沟道区的有源层、以及在栅极绝缘层上形成的栅极电极。该有源层具有至少两个金属诱导横向晶化(MILC)区域。

公开(公告)号：CN1599080A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410089964.4

申请日：2004-06-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L29/42384

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及平板显示装置。该薄膜晶体管具有布置于基底上的半导体层、布置于基底上和半导体层上的栅极绝缘层、以及布置于栅极绝缘层上的栅极，栅极绝缘层布置成厚度为从等于半导体层厚度至半导体厚度的1.5倍。栅极绝缘层可仅是氮化物层、仅是氧化物层、或由氮化物层和氧化物层两者构成的叠层膜。该薄膜晶体管能结合在用于平板显示装置的构造中。

公开(公告)号：CN100448029C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200410075887.7

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  李基龙 ,  梁泰勋 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1296 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种薄膜晶体管及其制造方法。在薄膜晶体管中，在半导体层图案而不是在结区中存在晶种或晶粒边界。该法包括形成半导体层图案。该形成的半导体层图案，包括：在非晶硅层上形成和图案化第一覆盖层；在第一覆盖层图案上形成第二覆盖层；在第二覆盖层上形成金属催化剂层；扩散金属催化剂；以及结晶非晶硅层以形成多晶硅层。因此，可以阻止在结区中产生阱，从而获得改善的和均匀特性的器件。

公开(公告)号：CN101315883A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810108798.6

申请日：2008-06-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远 ,  李基龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供制作多晶硅层的方法，包括：在衬底上形成非晶硅层；利用结晶诱导金属使非晶硅层结晶为多晶硅层；形成与多晶硅层中沟道区之外的区域相对应的多晶硅层的上方和下方接触的金属层图案或者金属硅化物层图案；以及退火该衬底以将存在于多晶硅层沟道区中的结晶诱导金属吸到具有金属层图案或者金属硅化物层图案的多晶硅层区域。此外，存在于多晶硅沟道区中的结晶诱导金属可以有效地去除，并且从而可以制作具有改良泄露电流特性的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的OLED显示装置。

公开(公告)号：CN100419816C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200410003283.1

申请日：2004-02-03

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴志容 ,  朴惠香 ,  李基龙 ,  李乙浩

IPC: G09F9/30 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02675 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1233 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3297 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种平板显示器。此平板显示器包括发光器件以及二个或更多个具有带沟道区的半导体有源层的薄膜晶体管(TFT)，其中，各个TFT的沟道区的厚度彼此不同。于是，能够保持开关TFT的更高的开关性质，能够满足驱动TFT的更为均匀的亮度，并能够满足白色平衡而无须改变TFT有源层的尺寸。

公开(公告)号：CN101252150A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200710307439.9

申请日：2007-12-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  朴炳建 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种薄膜晶体管，包括：衬底；设置在衬底上的半导体层，包括源极区域、漏极区域和沟道区域，并且由多晶硅层构成；设置成与半导体层的沟道区域对应的栅极电极；设置在半导体层和栅极电极之间的栅极绝缘层；以及分别电连接到半导体层的源极区域和漏极区域的源极电极和漏极电极，其中，多晶硅层包括相互具有不同拉曼谱峰值的多个区域。

公开(公告)号：CN101211963A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710300854.1

申请日：2007-12-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  朴炳建 ,  李基龙 ,  丁世桓

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/544 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1285 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2300/0861 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1296 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示器及其制造方法，在该有机发光显示器中，在非显示区中形成对准标记。该有机发光显示器包括：基底，具有显示区和非显示区；缓冲层，形成在整个基底上；有源层；栅极绝缘层；栅电极，对应于有源层形成在栅极绝缘层上；层间介电层，形成在栅极绝缘层上；源/漏电极，形成在层间介电层上，并电结合到有源层；绝缘层，形成在源/漏电极上；有机发光二极管，形成在绝缘层上，并电结合到源/漏电极。此外，该有机发光显示器包括形成在基底和缓冲层中的一个上的对准标记。