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公开(公告)号：CN101339953A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810111244.1
申请日：2008-06-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3227 , H01L27/3269
Abstract: 本发明公开一种有机发光元件及其制造方法。该有机发光元件包括：形成于基板上的有机发光二极管，其连接至具有栅极、源极和漏极的晶体管，并包括第一电极、有机薄膜层和第二电极；形成于基板上的光电二极管，其包括具有高浓度P掺杂区、低浓度P掺杂区、高浓度N掺杂区和本征区的半导体层；以及控制器，其通过根据从所述光电二极管输出的电压控制施加到第一电极和第二电极的电压，来将有机发光二极管所发出光的亮度控制在恒定的水平。
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公开(公告)号：CN1967779A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610121897.9
申请日：2004-02-05
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L21/00 , B23K26/073
CPC classification number: H01L21/02532 , B23K26/073 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , H01L21/0268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78672 , H01L29/78696 , Y10S438/945
Abstract: 本发明公开了一种用于显示器设备的多晶硅薄膜，该薄膜具有彼此不平行的相邻主晶粒间界，其中被主晶粒间界包围的面积大于1μm2，还公开了一种多晶硅薄膜的制造方法，以及用该方法制造的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1297008C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200410004153.X
申请日：2004-02-13
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/092 , G02F1/136 , G09G3/00
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 一种CMOS薄膜晶体管以及使用该CMOS薄膜晶体管的显示器件改善了诸如电流迁移率和阈值电压这样的电特性。该CMOS薄膜晶体管被制造得使P型薄膜晶体管的有源沟道的方向与N型薄膜晶体管的有源沟道的方向彼此不同。包含在P型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们相对于有源沟道方向呈大约60°至大约120°的角。包含在N型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们呈大约-30至大约30°的角。该有源沟道形成在多晶硅中。
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公开(公告)号：CN1619775A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410103815.9
申请日：2004-10-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L21/0268 , B23K26/066 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02691 , H01L21/2026
Abstract: 本发明涉及制造多晶硅薄膜的方法，其中使用具有激光可透图形组和激光不可透图形组的混合结构的掩膜，通过激光使非晶硅结晶，其中掩膜包括两个或者多个点图形组，其中不可透图形垂直于扫描方向轴，且点图形组具有一定的形状，并且包括第一不可透图形，其在垂直于扫描方向轴的方向上各自地不排成一列，以及与第一不可透图形相同布置地形成的第二不可透图形，但以使第二不可透图形与第一不可透图形平行并平行于与扫描方向轴垂直的轴的方式被定位。
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公开(公告)号：CN100394617C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410003656.5
申请日：2004-02-05
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/00 , H05B33/00
CPC classification number: H01L21/02532 , B23K26/073 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , H01L21/0268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78672 , H01L29/78696 , Y10S438/945
Abstract: 本发明公开了一种用于显示器设备的多晶硅薄膜，该薄膜具有彼此不平行的相邻主晶粒间界，其中被主晶粒间界包围的面积大于1μm2，还公开了一种多晶硅薄膜的制造方法，以及用该方法制造的薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100375233C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410100598.8
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/20 , B23K26/00 , C30B28/00
CPC classification number: H01L21/02678 , C30B13/22 , C30B29/06 , C30B29/605 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/78672
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅薄膜的制造方法，该方法通过使用具有激光透射区和非透射区混合结构的掩模而能够利用激光得到均匀结晶的多晶硅薄膜，其中激光透射区基于激光扫描方向轴线不对称，激光透射区基于某一中心轴线对称，将激光透射区在平行于该中心轴线的另一轴线的方向上移动一定距离，从而使激光透射区和非激光透射区交替地设置。
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公开(公告)号：CN100342495C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410103815.9
申请日：2004-10-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L21/0268 , B23K26/066 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02691 , H01L21/2026
Abstract: 本发明涉及制造多晶硅薄膜的方法，其中使用具有激光可透图形组和激光不可透图形组的混合结构的掩膜，通过激光使非晶硅结晶，其中掩膜包括两个或者多个点图形组，其中不可透图形垂直于扫描方向轴，且点图形组具有一定的形状，并且包括第一不可透图形，其在垂直于扫描方向轴的方向上各自地不排成一列，以及与第一不可透图形相同布置地形成的第二不可透图形，但以使第二不可透图形与第一不可透图形平行并平行于与扫描方向轴垂直的轴的方式被定位。
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公开(公告)号：CN1324696C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410071242.6
申请日：2004-07-16
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。
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