公开(公告)号：CN101154444A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710108745.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲁有桓 ,  李光振 ,  姜尚范 ,  赵佑塋

IPC: G11C11/56 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C13/0064 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3486 ,  G11C2013/0076

Abstract: 在相变存储器件中执行编程操作的各种方法中，对选定存储单元重复地编程，以获得具有诸如适当读出裕度之类的所需特征的电阻分布。

公开(公告)号：CN118732937A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202311616189.2

申请日：2023-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 许宰荣 ,  金炳澔 ,  鲁有桓 ,  刘承周 ,  李硕汉

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开了一种用于存储器中处理的存储装置和存储装置的操作方法。所述存储装置包括多个存储器芯片。所述多个存储器芯片均包括多个存储体和逻辑电路。在第一操作模式下，所述逻辑电路基于从所述主机接收到的第一命令和第一地址将第一数据写入到所述多个存储体中，并且基于从所述主机接收到的第三数据和所述第一数据来执行第一存储器中处理(PIM)运算。在第二操作模式下，所述逻辑电路基于从所述主机接收到的第一命令和第一地址将第二数据写入到所述多个存储体中，并且基于从所述主机接收到的与所述第三数据不同的第四数据和所述第二数据来执行第二PIM运算。

公开(公告)号：CN118412029A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410097342.3

申请日：2024-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车相薰 ,  鲁有桓 ,  徐承右

IPC: G11C16/24 ,  G11C16/30 ,  G11C7/18

Abstract: 公开了一种存储器装置和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：存储器存储体模块，包括存储器存储体；以及运算模块，包括存储器内处理(PIM)块，其中，存储器存储体包括：以多个行和多个列布置的存储器单元的阵列；行缓冲器，被配置为：存储所述多个行之中的与行地址对应的行的数据；以及选择模块，被配置为：从存储在行缓冲器中的数据之中选择与列地址对应的第一数据和第二数据，其中，第一数据通过连接在选择模块与PIM块之间的第一数据路径被发送到PIM块，并且第二数据通过连接在选择模块与PIM块之间的第二数据路径被发送到PIM块。

公开(公告)号：CN117632778A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311079814.4

申请日：2023-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉洙 ,  鲁有桓

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/0877

Abstract: 电子装置和操作电子装置的方法被公开。所述电子装置包括：主机处理器，被配置为生成存储器请求和存储器地址，存储器地址被映射到目标存储器模式并且被映射到存储器请求将被施加到的物理存储器地址，目标存储器模式是可用存储器模式中的任何一个；存储器控制器，被配置为基于从主机处理器接收到的存储器请求和存储器地址根据被映射到存储器地址的目标存储器模式来生成物理存储器地址和命令；以及存储器，被配置为在物理存储器地址执行从存储器控制器接收到的命令。

公开(公告)号：CN114388012A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110528518.2

申请日：2021-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲁有桓 ,  姜信行 ,  吴成一 ,  徐承右

IPC: G11C7/10

Abstract: 提供了一种被配置为执行存储器内处理的存储器装置。所述存储器装置包括：多个存储器内算术单元，均被配置为执行流水线化的算术运算的存储器内处理；以及多个存储器存储体，被分配给所述多个存储器内算术单元，使得由n个存储器存储体组成的集合被分配给所述多个存储器内操作单元中的每个，每个存储器存储体被配置为在流水线化的算术运算被执行时执行从所述多个存储器内算术单元请求的数据的访问操作。所述多个存储器内算术单元中的每个被配置为以小于或等于n与所述多个存储器存储体中的每个的第二操作频率的乘积的第一操作频率操作。

公开(公告)号：CN101154444B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200710108745.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲁有桓 ,  李光振 ,  姜尚范 ,  赵佑塋

IPC: G11C11/56 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C13/0064 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3486 ,  G11C2013/0076

Abstract: 在相变存储器件中执行编程操作的各种方法中，对选定存储单元重复地编程，以获得具有诸如适当读出裕度之类的所需特征的电阻分布。

公开(公告)号：CN1975927B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200610163200.4

申请日：2006-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵佑荣 ,  崔炳吉 ,  金杜应 ,  吴泂录 ,  赵柏衡 ,  鲁有桓

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/06 ,  G11C16/02 ,  G11C16/26

Abstract: 公开了一种相可变存储器件以及读取数据的相关方法。存储器件由存储单元、高电压电路、预充电电路、偏置电路、以及读出放大器组成。每一个存储单元包括相可变材料和与位线相连的二极管。高电压电路根据电源提供高电压。预充电电路在将位线充电到电源电压之后，将位线升高到高电压。偏置电路借助于高电压向位线提供读取电流。读出放大器借助于高电压将位线的电压与基准电压相比较，并且从存储单元读取数据。存储器件能够减少预充电操作期间高电压电路的负荷，从而确保在读出期间足够的读出裕度。

公开(公告)号：CN101051526A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710092124.7

申请日：2007-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳吉 ,  金杜应 ,  鲁有桓 ,  崔俊龙 ,  赵佑荣 ,  赵栢衡

IPC: G11C11/56

CPC classification number: G11C8/10 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/72

Abstract: 公开了一种相变存储器装置。其包括：存储单元阵列，包括关于相变材料编程的多个存储单元；以及写入驱动器电路，被配置为向选定存储单元提供置位电流与复位电流。该写入驱动器电路包含被配置为提供置位电流的置位电流驱动器以及被配置为提供复位电流的复位电流驱动器。