公开(公告)号：CN114256228A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111120502.4

申请日：2021-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在夏 ,  金珍泰 ,  梁承贤 ,  许东渊

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种包括标准单元的半导体装置。标准单元包括：有源区；与有源区交叉的栅极结构；包括第一电源线和第二电源线的第一导电结构；和设置在第一导电结构上的第二导电结构，第二导电结构包括沿着第一边界彼此间隔开并且电连接至第一电源线的第一电力分布图案、沿着第二边界彼此间隔开并且电连接至第二电源线的第二电力分布图案、设置在第一电力分布图案与第二电力分布图案之间并且与它们间隔开并且电连接至信号线的第一部分的网状金属线、以及电连接至信号线的第二部分的引脚金属线。

公开(公告)号：CN112713135A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011096148.1

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍泰 ,  金夏永 ,  金信佑 ,  裵武奎 ,  李在夏

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/092 ,  H01L27/02

Abstract: 公开一种半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的逻辑单元，该衬底包括在第一方向上彼此间隔开的第一有源区域和第二有源区域，该逻辑单元包括：第一有源图案和第二有源图案，分别在第一有源区域和第二有源区域上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；多个栅电极，在第一方向上延伸并且每个横跨第一有源图案和第二有源图案；多条第一连接配线，在所述多个栅电极上的第一层间电介质层中并在第二方向上彼此平行地延伸；以及多条第二连接配线，在第一层间电介质层上的第二层间电介质层中并在第一方向上彼此平行地延伸。

公开(公告)号：CN119562883A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202380053799.8

申请日：2023-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权纯范 ,  李在夏 ,  崔敏恩 ,  崔俊荣

IPC: B25J9/16 ,  B25J13/08 ,  B25J19/02 ,  G05D1/43

Abstract: 公开了一种机器人装置。所述机器人装置包括：存储器；传感器；以及至少一个处理器，所述至少一个处理器基于从所述传感器接收的感测数据，获取与所述机器人装置所位于的空间相对应的地图、以及分别与包括在所述地图中的多个区域相对应的可靠性值，并将所述地图和所述多个可靠性值存储在存储器中。所述至少一个处理器基于分别与所述多个区域相对应的可靠性值来识别与等于或高于阈值的可靠性值相对应的至少一个区域，并基于所识别的至少一个区域识别所述机器人装置在所述空间中的移动路径。

公开(公告)号：CN115642157A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210803301.2

申请日：2022-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在夏 ,  金亨珪 ,  柳泰俊 ,  千云先

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/02

Abstract: 根据本发明构思的实施例的半导体装置包括多个标准单元，所述多个标准单元位于平行于衬底的上表面并且彼此相交的第一方向和第二方向上，并且所述多个标准单元中的每一个标准单元具有一个或更多个栅极结构以及一个或更多个有源区，并且在提供相同电路且在标准单元区域中位于不同位置处的一些标准单元中，输入线或/和输出线位于不同位置。

公开(公告)号：CN114975476A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210163044.0

申请日：2022-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金信佑 ,  金昌汎 ,  李在夏 ,  赵斗熙 ,  崔在完

IPC: H01L27/12

Abstract: 一种集成电路，包括第一电源线，所述第一电源线在第一方向上延伸并且在不同于第一方向的第二方向上彼此间隔开。第二电源线在第一方向上延伸，并且放置在在第二方向上彼此相邻的第一电源线之间。去耦填充单元放置在在第二方向上彼此相邻的第一电源线之间。所述去耦填充单元包括由去盖晶体管形成的去耦电容器区，所述去盖晶体管包括栅电极和第一导电类型的第一源极/漏极区。栅电极连接至第二电源线，第一源极/漏极区连接至第一电源线，并且第二电源线穿过去耦电容器区。

公开(公告)号：CN113571509A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110441277.8

申请日：2021-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍泰 ,  李在夏 ,  许东渊

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种半导体装置，其包括在衬底上的第一标准单元和第二标准单元，第一标准单元和第二标准单元具有各自的半导体元件和电连接到半导体元件的第一互连线。提供布线结构，布线结构设置在第一标准单元和第二标准单元上。布线结构包括电连接到第一互连线的第二互连线。第一互连线包括被构造为向半导体元件供电的第一电力传输线和电耦接到半导体元件的第一信号传输线。第二互连线包括：(i)第二电力传输线，其电连接到第一电力传输线并且延伸第一长度，(ii)第二信号传输线，其电连接到第一信号传输线，以及(iii)钉线，其电连接到第一电力传输线，在第一标准单元和第二标准单元之间的边界上延伸，并且延伸小于第一长度的第二长度。

公开(公告)号：CN112086450A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010528595.3

申请日：2020-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在夏 ,  金夏永 ,  李奉炫 ,  李昭荣 ,  赵庸恩

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  G06F30/3947

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：在衬底上的逻辑单元，逻辑单元包括在第一方向上间隔开的第一有源区域和第二有源区域；在第一和第二有源区域上并在第二方向上延伸的第一和第二有源图案；在第一和第二有源图案上的第一和第二源极/漏极图案；栅电极，在第一方向上延伸以跨越第一和第二有源图案，并在第二方向上以第一节距排列；第一配线，在栅电极上的第一层间电介质层中并且每个电连接到第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案或栅电极；以及第二配线，在第一层间电介质层上的第二层间电介质层中，并在第一方向上彼此平行地延伸。

公开(公告)号：CN106057794A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610204802.3

申请日：2016-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐在禹 ,  李在夏

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/82 ,  H01L27/0203

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法包括设置用于形成第一单元和第二单元的前导电线。第一单元和第二单元在第一方向上彼此相邻。第一单元的第一导电线沿与第一方向垂直的第二方向延伸并且与第一单元和第二单元之间的边界相邻。第二单元的第二导电线和第三导电线沿第一方向延伸并且与边界相邻。第二导电线和第三导电线分别设置在沿第一方向延伸的多条轨道之中的两条不相邻的轨道上。第一导电线与所述两条不相邻的轨道中的一条轨道以及设置在所述两条不相邻的轨道之间的一条轨道相交。

公开(公告)号：CN105515556A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510665041.7

申请日：2015-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐在禹 ,  朴城贤 ,  林优镇 ,  金夏永 ,  李在夏 ,  金龙浩

IPC: H03K17/28

CPC classification number: H03K5/12 ,  H03K5/13 ,  H03K17/687 ,  H03K2005/00215

Abstract: 提供了双向延迟电路及包括该双向延迟电路的集成电路。所述双向延迟电路包括输入驱动电路和延迟开关电路。输入驱动电路连接在输入节点与中间节点之间，输入驱动电路放大通过输入节点接收到的输入信号以产生通过中间节点的中间信号。延迟开关电路连接在中间节点与延迟节点之间，延迟开关电路响应于栅极信号来使中间信号的上升沿和下降沿延迟以产生通过延迟节点的延迟信号。栅极信号可以响应于输入信号而转变。使用响应于输入信号而转变的栅极信号，输入信号的上升沿和下降沿均被延迟，从而用较小的电路面积来实现较大的延迟量。