公开(公告)号：CN103151374A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210526107.0

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  吴在浚 ,  李在垣 ,  崔孝枝 ,  河种奉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开一种高电子迁移率晶体管。该高电子迁移率晶体管包括第一半导体层、形成在第一半导体层上的第二半导体层、以及形成在第二半导体层上的反二极管栅结构。

公开(公告)号：CN103066121B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201210211463.3

申请日：2012-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  吴在浚 ,  李在垣 ,  崔孝枝

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7789

Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管包括形成在基板上的沟道层、沟道上的第一沟道供应层、耗尽层、第二沟道供应层、第一沟道供应层上的源电极和漏电极、以及耗尽层上的栅电极。沟道层包括2DEG沟道以及耗尽区，2DEG沟道配置为产生二维电子气；第一沟道供应层对应于所述2DEG沟道，并限定暴露所述耗尽区的开口。耗尽层在沟道层的所述耗尽区上。第二沟道供应层在所述耗尽层和所述耗尽区之间。

公开(公告)号：CN103151374B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201210526107.0

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  吴在浚 ,  李在垣 ,  崔孝枝 ,  河种奉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开一种高电子迁移率晶体管。该高电子迁移率晶体管包括第一半导体层、形成在第一半导体层上的第二半导体层、以及形成在第二半导体层上的反二极管栅结构。

公开(公告)号：CN103489896B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201310231295.9

申请日：2013-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓泳助 ,  金在均 ,  金峻渊 ,  李在垣 ,  崔孝枝

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及其制造方法。所述氮化镓基半导体器件包括同时掺杂有相对较高浓度的硼（B）和锗（Ge）的硅基衬底、所述硅基衬底上的缓冲层、以及所述缓冲层上的氮化物叠层。硼（B）和锗（Ge）的掺杂浓度可以大于1×1019/cm3。

公开(公告)号：CN103578926A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310347252.7

申请日：2013-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓泳助 ,  金在均 ,  金柱成 ,  金峻渊 ,  李在垣 ,  崔孝枝

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：制备硅衬底；在硅衬底上形成缓冲层；以及在缓冲层上形成氮化物半导体层。缓冲层包括第一层、第二层和第三层。第一层包括AlxInyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1），并且其晶格常数（LP1）小于硅衬底的晶格常数（LP0）。第二层被形成在第一层上，其包括AlxInyGa1-x-yN（0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1），并且其晶格常数（LP2）大于第一层的晶格常数（LP1）并小于硅衬底的晶格常数（LP0）。第三层被形成在第二层上，其包括AlxInyGa1-x-yN（0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1），并且其晶格常数（LP3）小于第二层的晶格常数（LP2）。

公开(公告)号：CN103035705A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210367105.1

申请日：2012-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金峻渊 ,  李在垣 ,  崔孝枝

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供了高电子迁移率晶体管（HEMT），包括：基板；HEMT叠层，与基板间隔开；以及虚设绝缘层（PIL），设置在基板与HEMT叠层之间。PIL层包括具有不同相的至少两种材料。PIL层定义空的空间，该空的空间在中间部分比在该空的空间的入口处更宽。

公开(公告)号：CN103578926B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310347252.7

申请日：2013-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓泳助 ,  金在均 ,  金柱成 ,  金峻渊 ,  李在垣 ,  崔孝枝

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：制备硅衬底；在硅衬底上形成缓冲层；以及在缓冲层上形成氮化物半导体层。缓冲层包括第一层、第二层和第三层。第一层包括AlxInyGa1‑x‑yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1），并且其晶格常数（LP1）小于硅衬底的晶格常数（LP0）。第二层被形成在第一层上，其包括AlxInyGa1‑x‑yN（0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1），并且其晶格常数（LP2）大于第一层的晶格常数（LP1）并小于硅衬底的晶格常数（LP0）。第三层被形成在第二层上，其包括AlxInyGa1‑x‑yN（0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1），并且其晶格常数（LP3）小于第二层的晶格常数（LP2）。

公开(公告)号：CN103531612A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310273079.0

申请日：2013-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱成 ,  金峻渊 ,  李在垣 ,  崔孝枝 ,  卓泳助

IPC: H01L29/06 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L29/151 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02587 ,  H01L29/2003 ,  H01L21/02439 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：硅衬底；缓冲结构，设置在硅衬底上；以及至少一个镓氮化物基半导体层，形成在缓冲结构上。缓冲结构包括多个氮化物半导体层以及与多个氮化物半导体层交替地设置并包括IV-IV族半导体材料的多个应力控制层。

公开(公告)号：CN103489896A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310231295.9

申请日：2013-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓泳助 ,  金在均 ,  金峻渊 ,  李在垣 ,  崔孝枝

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及其制造方法。所述氮化镓基半导体器件包括同时掺杂有相对较高浓度的硼（B）和锗（Ge）的硅基衬底、所述硅基衬底上的缓冲层、以及所述缓冲层上的氮化物叠层。硼（B）和锗（Ge）的掺杂浓度可以大于1×1019/cm3。

公开(公告)号：CN103066121A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210211463.3

申请日：2012-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  吴在浚 ,  李在垣 ,  崔孝枝

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7789

Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管包括形成在基板上的沟道层、沟道上的第一沟道供应层、耗尽层、第二沟道供应层、第一沟道供应层上的源电极和漏电极、以及耗尽层上的栅电极。沟道层包括2DEG沟道以及耗尽区，2DEG沟道配置为产生二维电子气；第一沟道供应层对应于所述2DEG沟道，并限定暴露所述耗尽区的开口。耗尽层在沟道层的所述耗尽区上。第二沟道供应层在所述耗尽层和所述耗尽区之间。