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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101997071A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010256572.8
申请日：2010-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 本发明涉及衬底结构及其制造方法。通过在缓冲层之下形成衬底的突出区域以及在缓冲层上形成半导体层而制造衬底结构，由此在除了在形成突出部的区域以外的区域将衬底与缓冲层分开。不与衬底接触的缓冲层上的半导体层具有独立特性，可以减少或防止位错或裂纹。
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公开(公告)号：CN111009535A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910891841.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。图像传感器包括含有多个像素区域的衬底。所述衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。所述图像传感器包括从衬底的第二表面向衬底的第一表面延伸并将所述多个像素区域彼此分离的深像素隔离区。所述图像传感器包括邻近所述深像素隔离区的侧壁的非晶区。而且，所述图像传感器包括在所述非晶区与所述深像素隔离区的侧壁之间的电子抑制区。
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公开(公告)号：CN101997071B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201010256572.8
申请日：2010-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 本发明涉及衬底结构及其制造方法。通过在缓冲层之下形成衬底的突出区域以及在缓冲层上形成半导体层而制造衬底结构，由此在除了在形成突出部的区域以外的区域将衬底与缓冲层分开。不与衬底接触的缓冲层上的半导体层具有独立特性，可以减少或防止位错或裂纹。
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公开(公告)号：CN103137656B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201210345304.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/06 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02658
Abstract: 本发明公开了硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法。通过形成裂纹减少部可以减少硅衬底中的裂纹的形成和传播。该硅衬底包括硅主体部和形成在硅主体部周围的硅边缘部。裂纹减少部形成在硅衬底的硅边缘部上，使得该裂纹减少部的晶面的方向是随机取向的。
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公开(公告)号：CN103137656A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210345304.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/06 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02658
Abstract: 本发明公开了硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法。通过形成裂纹减少部可以减少硅衬底中的裂纹的形成和传播。该硅衬底包括硅主体部和形成在硅主体部周围的硅边缘部。裂纹减少部形成在硅衬底的硅边缘部上，使得该裂纹减少部的晶面的方向是随机取向的。
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