半导体器件
    1.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN114388494A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202111140781.0

    申请日:2021-09-28

    Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括:在第一方向上延伸的多条电源线;第一晶体管,每个第一晶体管形成在第一区域中并具有第一阈值电压;以及第二晶体管,每个第二晶体管形成在第二区域中并具有高于第一阈值电压的第二阈值电压。所述多条电源线中的一条插置在第一区域和第二区域之间,第一晶体管实现多路复用器的第一部分、时钟缓冲器和第一锁存器,该多路复用器的第一部分、时钟缓冲器和第一锁存器设置在数据路径上,第二晶体管实现多路复用器电路的第二部分和第二锁存器,该多路复用器电路的第二部分和第二锁存器设置在反馈路径上,多路复用器电路的第一部分和多路复用器电路的第二部分沿着第一方向设置在公共位置。

    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN114256228A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202111120502.4

    申请日:2021-09-24

    Abstract: 提供了一种包括标准单元的半导体装置。标准单元包括:有源区;与有源区交叉的栅极结构;包括第一电源线和第二电源线的第一导电结构;和设置在第一导电结构上的第二导电结构,第二导电结构包括沿着第一边界彼此间隔开并且电连接至第一电源线的第一电力分布图案、沿着第二边界彼此间隔开并且电连接至第二电源线的第二电力分布图案、设置在第一电力分布图案与第二电力分布图案之间并且与它们间隔开并且电连接至信号线的第一部分的网状金属线、以及电连接至信号线的第二部分的引脚金属线。

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