-
公开(公告)号：CN117423718A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310865016.8
申请日：2023-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示设备包括：电路板，其包括驱动电路；以及像素阵列，其设置在电路板上并包括像素，像素中的每一个具有多个子像素。像素阵列包括：半导体堆叠件、导电分隔结构和波长转换部分。半导体堆叠件包括分别构成多个子像素的LED单元。LED单元中的每一个至少包括有源层和第二导电类型半导体层。导电分隔结构设置在位于半导体堆叠件上的分别与LED单元重叠的子像素空间之间，并被设置为第一电极。波长转换部分分别设置在子像素空间上。
-
公开(公告)号：CN106206863B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610364734.7
申请日：2016-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底。所述制造半导体衬底的方法可以包括：在生长衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层中形成多个开口，所述多个开口穿过所述缓冲层并且彼此分隔开；在所述生长衬底上形成多个腔，所述多个腔排列为分别对应于所述多个开口；在所述缓冲层上生长半导体层，生长所述半导体层包括用所述半导体层填充所述多个开口；以及将所述缓冲层和所述半导体层从所述生长衬底分离，其中所述生长衬底与所述缓冲层之间的分界处的所述多个开口中的每一个的直径小于所述分界处的所述多个腔中的每一个的直径。
-
公开(公告)号：CN107658243B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201710619640.4
申请日：2017-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请提供了一种用于制造衬底的设备，包括：沉积室壳体，其容纳生长衬底；供给喷嘴，其将用于在生长衬底上形成目标大尺寸衬底的沉积气体供应至沉积室壳体中；基座，其支撑生长衬底并且将生长衬底的后表面暴露于蚀刻气体；以及内衬，其连接至基座。内衬将蚀刻气体与沉积气体隔离，并且将蚀刻气体引向生长衬底的后表面。基座包括暴露生长衬底的后表面的中心孔以及支撑生长衬底的支撑突出物，支撑突出物从基座的限定了中心孔的内侧壁朝向中心孔的中心突出。
-
公开(公告)号：CN110010734B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201811521399.2
申请日：2018-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 紫外半导体发光器件包括半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极。半导体堆叠包括第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及在它们之间的有源层，有源层包括AlGaN半导体材料。沟槽延伸通过第二导电类型的半导体层和有源层到达第一导电类型的半导体层并具有第一宽度。填充绝缘体填充沟槽，使得填充绝缘体在沟槽中至少延伸通过有源层，并且包括具有特定折射率的绝缘材料。第一电极连接到第一导电类型的半导体层，第二电极连接到第二导电类型的半导体层。
-
公开(公告)号：CN110034214A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811509616.6
申请日：2018-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；穿过第二导电半导体层和有源层的多个孔；沿着发光堆叠件的边缘延伸的沟槽，所述沟槽延伸穿过第二导电半导体层和有源层；以及位于所述多个孔内和沟槽内的反射金属层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110010734A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811521399.2
申请日：2018-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 紫外半导体发光器件包括半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极。半导体堆叠包括第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及在它们之间的有源层，有源层包括AlGaN半导体材料。沟槽延伸通过第二导电类型的半导体层和有源层到达第一导电类型的半导体层并具有第一宽度。填充绝缘体填充沟槽，使得填充绝缘体在沟槽中至少延伸通过有源层，并且包括具有特定折射率的绝缘材料。第一电极连接到第一导电类型的半导体层，第二电极连接到第二导电类型的半导体层。
-
公开(公告)号：CN107978659A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710984379.8
申请日：2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: C30B25/186 , C30B25/02 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B25/183 , C30B29/06 , C30B29/406 , C30B33/12 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/7806 , H01L33/0079 , H01L33/0075
Abstract: 本申请涉及一种制造GaN衬底的方法。在制造GaN衬底的方法中，可在硅衬底的第一表面上形成覆盖层。可在硅衬底的第二表面上形成缓冲层。第二表面可与第一表面相对。通过执行氢化物气相外延工艺，可在缓冲层上形成GaN衬底。可移除覆盖层和硅衬底。
-
公开(公告)号：CN107658243A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710619640.4
申请日：2017-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
CPC classification number: C30B25/165 , C23C14/0617 , C23C14/221 , C23C14/54 , C23C16/01 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C23C16/455 , C23C16/4585 , C23C16/52 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01J37/00 , H01L21/02002 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/68721 , H01L21/68735 , H01L21/7806 , H01L21/67011 , H01L21/68785
Abstract: 本申请提供了一种用于制造衬底的设备，包括：沉积室壳体，其容纳生长衬底；供给喷嘴，其将用于在生长衬底上形成目标大尺寸衬底的沉积气体供应至沉积室壳体中；基座，其支撑生长衬底并且将生长衬底的后表面暴露于蚀刻气体；以及内衬，其连接至基座。内衬将蚀刻气体与沉积气体隔离，并且将蚀刻气体引向生长衬底的后表面。基座包括暴露生长衬底的后表面的中心孔以及支撑生长衬底的支撑突出物，支撑突出物从基座的限定了中心孔的内侧壁朝向中心孔的中心突出。
-
公开(公告)号：CN110010740B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201811486130.5
申请日：2018-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种紫外发光装置，包括：第一导电类型AlGaN半导体层；有源层，其设置在所述第一导电类型AlGaN半导体层上并且具有AlGaN半导体；第二导电类型AlGaN半导体层，其设置在所述有源层上，并且具有被划分为第一区域和第二区域的上表面；第二导电类型氮化物图案，其设置在所述第二导电类型AlGaN半导体层的第一区域上，并且所述第二导电类型氮化物图案的能带隙小于所述第二导电类型AlGaN半导体层的能带隙；透明电极层，其覆盖所述第二导电类型氮化物图案和所述第二导电类型AlGaN半导体层的第二区域；透光介电层，其设置在所述第二导电类型氮化物图案之间的透明电极层上；以及金属电极，其设置在覆于所述第二导电类型氮化物图案上的透明电极层上以及所述透光介电层上。
-
公开(公告)号：CN117410303A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310864826.1
申请日：2023-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示设备，包括：电路衬底，其包括驱动器电路和第一接合电极；以及像素阵列，其在电路衬底上并且包括各自包括第一子像素至第三子像素的多个像素和接合至第一接合电极的第二接合电极，像素阵列还包括：多个第一LED单元，其分别对应于第一子像素和第三子像素，并且各自包括第一导电类型半导体层、第一有源层和第二导电类型半导体层；多个第二LED单元，其分别对应于第二子像素，并且各自包括第一导电类型半导体层、第二有源层和第二导电类型半导体层；第一电极，其延伸以覆盖多个第一LED单元和多个第二LED单元的上表面并且共同连接至第一导电类型半导体层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.023 seconds)
