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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113805790B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202011442348.8
申请日：2020-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种执行存储器内处理的存储器装置。所述存储器装置包括：存储器内操作单元，执行被流水线化为多流水线级的操作的存储器内处理；存储器存储体，被分配给存储器内操作单元，使得由n个存储器存储体形成的组被分配给每个存储器内操作单元，每个存储器存储体在流水线化的操作被执行的同时执行由多个存储器内操作单元中的每个请求的数据的访问操作，其中，n是自然数；存储器裸片，存储器内操作单元、存储器存储体和被配置为从外部源接收命令信号的命令垫布置在存储器裸片中。每个由n个存储器存储体形成的组包括具有到命令垫的第一数据传输距离的第一存储器存储体和具有大于第一数据传输距离的到命令垫的第二数据传输距离的第二存储器存储体。
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公开(公告)号：CN112652333A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202010400764.5
申请日：2020-05-13
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G11C7/10 , G11C11/409 , G06N3/063
Abstract: 公开采用存储器中处理的半导体存储器装置及其操作方法。所述半导体存储器装置包括：多个存储体，所述多个存储体包括包含计算电路的第一存储体组和不具有计算电路的第二存储体组；以及控制电路，被配置为在满足所述半导体存储器装置的最大功耗条件的情况下控制由第一存储体组进行的PIM运算与对所述多个存储体的存储器请求的处理一起执行。
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公开(公告)号：CN118412029A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410097342.3
申请日：2024-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器装置和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：存储器存储体模块，包括存储器存储体；以及运算模块，包括存储器内处理(PIM)块，其中，存储器存储体包括：以多个行和多个列布置的存储器单元的阵列；行缓冲器，被配置为：存储所述多个行之中的与行地址对应的行的数据；以及选择模块，被配置为：从存储在行缓冲器中的数据之中选择与列地址对应的第一数据和第二数据，其中，第一数据通过连接在选择模块与PIM块之间的第一数据路径被发送到PIM块，并且第二数据通过连接在选择模块与PIM块之间的第二数据路径被发送到PIM块。
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公开(公告)号：CN114388012A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110528518.2
申请日：2021-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种被配置为执行存储器内处理的存储器装置。所述存储器装置包括：多个存储器内算术单元，均被配置为执行流水线化的算术运算的存储器内处理；以及多个存储器存储体，被分配给所述多个存储器内算术单元，使得由n个存储器存储体组成的集合被分配给所述多个存储器内操作单元中的每个，每个存储器存储体被配置为在流水线化的算术运算被执行时执行从所述多个存储器内算术单元请求的数据的访问操作。所述多个存储器内算术单元中的每个被配置为以小于或等于n与所述多个存储器存储体中的每个的第二操作频率的乘积的第一操作频率操作。
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公开(公告)号：CN113805790A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202011442348.8
申请日：2020-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种执行存储器内处理的存储器装置。所述存储器装置包括：存储器内操作单元，执行被流水线化为多流水线级的操作的存储器内处理；存储器存储体，被分配给存储器内操作单元，使得由n个存储器存储体形成的组被分配给每个存储器内操作单元，每个存储器存储体在流水线化的操作被执行的同时执行由多个存储器内操作单元中的每个请求的数据的访问操作，其中，n是自然数；存储器裸片，存储器内操作单元、存储器存储体和被配置为从外部源接收命令信号的命令垫布置在存储器裸片中。每个由n个存储器存储体形成的组包括具有到命令垫的第一数据传输距离的第一存储器存储体和具有大于第一数据传输距离的到命令垫的第二数据传输距离的第二存储器存储体。
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