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公开(公告)号：CN103489896A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310231295.9
申请日：2013-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/267 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及其制造方法。所述氮化镓基半导体器件包括同时掺杂有相对较高浓度的硼（B）和锗（Ge）的硅基衬底、所述硅基衬底上的缓冲层、以及所述缓冲层上的氮化物叠层。硼（B）和锗（Ge）的掺杂浓度可以大于1×1019/cm3。
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公开(公告)号：CN101997071B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201010256572.8
申请日：2010-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 本发明涉及衬底结构及其制造方法。通过在缓冲层之下形成衬底的突出区域以及在缓冲层上形成半导体层而制造衬底结构，由此在除了在形成突出部的区域以外的区域将衬底与缓冲层分开。不与衬底接触的缓冲层上的半导体层具有独立特性，可以减少或防止位错或裂纹。
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公开(公告)号：CN104425665A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410431583.3
申请日：2014-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/32
Abstract: 根据示例实施例，一种半导体发光器件包括第一半导体层、第一半导体层上的凹坑扩大层、凹坑扩大层上的有源层、空穴注入层以及空穴注入层上的第二半导体层。第一半导体层掺杂有第一导电类型的掺杂物。凹坑扩大层的上表面和有源层的侧表面在位错上限定了具有斜表面的凹坑。凹坑为倒棱锥形空间。空穴注入层位于有源层的顶表面和凹坑的斜表面上。第二半导体层掺杂有与第一导电类型不同的第二导电类型的掺杂物。
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公开(公告)号：CN107658243B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201710619640.4
申请日：2017-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请提供了一种用于制造衬底的设备，包括：沉积室壳体，其容纳生长衬底；供给喷嘴，其将用于在生长衬底上形成目标大尺寸衬底的沉积气体供应至沉积室壳体中；基座，其支撑生长衬底并且将生长衬底的后表面暴露于蚀刻气体；以及内衬，其连接至基座。内衬将蚀刻气体与沉积气体隔离，并且将蚀刻气体引向生长衬底的后表面。基座包括暴露生长衬底的后表面的中心孔以及支撑生长衬底的支撑突出物，支撑突出物从基座的限定了中心孔的内侧壁朝向中心孔的中心突出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107240355B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710196508.7
申请日：2017-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09F9/30
Abstract: 本公开涉及显示面板和多画面设备。一种多画面设备可以包括显示面板，该显示面板包括显示屏，该显示屏包括第一区域和邻近的第二区域。第一区域可以包括第一像素，第二区域可以包括第二像素。第一像素和第二像素具有不同的结构。显示面板可以显示横跨显示屏的第一区域和第二区域的单个图像。多画面设备可以包括互连的显示面板的阵列，该互连的显示面板的阵列被配置为基于每个给定的显示面板在所述给定的显示面板的第一和第二区域中显示单独的子图像而共同地显示图像。
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公开(公告)号：CN107978659A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710984379.8
申请日：2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: C30B25/186 , C30B25/02 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B25/183 , C30B29/06 , C30B29/406 , C30B33/12 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/7806 , H01L33/0079 , H01L33/0075
Abstract: 本申请涉及一种制造GaN衬底的方法。在制造GaN衬底的方法中，可在硅衬底的第一表面上形成覆盖层。可在硅衬底的第二表面上形成缓冲层。第二表面可与第一表面相对。通过执行氢化物气相外延工艺，可在缓冲层上形成GaN衬底。可移除覆盖层和硅衬底。
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公开(公告)号：CN107658243A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710619640.4
申请日：2017-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
CPC classification number: C30B25/165 , C23C14/0617 , C23C14/221 , C23C14/54 , C23C16/01 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C23C16/455 , C23C16/4585 , C23C16/52 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01J37/00 , H01L21/02002 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/68721 , H01L21/68735 , H01L21/7806 , H01L21/67011 , H01L21/68785
Abstract: 本申请提供了一种用于制造衬底的设备，包括：沉积室壳体，其容纳生长衬底；供给喷嘴，其将用于在生长衬底上形成目标大尺寸衬底的沉积气体供应至沉积室壳体中；基座，其支撑生长衬底并且将生长衬底的后表面暴露于蚀刻气体；以及内衬，其连接至基座。内衬将蚀刻气体与沉积气体隔离，并且将蚀刻气体引向生长衬底的后表面。基座包括暴露生长衬底的后表面的中心孔以及支撑生长衬底的支撑突出物，支撑突出物从基座的限定了中心孔的内侧壁朝向中心孔的中心突出。
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公开(公告)号：CN101740694B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN200910225274.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。本发明提供一种采用晶片接合方法制造的发光二极管(LED)以及通过采用晶片接合方法制造LED的方法。晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插设由金属形成的应力弛豫层。当采用应力弛豫层时，由于金属的柔性，接合基板和生长基板之间的应力可以被抵消，并且由此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。
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公开(公告)号：CN101997071A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010256572.8
申请日：2010-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 本发明涉及衬底结构及其制造方法。通过在缓冲层之下形成衬底的突出区域以及在缓冲层上形成半导体层而制造衬底结构，由此在除了在形成突出部的区域以外的区域将衬底与缓冲层分开。不与衬底接触的缓冲层上的半导体层具有独立特性，可以减少或防止位错或裂纹。
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